从一实际错误, 总结出来的一三极管道题.

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 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:24 | 显示全部楼层

我在2007-8-22 21:09提的提问帖

当时大家的反应. 因为无法顶上去了, 故贴图..
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:27 | 显示全部楼层
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:29 | 显示全部楼层
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:31 | 显示全部楼层
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:34 | 显示全部楼层

杨真人当时看出问题了, 可是没解释

俺当时大2,&nbsp;刚刚做项目啊....<br /><br />杨真人应该批评的更严重一些才是....
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:41 | 显示全部楼层

仿真的结果

还是有些不解
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:44 | 显示全部楼层

解释

电源vcc=2.5v&nbsp;vss=-2.5v(不知道这软件咋设置的.)<br /><br />上仿真的数据表明:&nbsp;负载压降&nbsp;3v&nbsp;达林顿压降2v....
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 11:47 | 显示全部楼层

确实是"饱和压降特大" 但还是不明白为何.

请大家解释下..<br /><br />这个事件告诉我们:&nbsp;尽量用MOS的开关管,&nbsp;不要用这种放大倍数不能确定的三极管....
awey 发表于 2008-4-25 12:03 | 显示全部楼层

到底哪个图?16楼 or 26楼?

26楼的图是跟随器,不可能饱和的。<br /><br />输出电压是R1上的电压加两个PN结的电压之和。
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 12:13 | 显示全部楼层

回awey

我们实际使用的是16楼的图,&nbsp;不过26楼Q1和Q2组成的也是达林顿结构啊..&nbsp;<br /><br />怎么是跟随器呢???&nbsp;11楼的图是很多书上的达林顿结构,&nbsp;26楼的图就是11楼中的B啊??
awey 发表于 2008-4-25 17:52 | 显示全部楼层

看来楼主到现在还没明白

三极管饱和时集电结和发射结都是正向偏置的,请仔细比较一下26楼与16楼电路有什么不同?
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 22:21 | 显示全部楼层

彻底复习了一下..

学的时候只记住接1,&nbsp;0&nbsp;开关,&nbsp;放大多少倍,&nbsp;没有考虑其他的东西,&nbsp;现在要详细的从分子级别分析一下了...<br /><br />开关模型:&nbsp;显然的,&nbsp;我在设计这个的时候是用了三极管的开关模型:&nbsp;即:&nbsp;B级电平控制CE间的导通与否.&nbsp;按照这个模型,&nbsp;不论是16楼还是26楼的图都是对的,&nbsp;只是16楼的图存在负载将C拉高的情况,&nbsp;导致系统不稳定...<br /><br />然而&nbsp;,&nbsp;如果我们从三极管PN结反向导通的源动力来分析,&nbsp;事情就有些变化了...<br /><br />三极管PN结反向导通的源动力是:&nbsp;正向先导通的pn结在基级注入了很多电荷,&nbsp;这些电荷打破了反向PN结的平衡,&nbsp;在正向偏置电压下(这个是awey&nbsp;前辈强调的...理解了...),&nbsp;PN结反向导通,&nbsp;且最大通过的电流与正向先导通的pn结注入的电荷多少有关...<br /><br />从这个原理看,&nbsp;16楼的图和26楼的图都是不稳定的....&nbsp;因为它们的BC间的正向偏置靠的是:&nbsp;限流电阻把电压拉高,&nbsp;这个电压是不可控的(不是严格的1,&nbsp;0,&nbsp;电路成了模拟电路....)
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 22:24 | 显示全部楼层

14楼 xwj提供的方案也是把第2个pnp三极管的基级拉高

  
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 22:27 | 显示全部楼层

这也解释了, 我遇到的情况

接上高阻值的限流电阻的时候,&nbsp;并没有因为电流减小而驱动减弱,&nbsp;而因为B级拉高而使三极管更满足导通条件,&nbsp;从而工作....
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-25 22:43 | 显示全部楼层
t.jm 发表于 2008-4-25 23:48 | 显示全部楼层

晕倒!到现在才明白那是两个三机管,而不是达林顿管!

拜托以后标注Q1.Q2.
t.jm 发表于 2008-4-25 23:48 | 显示全部楼层

晕倒!到现在才明白那是两个三机管,而不是达林顿管!

拜托以后标注Q1.Q2.
awey 发表于 2008-4-25 23:59 | 显示全部楼层

问题没有楼主想象的那么复杂

假设IO口输出低电平为0.5V,Vcc=5V,下面分别就两种导通情况分析<br /><br />1、负载接C极时,当IO为低时,Vb1=5V-2×0.7V=3.6V,RL上的电压升到高于此电压时,Q1饱和导通,假设饱和电压为Vceo=0.1V,,此时Q1的C极电压为VL+0.1,因此时Q2也导通,即Vbe2是正偏置的,所以有Vcc=VL+Vceo+Vbe2,Q2上的电压Vce=Vcc-VL=Vceo+Vbe2=0.1+0.7=0.8V,此时即使IO口的电压是0~3V(?)都关系不大。<br /><br />2、负载接E极时,当IO口为低时,Q1Q2导通的条件是两三极管的BE要正向导通,即Q2的E极电压也就是Q2的Vce=Vb1+Vbe1+Vbe2=0.5+0.7+0.7=1.9V。Vb1是Q1的基极电压,等于IO口的电压加限流电阻上的电压。可以看出,Vce与IO口的电压有直接的关系。<br /><br /><br /><br />
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-26 21:00 | 显示全部楼层

回38楼 awey 前辈 和 t.jm

理论上分析是这样的,&nbsp;但是,&nbsp;<br />1,&nbsp;就理论分析的这种状态,&nbsp;很显然没有达到放大倍数加大的目的,&nbsp;&nbsp;而且Q1&nbsp;C级向B级流向的电流也很显然毫无意义,&nbsp;没人会用这样的电路的.<br />2,&nbsp;仿真发现(见图):&nbsp;我把限流电阻调小一下,增大GND对Q1&nbsp;B级的影响,&nbsp;就会发现Vb1&nbsp;!=&nbsp;5V-2×0.7V=3.6V<br /><br />三极管啊....<br /><br />我用这个电路驱动了64个LED,&nbsp;(幸好是限流电阻大了就能用...)<br /><br />我搜了搜驱动LED的帖,&nbsp;也很多,&nbsp;准备用MOS开关管加MBI5024之类的加了电流限制功能的移位芯片.<br /><br />今天和导师和几个研究生师兄谈了这个问题,&nbsp;比较重要的信息是&nbsp;CPLD有20RMB左右的....<br /><br />用MCU的成本优势并不会太突出...<br /><br />回复t.jm:&nbsp;我见到的三极管都是这样画的啊,&nbsp;达林顿管都是由2个三极管拼起来的.&nbsp;封装成一个的没用过....不过这个图示,&nbsp;第一想到的应该是三极管啊...
 楼主| sinanjj 发表于 2008-4-26 21:03 | 显示全部楼层

图1: 正常状态下的...

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