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请教PMOS管为什么会DS极击穿

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 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-10 09:39 | 显示全部楼层
xch 发表于 2018-4-10 09:38
Q3 没事?

击穿的都是Q3
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xch
顶楼“Q4开关管会有一定几率DS极击穿” 这个误导了  发表于 2018-4-10 10:08
xch 发表于 2018-4-10 10:18 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 09:39
击穿的都是Q3

还是驱动电路速度不行。 如果是开关管会有“一定几率” DS极击穿
您那驱动电路的电阻值至少得按照比例减少10倍。
R20,R31 照此办理。
D7 去掉，短接。

测量时，编一段测试代码，一秒开关Q3 10次；测量满负载输出时 Q3的温度；在85度环境中测量
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sdggg 发表于 2018-4-10 10:20 | 显示全部楼层
Q4是干什么用？VCC负载是什么？从你说的把C2电容换小减少击穿了，说明通电时管导通损耗过大；另外击穿情况是在VIN输入稳定后开启Q3才击穿 还是 VIN刚接通电时击穿？
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 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-10 10:21 | 显示全部楼层
xch 发表于 2018-4-10 10:18
还是驱动电路速度不行。 如果是开关管会有“一定几率” DS极击穿
您那驱动电路的电阻值至少得按照比例减 ...

嗯，按这个试下！
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xch
@xch ：加倍并联。 因为如果是电解电容器负载，实际值比标称值可能有100% 的正偏差  发表于 2018-4-10 10:26
xch
测试时直流负载使用实际产品的滤波电容并联  发表于 2018-4-10 10:25
 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-10 10:25 | 显示全部楼层
sdggg 发表于 2018-4-10 10:20
Q4是干什么用？VCC负载是什么？从你说的把C2电容换小减少击穿了，说明通电时管导通损耗过大；另外击穿情况 ...

Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿
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sdggg
Q4的GD极加个电容可以消掉火花，但可能也会造成开关损耗过大烧坏  发表于 2018-4-10 10:37
sdggg
VIN输入稳定后，Q3开启导通时击穿？还是Q3开启后击穿？  发表于 2018-4-10 10:33
xch 发表于 2018-4-10 10:29 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 10:25
Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿

你的Q4 还是建议对调D-S引脚。

你这电路好像车载上的设备
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sdggg
他是用来消火花的  发表于 2018-4-10 10:36
xch 发表于 2018-4-10 10:47 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 10:25
Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿

如果是车载 LTC4367 可以考虑。

http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4367fb.pdf
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lfc315 发表于 2018-4-10 11:49 | 显示全部楼层
有点晕，是Q3还是Q4击穿？还是都有可能击穿？
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 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-10 11:50 | 显示全部楼层
lfc315 发表于 2018-4-10 11:49
有点晕，是Q3还是Q4击穿？还是都有可能击穿？

只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个
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lfc315 发表于 2018-4-10 11:53 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 11:50
只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个

R20并联个104电容试试
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一周一天班 发表于 2018-4-10 12:35 来自手机 | 显示全部楼层
哪有用100k阻值的，100欧才对。mos没工作在开关状态。
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 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-10 13:27 | 显示全部楼层
lfc315 发表于 2018-4-10 11:53
R20并联个104电容试试

并104电容是加速开关吗
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lfc315 发表于 2018-4-10 14:16 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 13:27
并104电容是加速开关吗

不是的，是让MOS开关缓慢逐渐打开，会烧是因为后面负载存在大电容，MOS管打开太快，瞬间的功率（I*U）超过了承受能力；
也可以换个封装大的MOS管，大封装瞬间功率承受能力会更大
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yes19891989 发表于 2018-4-10 18:34 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:53
是在Q3的DG间接吗，一般用多少容值的电容呢

不是DG是SG之间接个电容
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yes19891989 发表于 2018-4-10 18:38 | 显示全部楼层
后面的负载呈容性，开通瞬间电流很大，所以要在MOSfet的S和G极间接一个UF级的电容，让MOSFET缓慢开通
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masmin 发表于 2018-4-10 21:37 | 显示全部楼层
有两种原因：1、静电，2、过压。因为MOS是个电压型器件，本身对电压比较敏感，不像晶体管的电流器件。
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lyjian 发表于 2018-4-10 22:47 | 显示全部楼层
masmin 发表于 2018-4-10 21:37
有两种原因：1、静电，2、过压。因为MOS是个电压型器件，本身对电压比较敏感，不像晶体管的电流器件。 ...

狗屁
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lyjian 发表于 2018-4-10 23:18 | 显示全部楼层
chest20090909 发表于 2018-4-10 11:50
只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个

服了你，一会儿说Q4坏一会儿说Q3坏。
先学会把问题描述清楚再来探讨技术
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 楼主| chest20090909 发表于 2018-4-11 08:44 | 显示全部楼层
lyjian 发表于 2018-4-10 23:18
服了你，一会儿说Q4坏一会儿说Q3坏。
先学会把问题描述清楚再来探讨技术 ...

是Q3击穿，1L笔误已改过来
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lihui567 发表于 2018-4-11 08:45 | 显示全部楼层
前端输入电压有多高啊，瞬态能把MOS管击穿
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