关于单片机中的flash和eeprom

发表于 2008-4-17 19:13

&gt&gt 首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的多数Flash手册上也是这么标明的 这句话有问题,可否请Chunyang版主给个连接,看看现在还有那个Flash手册里有用FLASH EEPROM这个名词 我找了好几个FLASH大厂网站都只说FLASH或是FLASH MEMORY,有的甚至连EEPROM这个词都没提到 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/memory/index.htm http://www.sst.com/products.xhtml/parallel_flash/39 http://www.atmel.com/products/flash/default.asp http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/Products_NANDFlash.html &gt&gt 这出在类似AVR这类程序存储空间和数据存储空间连续的MCU上 如果Chunyang版主有真的用过AVR的EEPROM,就不会说出这样的话了

发表于 2008-4-17 21:26

28系列是最早的EEPROM，28F则是最早的Flash，甚至Flash一词是Intel在1980S为推广其28F系列起的“广告名”，取其意“快”，仅此而已。去找找当年的器件手册和广告看看吧，我在1990年就用过28F256，手册是反复复印了无数遍的，另外还清楚的记得当年刚刚进入大陆的《国际电子商情》上Intel打的Flash EEPROM广告，变体的Flash字样和赛车拖尾突出的就是Flash的字面意义——“快”。当年的Flash不比传统EEPROM容量更大只是容量起点稍高。至于现在的手册中有无EEPROM字样并不重要，非要“较枝”的话，看看内容有无“电可擦除”存储器的说法，至少我随手打开SST的Flash手册上都写的很清楚，不过这些根本就是无意义的皮毛，典型的白马非马论。     至于AVR的地址连续问题是我随手之误，应指68HC系列，但即使如此，就算我没有用过包括AVR在内的任何MCU也跟Flash的性质毫无关系。如果是口头辩论，不错，你抓住了我的一个失误，但和论证的事实却风马牛不相及。     回到主题上来：     1、Flash是否属EEPROM类；     2、是否小容量程序存储器的MCU用传统的EEPROM结构仿真Flash并在手册中声明，注意二者的操作方法是不同的，这是电路设计的不同带来的必然。

发表于 2008-4-17 22:35

这是我用过的第一个程序存储器,容量是2K字节的EPROM(UV擦除),在Z80上用的 后来陆续用过2732,2764,27C64,27C128,27C256,27C512,27C1024... 我还在别人的电路板上看过(自己没用过)2708的芯片,三电压(+12V,+5V,-5V)的EPROM "因Flash工艺的流行，现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为Flash" 这句话应该不是在说我吧? 就算当年INTEL 28FXXX的手册(我也拿过纸本的手册,封面好像是协和号喷射客机)上从头到尾是用FLASH EEPROM这个名词 你有没有想过为何现在没人用这个词了呢?否则你不会现在在网上一个FLASH手册连接都找不出来 那是因为FLASH和EEPROM的先天上的差异越来越大,FLASH已经从EEPROM家族分出来了 现在大家都已经不把FLASH当成EEPROM了,已经独立成一种存储器类别了,包NOR FLASH 和NAND FLASH,中文就叫"闪存"而不叫"闪E方" 而你还抱着20年前的手册来教育别人落伍的说法,也太食古不化,无法与时具进了 1.我之前说过了,勉强算是EEPROM,不过那是10几年前的说法 2.如果如那位总工说的是"仿真FLASH",就是能让你觉得它用起来就像是FLASH 因为字节擦除的EEPROM当然可以仿真成页擦除的FLASH,反之则不行 还有,FLASH擦除时除了正高压外,还比EEPROM多了要提供负压,当然这些电压都是片内生成的 这也就是为何FLASH只适合大容量,否则为了很小的存储空间搞个负压生成电路实在不划算

发表于 2008-4-18 00:07

“2716你知道是什么东西吗？”——不知楼上何意？     好吧，1990年，我用8031设计了通用EPROM复制器，支持从2716—27512……     这样的话还是不要说了，摆资历没什么意思，就算你的资历比我老，但这和主题又有什么关系？     语言特别是技术名词必须严格定义，习惯也是有默认前提的，平时我们讲话说某某开辆吉普而决不会说某某开辆吉普汽车，能因此否认“吉普”是汽车吗？在语境中，说开吉普是强调这种汽车的特性而且可以简化语言，说Flash或闪存也是强调它和传统EEPROM的不同且也简化了语言，但在概念上，Flash的本质依然是电（E）可擦除（E）可编程（P）只读（RO）存储器（M），除非你能说明它的工作原理不是这样，正如吉普是汽车的一种。     这不是文字游戏，而是逻辑，想推翻它先推翻整个逻辑体系。     “总工”的意思或者说某网友转述该总工的意思“单片机内的都是eeprom，flash都是仿真的”其实质我在前面已经讲过了（Flash＝Program Memory），在Memory设计中，Flash和传统EEPROM的单元结构及地址构架方法根本不同，二者都不存在互相“仿真”的问题，所谓的“仿真”、“模拟”我在前面也提过是纯粹的商业行为，在技术上是不严谨的。某总工（其实21IC的网友很多都跟他打过交道，算是知名人士）近年来一直宣称，其推的某系列MCU带有Flash和EEPROM，甚至在手册中也都这么写，也有不少人认可，其实不过是利用IAP功能来读写Flash程序存储器，在技术上性质和楼上的认识事实上是完全相同的，虽然楼上并不承认其“仿真”方向，不过这个总工的言论已经在事实上否定了另一个总工的言论。     严格按逻辑讲，平时所说Flash和EEPROM的严谨称法应为Flash EEPROM和传统（或常规）EEPROM，二者均是EEPROM集合的真子集，但日常生活中没人愿意这么麻烦，所以各有特指，这么称呼符合人们的语言表述习惯，但如果否认Flash是EEPROM的一种这就不是用“习惯”可以搪塞的了，此时的EEPROM在语言上的内涵已不再是“传统EEPROM”而是EEPROM集合。     得，改讲逻辑学和语言学了。

