大电流MOS管驱动方案求指点

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 楼主| cctv19881023 发表于 2018-3-31 08:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
附件图片是设计的一款功率MOS管驱动电路,用于电池组自身充放电保护,设计需求大致如下:
1. 充放电电流持续在100A左右
2. 电池组电压接近100V
3. 实际使用中的负载各种情况都可能,比如电机等感性负载

请问设计这种电路需要注意哪些地方,有没有比较成熟的方案可以推荐的

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xch
一定会烧了管子  发表于 2018-4-2 00:16
gnaijnaoul 发表于 2018-4-1 07:43 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 gnaijnaoul 于 2018-4-1 07:55 编辑

1.三极管基极没有下拉电阻,要是悬空状态未知;
2.二极管上并电阻,电阻是不是多余了;
3.功率mos的栅极的下拉电阻1M是不是大了点,mos关闭时间有点长
4.mos的ds之间加吸收电容,应该要串个电阻,增大阻尼。
xch 发表于 2018-4-2 00:43 | 显示全部楼层
你该用现成的Low-side driver ,如TPS2814 TPS2812.

GND 应该设计在NMOSFET中间的连接点。  S-S连接。

MOSFET不需要这么多并联,省点钱。  换个耐压高一点MOSFET。 电流余量有50%,就够,MOSFET有自动均衡特性。  除非你散热不好。散热片比MOSFET贵吗?  

你这电路开关速度太慢,开关时MOSFET就热击穿了。注意看mosfet 的 热击穿承受值(焦耳)。开关瞬间热冲击可以这样估算= IPP*VPP*Tsw/2;你这个电路 就100x100/2*tsw ;
 楼主| cctv19881023 发表于 2019-10-19 13:39 | 显示全部楼层
xch 发表于 2018-4-2 00:43
你该用现成的Low-side driver ,如TPS2814 TPS2812.

GND 应该设计在NMOSFET中间的连接点。  S-S连接。

大神,你好,请问有没有成熟的MOS驱动电路,我借鉴一下

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xch
TPS 不成熟吗?  发表于 2019-10-19 22:29
 楼主| cctv19881023 发表于 2019-10-19 23:29 | 显示全部楼层
cctv19881023 发表于 2019-10-19 13:39
大神,你好,请问有没有成熟的MOS驱动电路,我借鉴一下

没有用过这种,另外请教一下,这么多MOS并联如何保证均流,我现在批量的板子里面,时不时会有一颗MOS坏掉
tianxj01 发表于 2019-10-20 08:47 | 显示全部楼层
cctv19881023 发表于 2019-10-19 23:29
没有用过这种,另外请教一下,这么多MOS并联如何保证均流,我现在批量的板子里面,时不时会有一颗MOS坏掉 ...

就你这个线路,时不时坏掉一个正常,关闭实在太慢了,这么多MOS并联,栅极负载很大。线路设计非常有问题。
MOS是属于正温度系数的器件,所以理论上并联是不会出什么问题,可你在栅极电容大,驱动不足条件下,关断时间很长知道不?全部关断前一段时间,因为各管子Vgs有差异,这个是正常的,必然有一个管子其实是最后关闭,在该时刻以前,则所有的负载陆陆续续加到这个管子上面,你只是时不时坏掉一个算不错了。
首先你的电流也不过100A。2倍的负载电流不过200A,用2个IPP075N15就可以搞定。
管子安全工作区100A、100V时候近100uS。在你这里用2个并联妥妥的吧,栅极Qg=30nC 2个才60nC ,用一个2A左右的低边驱动芯片就妥妥的驱动起来。1片EG27324驱动你2路妥妥的。(国产屹晶微芯片,稳定可靠性价比高)
算功耗,100A工作电流,2个并联导通电阻为3.6mΩ,实际功耗=36W。每管子18W,合适的风扇+散热器则轻轻松松过。
xch 发表于 2019-10-22 09:51 | 显示全部楼层
cctv19881023 发表于 2019-10-19 23:29
没有用过这种,另外请教一下,这么多MOS并联如何保证均流,我现在批量的板子里面,时不时会有一颗MOS坏掉 ...

MOSFET 本身是自均衡的,不均衡的是开关切换速度。使用高速大电流驱动即可减少这种不一致性。
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