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请教PMOS管为什么会DS极击穿

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楼主: chest20090909
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21楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 09:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
xch 发表于 2018-4-10 09:38
Q3 没事?

击穿的都是Q3

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xch 2018-4-10 10:08 回复TA
顶楼“Q4开关管会有一定几率DS极击穿” 这个误导了 
22楼
xch| | 2018-4-10 10:18 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 09:39
击穿的都是Q3

还是驱动电路速度不行。 如果是开关管会有“一定几率” DS极击穿
您那驱动电路的电阻值至少得按照比例减少10倍。
R20,R31 照此办理。
D7 去掉，短接。

测量时，编一段测试代码，一秒开关Q3 10次；测量满负载输出时 Q3的温度；在85度环境中测量

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23楼
sdggg| | 2018-4-10 10:20 | 只看该作者
Q4是干什么用？VCC负载是什么？从你说的把C2电容换小减少击穿了，说明通电时管导通损耗过大；另外击穿情况是在VIN输入稳定后开启Q3才击穿 还是 VIN刚接通电时击穿？

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24楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 10:21 | 只看该作者
xch 发表于 2018-4-10 10:18
还是驱动电路速度不行。 如果是开关管会有“一定几率” DS极击穿
您那驱动电路的电阻值至少得按照比例减 ...

嗯，按这个试下！

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xch 2018-4-10 10:26 回复TA
@xch ：加倍并联。 因为如果是电解电容器负载，实际值比标称值可能有100% 的正偏差 
xch 2018-4-10 10:25 回复TA
测试时直流负载使用实际产品的滤波电容并联 
25楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 10:25 | 只看该作者
sdggg 发表于 2018-4-10 10:20
Q4是干什么用？VCC负载是什么？从你说的把C2电容换小减少击穿了，说明通电时管导通损耗过大；另外击穿情况 ...

Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿

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sdggg 2018-4-10 10:37 回复TA
Q4的GD极加个电容可以消掉火花，但可能也会造成开关损耗过大烧坏 
sdggg 2018-4-10 10:33 回复TA
VIN输入稳定后，Q3开启导通时击穿？还是Q3开启后击穿？ 
26楼
xch| | 2018-4-10 10:29 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 10:25
Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿

你的Q4 还是建议对调D-S引脚。

你这电路好像车载上的设备

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sdggg 2018-4-10 10:36 回复TA
他是用来消火花的 
27楼
xch| | 2018-4-10 10:47 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 10:25
Q4原本想用来做上电瞬间消火花用，换成100uF后，击穿情况都是通电后击穿

如果是车载 LTC4367 可以考虑。

http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4367fb.pdf

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28楼
lfc315| | 2018-4-10 11:49 | 只看该作者
有点晕，是Q3还是Q4击穿？还是都有可能击穿？

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29楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 11:50 | 只看该作者
lfc315 发表于 2018-4-10 11:49
有点晕，是Q3还是Q4击穿？还是都有可能击穿？

只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个

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30楼
lfc315| | 2018-4-10 11:53 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 11:50
只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个

R20并联个104电容试试

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31楼
一周一天班| | 2018-4-10 12:35 | 只看该作者
哪有用100k阻值的，100欧才对。mos没工作在开关状态。

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32楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 13:27 | 只看该作者
lfc315 发表于 2018-4-10 11:53
R20并联个104电容试试

并104电容是加速开关吗

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33楼
lfc315| | 2018-4-10 14:16 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 13:27
并104电容是加速开关吗

不是的，是让MOS开关缓慢逐渐打开，会烧是因为后面负载存在大电容，MOS管打开太快，瞬间的功率（I*U）超过了承受能力；
也可以换个封装大的MOS管，大封装瞬间功率承受能力会更大

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34楼
yes19891989| | 2018-4-10 18:34 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:53
是在Q3的DG间接吗，一般用多少容值的电容呢

不是DG是SG之间接个电容

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35楼
yes19891989| | 2018-4-10 18:38 | 只看该作者
后面的负载呈容性，开通瞬间电流很大，所以要在MOSfet的S和G极间接一个UF级的电容，让MOSFET缓慢开通

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36楼
masmin| | 2018-4-10 21:37 | 只看该作者
有两种原因：1、静电，2、过压。因为MOS是个电压型器件，本身对电压比较敏感，不像晶体管的电流器件。

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37楼
lyjian| | 2018-4-10 22:47 | 只看该作者
masmin 发表于 2018-4-10 21:37
有两种原因：1、静电，2、过压。因为MOS是个电压型器件，本身对电压比较敏感，不像晶体管的电流器件。 ...

狗屁

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38楼
lyjian| | 2018-4-10 23:18 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 11:50
只有Q3击穿，就是用作电源开关的那个

服了你，一会儿说Q4坏一会儿说Q3坏。
先学会把问题描述清楚再来探讨技术

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39楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-11 08:44 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-10 23:18
服了你，一会儿说Q4坏一会儿说Q3坏。
先学会把问题描述清楚再来探讨技术 ...

是Q3击穿，1L笔误已改过来

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40楼
lihui567| | 2018-4-11 08:45 | 只看该作者
前端输入电压有多高啊，瞬态能把MOS管击穿

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