你该用现成的Low-side driver ,如TPS2814 TPS2812.
GND 应该设计在NMOSFET中间的连接点。 S-S连接。
MOSFET不需要这么多并联,省点钱。 换个耐压高一点MOSFET。 电流余量有50%,就够,MOSFET有自动均衡特性。 除非你散热不好。散热片比MOSFET贵吗?
你这电路开关速度太慢,开关时MOSFET就热击穿了。注意看mosfet 的 热击穿承受值(焦耳)。开关瞬间热冲击可以这样估算= IPP*VPP*Tsw/2;你这个电路 就100x100/2*tsw ;
|
|