呵呵。<br />上面一直说的达令顿与三极管的区别，其实就是放大倍数与饱和压降的两个指标的问题。下面用NPN的三极管和他们组成的达令顿来说明。<br />见T1,T2.书上一般说Q1Q2的组合（2个三极管组成达令顿）等同与三极管V1，这是从拓扑说的，还是有一些细微的不同：（将V1 Q1 Q2 视为性能相同的三极管）<br />1.放大倍数，理想状态，Q1Q2组合（即达令顿）的放大倍数是V1的放大倍数的平方,这是在两者均处于放大区时的不同。就是他们的基极有一个很小的电流时，达令顿的Vce更小，Ice输出更大。<br />2.饱和压降，Q1Q2组合（即达令顿）的饱和压降是Vce+Vbe(大约是1V),V1的饱和压降是Vce(大约是0.3V),这是在两者均处于饱和区时的不同。就是他们的基极电流都很大时（足够饱和），达令顿的Vce更大，Ice输出也就要小一点。<br /><br />还有一个问题就是由于达令顿放大倍数更大，他更容易饱和。<br /><br />应用在控制上，达令顿有放大倍数大、易饱和的优点，而三极管有饱和压降更小的优点，那有没有即容易饱和，饱和压降又低的组合呢？<br /><br />T3就是。<br />当处于放大区时，q3q4组成了达令顿。而在饱和区工作时，无需Q3导通，电阻就能够提供正向偏置使Q4饱和。它解决了由于需要q3正向偏置引起的饱和电压增大的问题。<br /><br />不知道，我说的可明白？
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