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图腾柱电路驱动MOSFET问题。

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叶春勇 发表于 2019-6-24 14:32 | 显示全部楼层
初级三极管，悬空，有上拉电阻，你这个悬空就是导通的。
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 楼主| lysfht123 发表于 2019-6-24 14:46 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:32
初级三极管，悬空，有上拉电阻，你这个悬空就是导通的。

是的，我犯了眼高手低的毛病。
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叶春勇 发表于 2019-6-24 14:58 | 显示全部楼层
lysfht123 发表于 2019-6-24 14:46
是的，我犯了眼高手低的毛病。

国产EG3001或eg3002，专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件，没时间直接上驱动芯片，也不贵。
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评论

zlf1208
对初学的，折腾一下能学到东西  发表于 2020-11-17 14:31
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 tianxj01 于 2019-6-24 15:22 编辑
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:58
国产EG3001或eg3002，专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件，没时间直接上驱动芯片，也不贵。 ...


我更欣赏他们的EG2131 2132，性价比超高，进口的直接就别玩了，关键是1充1.5A放的MOS驱动，可以做单路双路、或者变压器、浮栅驱动。采购价0.5不到，基本上无敌了。你提起的隔离电源，这个来驱动那是轻轻松松。
尤其是MOS输出的驱动，比用晶体管的，栅极波形好的一塌糊涂。
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叶春勇 发表于 2019-6-24 15:31 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:19
我更欣赏他们的EG2131 2132，性价比超高，进口的直接就别玩了，关键是1充1.5A放的MOS驱动，可以做单路双 ...

EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短路。
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tianxj01 发表于 2019-6-24 15:39 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:31
EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短 ...

我的东西，驱动就直接输出就行，短路什么的，都交给核心部分来完成，整体来说，器件节省了，成本有效压缩，效果一样。所以只考察通道能力和应用环境。
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tianxj01 发表于 2019-6-24 15:44 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:31
EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短 ...

我发现3002吧，非常合适做自己搭的IGBT驱动，再加个饱和压降检测，直接送VCP就搞定了，这个不错.......
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叶春勇 发表于 2019-6-24 15:48 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:39
我的东西，驱动就直接输出就行，短路什么的，都交给核心部分来完成，整体来说，器件节省了，成本有效压缩 ...

说的也是，希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技，lrc的分立元器件质量都是可以的，批量用过，不良率至少是1000ppm以下
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tianxj01 发表于 2019-6-24 15:53 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:48
说的也是，希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技，lrc的分立元器件质量都是可以的 ...

EG3002  它这个VCP共模范围大于VCC，非常合适需要负压供电的IGBT驱动来进行饱和压降检测保护。
一般IGBT是没法再用采样电阻喽，只能通过饱和压降来检测负载短路，实现保护。
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叶春勇 发表于 2019-6-24 16:34 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:53
EG3002  它这个VCP共模范围大于VCC，非常合适需要负压供电的IGBT驱动来进行饱和压降检测保护。
一般IGBT ...

这个vce检测你看如何

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tianxj01 发表于 2019-6-24 16:40 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 16:34
这个vce检测你看如何

就是这样玩的，当电压低时候，采用肖特基，则一个很小的电容，来对抗肖特基寄生电容造成的耦合尖峰，然后，这个拉低的点，就可以直接送VCP，超过VCP预置电压，则输出直接咔嚓，这样的检测，看似多了几个器件，关键是少了电流采样，而且还能准确判定VDS，可靠性不比电流检测的短路侦测来的低。
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 楼主| lysfht123 发表于 2019-6-24 16:50 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:58
国产EG3001或eg3002，专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件，没时间直接上驱动芯片，也不贵。 ...

这么巧，我之前就选好了屹晶微的2片EG3012做H桥，现在学一下基本的知识。选的EG1182做DC-DC降压（已完成）。
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 楼主| lysfht123 发表于 2019-6-24 17:03 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:48
说的也是，希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技，lrc的分立元器件质量都是可以的 ...

国产很多芯片都不错，原来我用的可控硅TG35C60日本三社的26块钱，坏的不少。后来换成了JST41Z，捷捷微的，6块钱，18年一整年坏了不超过3个，唯一缺点是购买数量和渠道。一次要定一箱。
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叶春勇 发表于 2019-6-24 17:10 | 显示全部楼层
lysfht123 发表于 2019-6-24 17:03
国产很多芯片都不错，原来我用的可控硅TG35C60日本三社的26块钱，坏的不少。后来换成了JST41Z，捷捷微的 ...

目前交流方面接触不多，都是买成品固态继电器，一般都是恒温系统用。以后想你学习。
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 楼主| lysfht123 发表于 2019-6-25 08:11 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 17:10
目前交流方面接触不多，都是买成品固态继电器，一般都是恒温系统用。以后想你学习。 ...

客气了，通过这次学习，我的硬件水平及其不行，基础知识需要恶补了。
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xiaoyuanguo 发表于 2020-4-28 12:02 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-24 16:34
这个vce检测你看如何

问一下你这个mos ds检测，因为mos开启需要时间，有没有可能当io1为高的时候，mos还没来得及开启，比较器判断D？后面那一点为高，直接就把输出关闭了
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大赢家 发表于 2020-5-7 13:57 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-6-19 09:36
下图是，美国国防部编写军用电路设计手册，其中可靠性设计指引提到了用二极管取保护晶体管，对mos管同样适 ...

牛人，能弄到国防部的电路设计手册
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大赢家 发表于 2020-5-7 14:07 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:19
我更欣赏他们的EG2131 2132，性价比超高，进口的直接就别玩了，关键是1充1.5A放的MOS驱动，可以做单路双 ...

这两个好用吗？没有用过
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tianxj01 发表于 2020-5-10 08:21 | 显示全部楼层
大赢家 发表于 2020-5-7 14:07
这两个好用吗？没有用过

我正在批量应用，中压（300V）范围半桥驱动直接就是无敌，没有任何一款可以对抗这芯片。
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xiaoyuanguo 发表于 2020-5-11 09:08 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2020-5-10 08:21
我正在批量应用，中压（300V）范围半桥驱动直接就是无敌，没有任何一款可以对抗这芯片。 ...

eg2104也不错，带sd功能。而且拉2A灌2.5A，比其他的国产2104好多了，直接替换ir2104，采购价也就1块多一点。
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