发表于 2008-4-18 08:54

在这玩文字游戏或语言学或逻辑学都没有用的 就算20年前的数据手册上有这么写,那也是因为那时人们还不知道FLASH为何物,不得不在FLASH后加上EEPROM来让人知道是它一种类似E方的存储器 并不代表FLASH EEPROM就是正确的全称,后来全世界公认正确的全称是FLASH MEMORY(闪存) 结果你还紧咬着这一点,连WIKI百科说的都没你说的对,其他FLASH大厂的手册也都没你一个人说的正确 我打字慢,平时也少发言,只是在首页看到加精的帖居然把FLASH的全称说成是FLASH EEPROM这种严重错误才回帖的 &gt&gt 我在1990年就用过28F256 这是谁先在摆资历? 我之所以提到我用过2716...等EPROM当程序存储器是因为你说 "现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为Flash" 目的就只是强调这种错误不可能生在我身上 &gt&gt Flash和传统EEPROM的单元结构及地址构架方法根本不同,二者都不存在互相“仿真”的问题 你既然知道28系列是EEPROM,那问你一个问题,2816或2864可不可以当程序存储器来替代2716或2764用?

发表于 2008-4-18 10:12

其实第一个问题不用太过争论，叫flash 还是flash eeprom，只要大家理解两者的不同就可以了。 第二个问题有必要深入探讨一下。 我想那个总工的意思可能就是下面讲的吧。"用eeprom仿真flash",可能原话不是 这么讲的，但是他的意思是目前常见的单片机内部用的都是eeprom. 4. 由EEPROM派生的闪速存储器     EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：(1)读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。(2)与EEPROM比较，具有明显的成本优势。(3)存储密度比 EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。     Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。     DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。

发表于 2008-4-18 10:52

芯片厂商的正式宣传资料和供求信息中，确实很多用Flash eeprom这种说法来指flash memory。 可用关键字“英特尔 flash eeprom”搜索一下。 其实，电子方面的很多名词都在沿革和发展。 另，没听说过在讨论专业问题时以WIKI百科为准的。它本身就是科普性质。 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ 27楼不妨发邮件找那个总工证实一下，他的准确说法。

发表于 2008-4-18 12:23

照你的关键字,我还搜出FLASH EPROM这种更明显的错误名词 就算FLASH可以算是一种EEPROM,现在也不能说FLASH的全称是FLASH EEPROM,毕竟现在FLASH正式的全称是FLASH MEMORY(闪存) --------------------------------------------------- 问题可能在于,可能真如27楼说的是小扇区结构闪速存储器,是介于FLASH和EEPROM中间的产品 MCU原厂数据手册上说他们的存储器是FLASH,可是那位总工的认定那是EEPROM,不能算是FLASH

发表于 2008-4-18 17:19

先看EEPROM的定义，再看Flash的工作原理，最后套用典型的逻辑推理过程，这是科学方法认知事物的基本手段。     “你既然知道28系列是EEPROM,那问你一个问题,2816或2864可不可以当程序存储器来替代2716或2764用?”——莫名奇妙，离题十万八千里。     “问题可能在于,可能真如27楼说的是小扇区结构闪速存储器,是介于FLASH和EEPROM中间的产品”——定义必须基于逻辑和公知，否则争论只是留于口舌之利。      国人论是，彼此相轻，各言各说，徒劳无意。      想弄清事物的本来面目，从基础逻辑开始。

发表于 2008-4-18 19:24

&gt&gt 首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的多数Flash手册上也是这么标明的 这句话有问题,可否请Chunyang版主给个连接,看看现在还有那个Flash手册里有用FLASH EEPROM这个名词 我这个问题问了很多次了,"现在的多数Flash手册上也是这么标明的"也是你说的 现在一天都过去了,你到现在还没给半个Flash手册的连接,只在那边说什么结构,原理,基础的.. 如果你还是找不到,就承认FLASH现在的全称不是FLASH EEPROM,把12楼的标题改一下,以免误导别人 -------------------------------------- 我问2816在不考虑成本下,可不可以替代2716,是或否,就一个字,也不回答 那再问得实际一点,你用过的8031是ROMLESS版的51,外部要接一个程序存储器,一般是用EPROM或OTP 如果想在将来线升级你的程序,当然也可以外接你用过的28F256,只是现在已经不容易买不到那么小的FLASH了 但如果程序很小,不到2K,不想浪费那么多空间,可不可以用2816或2864当程序存储器? 还可不可以用2816或2864最后程序没用到几个字节的EEPROM来存序列号或其它需要修改的参数? 如果这两个问题的答案是肯定的,那MCU用EEPROM来同时做为MCU程序存储器和数据存储器就不是问题了

