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从一实际错误, 总结出来的一三极管道题.

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楼主: sinanjj
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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览

我在2007-8-22 21:09提的提问帖

当时大家的反应. 因为无法顶上去了, 故贴图..

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:27 | 只看该作者

pic2

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:29 | 只看该作者

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:31 | 只看该作者

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:34 | 只看该作者

杨真人当时看出问题了, 可是没解释

俺当时大2, 刚刚做项目啊....

杨真人应该批评的更严重一些才是....

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:41 | 只看该作者

仿真的结果

还是有些不解

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:44 | 只看该作者

解释

电源vcc=2.5v vss=-2.5v(不知道这软件咋设置的.)

上仿真的数据表明: 负载压降 3v 达林顿压降2v....

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 11:47 | 只看该作者

确实是"饱和压降特大" 但还是不明白为何.

请大家解释下..

这个事件告诉我们: 尽量用MOS的开关管, 不要用这种放大倍数不能确定的三极管....

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awey| | 2008-4-25 12:03 | 只看该作者

到底哪个图?16楼 or 26楼?

26楼的图是跟随器,不可能饱和的。

输出电压是R1上的电压加两个PN结的电压之和。

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 12:13 | 只看该作者

回awey

我们实际使用的是16楼的图, 不过26楼Q1和Q2组成的也是达林顿结构啊.. 

怎么是跟随器呢??? 11楼的图是很多书上的达林顿结构, 26楼的图就是11楼中的B啊??

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awey| | 2008-4-25 17:52 | 只看该作者

看来楼主到现在还没明白

三极管饱和时集电结和发射结都是正向偏置的,请仔细比较一下26楼与16楼电路有什么不同?

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 22:21 | 只看该作者

彻底复习了一下..

学的时候只记住接1, 0 开关, 放大多少倍, 没有考虑其他的东西, 现在要详细的从分子级别分析一下了...

开关模型: 显然的, 我在设计这个的时候是用了三极管的开关模型: 即: B级电平控制CE间的导通与否. 按照这个模型, 不论是16楼还是26楼的图都是对的, 只是16楼的图存在负载将C拉高的情况, 导致系统不稳定...

然而 , 如果我们从三极管PN结反向导通的源动力来分析, 事情就有些变化了...

三极管PN结反向导通的源动力是: 正向先导通的pn结在基级注入了很多电荷, 这些电荷打破了反向PN结的平衡, 在正向偏置电压下(这个是awey 前辈强调的...理解了...), PN结反向导通, 且最大通过的电流与正向先导通的pn结注入的电荷多少有关...

从这个原理看, 16楼的图和26楼的图都是不稳定的.... 因为它们的BC间的正向偏置靠的是: 限流电阻把电压拉高, 这个电压是不可控的(不是严格的1, 0, 电路成了模拟电路....)

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 22:24 | 只看该作者

14楼 xwj提供的方案也是把第2个pnp三极管的基级拉高

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 22:27 | 只看该作者

这也解释了, 我遇到的情况

接上高阻值的限流电阻的时候, 并没有因为电流减小而驱动减弱, 而因为B级拉高而使三极管更满足导通条件, 从而工作....

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-25 22:43 | 只看该作者

题图

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t.jm| | 2008-4-25 23:48 | 只看该作者

晕倒!到现在才明白那是两个三机管,而不是达林顿管!

拜托以后标注Q1.Q2.

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t.jm| | 2008-4-25 23:48 | 只看该作者

晕倒!到现在才明白那是两个三机管,而不是达林顿管!

拜托以后标注Q1.Q2.

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awey| | 2008-4-25 23:59 | 只看该作者

问题没有楼主想象的那么复杂

假设IO口输出低电平为0.5V,Vcc=5V,下面分别就两种导通情况分析

1、负载接C极时,当IO为低时,Vb1=5V-2×0.7V=3.6V,RL上的电压升到高于此电压时,Q1饱和导通,假设饱和电压为Vceo=0.1V,,此时Q1的C极电压为VL+0.1,因此时Q2也导通,即Vbe2是正偏置的,所以有Vcc=VL+Vceo+Vbe2,Q2上的电压Vce=Vcc-VL=Vceo+Vbe2=0.1+0.7=0.8V,此时即使IO口的电压是0~3V(?)都关系不大。

2、负载接E极时,当IO口为低时,Q1Q2导通的条件是两三极管的BE要正向导通,即Q2的E极电压也就是Q2的Vce=Vb1+Vbe1+Vbe2=0.5+0.7+0.7=1.9V。Vb1是Q1的基极电压,等于IO口的电压加限流电阻上的电压。可以看出,Vce与IO口的电压有直接的关系。



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sinanjj|  楼主 | 2008-4-26 21:00 | 只看该作者

回38楼 awey 前辈 和 t.jm

理论上分析是这样的, 但是, 
1, 就理论分析的这种状态, 很显然没有达到放大倍数加大的目的,  而且Q1 C级向B级流向的电流也很显然毫无意义, 没人会用这样的电路的.
2, 仿真发现(见图): 我把限流电阻调小一下,增大GND对Q1 B级的影响, 就会发现Vb1 != 5V-2×0.7V=3.6V

三极管啊....

我用这个电路驱动了64个LED, (幸好是限流电阻大了就能用...)

我搜了搜驱动LED的帖, 也很多, 准备用MOS开关管加MBI5024之类的加了电流限制功能的移位芯片.

今天和导师和几个研究生师兄谈了这个问题, 比较重要的信息是 CPLD有20RMB左右的....

用MCU的成本优势并不会太突出...

回复t.jm: 我见到的三极管都是这样画的啊, 达林顿管都是由2个三极管拼起来的. 封装成一个的没用过....不过这个图示, 第一想到的应该是三极管啊...

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sinanjj|  楼主 | 2008-4-26 21:03 | 只看该作者

图1: 正常状态下的...

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