关于NMOS高侧驱动，为什么很少用升压IC？谢谢

发表于 2019-6-15 18:30

为什么很多NMOS高侧驱动电路都用自举电路或专用驱动芯片呢？
一般60以下的直流升压，还是很容易的嘛。升压芯片也便宜，简单。如果多路NMOS高侧驱动，用升压电源IC就更有优势了。特别是大电流的场合，NMOS比PMOS更有优势，导通电阻小，替代型号多容易采购，便宜。

谢谢！

发表于 2019-6-15 18:36

这里是把NMOS当开关用，带负载。

发表于 2019-6-16 20:50

对电路有危害，如开关电压是300V，你就必须升压到315V，当开关管输出在100V的时候，反而需要在Vgs进行限压，否则就会被自杀，而专用电路或自举电容的参考地是S极性，对于整个电路的负是浮动的，但是针对VGS却是固定的，不会造成过压，基本就是那个样子的

发表于 2019-6-17 09:45

升压?
60V升压到75？注意高边驱动和低侧的区别，低侧就是15V，高边驱动如果采用全电压，则驱动部分得全部不一样，而采用浮栅则只需要一个电平平移，输出部分和低侧完全等效。这在芯片设计里面的意义差别大了去了。
浮栅驱动的话。何况60V级别的升压芯片本身就不便宜，怎么能抵得过浮栅驱动的成本呢？高压的就更别说了。

发表于 2019-6-18 14:22

tianxj01 发表于 2019-6-17 09:45
升压?
60V升压到75？注意高边驱动和低侧的区别，低侧就是15V，高边驱动如果采用全电压，则驱动部分得全部不 ...

TKS。
比如说车载12V、24V，多路MOS管输出控制。
以前一直用PMOS，导通电阻确实较大（相对NMOS），现在想改成NMOS，多路控制。
12V升压到22V， 24V升压到34V都很容易，很便宜。

发表于 2019-6-18 14:36

汽车电子发表于 2019-6-18 14:22
TKS。
比如说车载12V、24V，多路MOS管输出控制。
以前一直用PMOS，导通电阻确实较大（相对NMOS），现在 ...

对于那种静态多路MOS控制，而非PWM模式，那么采用升压驱动N MOS管开关，是个不错的选择，当采用桥式时候，一般会采用专用驱动线路，比如电动车控制器里面的驱动线路，和一些专用的门极驱动芯片，这时候就必须采用浮栅模式，而不是升压了。
我们讨论的上臂驱动，多指MOS PWM桥，而非指静态多路开关。

关于NMOS高侧驱动，为什么很少用升压IC？ 谢谢

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