发表于 2008-4-18 20:03

我不会单片机,请问,是不是可以这样理解? 1EEPROM用来存放机器的基本程序 2FLASH用来做掉电保持 说错了不要扁我啊,呵呵, 我只是个维修工

发表于 2008-4-18 20:11

发表于 2008-4-18 21:50

根据基本逻辑推理规则，设集合A，A的特性包括n个要素，现有集合或元素B，判断B与A的关系，故有：若B具有n，则B是A的子集。    A＝EEPROM，B＝Flash，n＝（E电，E可擦除，P可编程，R读，O只，M存储器）。     这是我说Flash是EEPROM的一种的原因，我不断的重复，kl818bc对此视而不见，顾左右而言它，难道不是避重就轻吗？     在此用逻辑语言再描述一遍，如果各位认为我的以上推理有问题，那么请指出。辩论要有共同认知的基础，我的基础是逻辑，如果这个基础不是共同的，我将不再就此多言。     想到前段时间的另一场辩论：中医是否是科学，结果自然是谁也说服不了对方，何其相似啊……缺的只是一个共同的认知基础。     应kl818bc的要求贴张图。

发表于 2008-4-18 22:52

&gt&gt FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同  FLASH现在正确的全称不是"FLASH EEPROM",是"FLASH MEMORY" 这是我要你改正的 http://www.sst.com/downloads/datasheet/S71150.pdf 这的和你贴出的图是同一个产品,只不过你的是5V的旧版本 只不过我看了看PDF本文前几页,就是没看到有说SST39xF040是EEPROM的描述 至于你看到的那个Flash EEPROM Pinout and command sets这几个字,只是说这个产品 是符合或依循 JEDEC 标准的 Flash 和 EEPROM 的 管脚定义(Pinout) 和 编程命令集(command sets) 可以直接取代Flash 和EEPROM ,并没说这个产品是Flash EEPROM 或 EEPROM 各位看得懂英文的网友可以来说说看谁的说法对 &gt&gt 这是我说Flash是EEPROM的一种的原因，我不断的重复，kl818bc对此视而不见，顾左右而言它 我早就有承认Flash算是EEPROM的一种,各位可以看看我19楼的申明和更正 反而是Chunyang到现在还拿不出有公信力的证据,也一直不肯承认错误

发表于 2008-4-22 11:00

发表于 2008-4-22 14:13

一般人对律师的印象不太好,我还是喜欢当工程师 再举一个上面Chunyang说过的例子(前天在卧铺大巴上想到的): 吉普(FLASH) 是 汽车(EEPROM) 的一种,单然也是 车(MEMORY) 的一种 一般简称为 吉普(FLASH) 或是用全称 吉普车(FLASH MEMORY) 但是一般正常人不会,也不需要把它说成是 吉普汽车(FLASH EEPROM)

发表于 2008-5-19 16:11

楼上解释的太好了 eeprom的原理和flash（mcu）程序存储器原理看看就知道了，都是浮栅电子的注入和擦除。工艺上各个厂家都不一样，目前我还没发现有norfalsh和eeprom一起做的，貌似成本太高了，工艺不兼容。所以怀疑总工说的小容量的flash和eeprom是一种结构具体是eeprom还是都是flash就不知道。当不会是一般的eeprom，他的制造面积太大了，sst的flash面积是小。不知道做成小容量是怎么样的，没看过小容量的技术资料。（32k的面积大约是0.98mm2.。25um的工艺，eeprom。35工艺的2k大约2x1 mm2。

发表于 2008-6-6 15:39

好，科学要严谨！！

发表于 2008-6-9 10:27

无论最后答案是什么，你们两个都是好样的 另外最好张一刀同学能跟那位总工联系联系，看看他的观点和论据 俺搬个马扎学习呵呵

发表于 2008-6-9 11:19

关于单片机中的flash和eeprom

Chunyang版主请进

最早的Flash是28F系列

2716你知道是什么东西吗?

楼上开始意气用事了

请先找出现在那一个Flash手册还有用Flash EEPROM这个词的

flash 的实质问题

随便google了一下

GOOGLE出来的比WIKI更不具意义

不要避重就轻，否则争论毫无意义

谁在避重就轻?

学习了

评论

哈哈楼上你刚好说反了

不知道kl818bc要我回答的问题跟主题何干？

是和主题无关,不过和你12楼的标题有关

kl818bc 最好去当律师，做工程师对你的辩才来说是浪费

当律师? 这是恭维还是讽刺?

我也来说说

好，科学要严谨！！

顶kl818bc和chunyang

好久没看到这么好的帖子拉

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