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请教PMOS管为什么会DS极击穿

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楼主: chest20090909
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41楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-11 10:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
lihui567 发表于 2018-4-11 08:45
前端输入电压有多高啊，瞬态能把MOS管击穿

对DC30V进行开关

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42楼
lihui567| | 2018-4-11 12:54 | 只看该作者
这个电压不低啊，建议选择耐压高一点的mos管

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43楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-11 13:16 | 只看该作者
lihui567 发表于 2018-4-11 12:54
这个电压不低啊，建议选择耐压高一点的mos管

有没有SOT223封装的管子推荐下呢

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44楼
877049204| | 2018-4-11 15:27 | 只看该作者
电压大于VDS

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45楼
BOY200501| | 2018-4-11 18:14 | 只看该作者
在大家的思路上，我想到几天前的一个测试：用单位的电流探头（50MHz，交流100A），测试13.8V加到200uF固体铝电解电容上的上电冲击电流，已经超过100A，探头每次都要重新消磁（去高斯）。

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46楼
lyjian| | 2018-4-12 00:43 | 只看该作者
yes19891989 发表于 2018-4-10 18:38
后面的负载呈容性，开通瞬间电流很大，所以要在MOSfet的S和G极间接一个UF级的电容，让MOSFET缓慢开通 ...

UF级就等坏吧

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47楼
yes19891989| | 2018-4-12 08:32 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-12 00:43
UF级就等坏吧

请你看好实际应用条件再来评价

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48楼
lihui567| | 2018-4-12 10:05 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-11 13:16
有没有SOT223封装的管子推荐下呢


看看英飞凌的咋样

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49楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-12 10:49 | 只看该作者
lihui567 发表于 2018-4-12 10:05
看看英飞凌的咋样

通过电流小了点

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50楼
lihui567| | 2018-4-12 10:55 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-12 10:49
通过电流小了点

需要3A吗，找找看，选用sop-8的封装也可以

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51楼
lyjian| | 2018-4-12 12:31 | 只看该作者
yes19891989 发表于 2018-4-12 08:32
请你看好实际应用条件再来评价

这我东西，太快太慢都不行。
太快容易冲击电流过大损坏，太慢容易过功率损坏

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52楼
yes19891989| | 2018-4-13 09:13 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-12 12:31
这我东西，太快太慢都不行。
太快容易冲击电流过大损坏，太慢容易过功率损坏 ...

那以您的经验，一般要多大才好

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53楼
yhgwork| | 2018-4-15 15:08 | 只看该作者
Q3的取电，从C26取。还有Q4前面要加电容和TVS。Q3的GS并一个小电容,0.1UF的。应该问题不大

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54楼
ymz000| | 2022-3-16 23:22 | 只看该作者
帖子中有问题的图片还有没有

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55楼
yueguang3048| | 2022-3-17 09:33 | 只看该作者
ymz000 发表于 2022-3-16 23:22
帖子中有问题的图片还有没有

不是没有，是楼主担心“泄密”，后期问题解决后，删除了图片和帖子描述

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56楼
string2021| | 2022-11-23 14:26 | 只看该作者
看不到图呢

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