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图腾柱电路驱动MOSFET问题。

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楼主: lysfht123
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初级三极管,悬空,有上拉电阻,你这个悬空就是导通的。

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lysfht123|  楼主 | 2019-6-24 14:46 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:32
初级三极管,悬空,有上拉电阻,你这个悬空就是导通的。

是的,我犯了眼高手低的毛病。

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叶春勇| | 2019-6-24 14:58 | 只看该作者
lysfht123 发表于 2019-6-24 14:46
是的,我犯了眼高手低的毛病。

国产EG3001或eg3002,专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件,没时间直接上驱动芯片,也不贵。

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zlf1208 2020-11-17 14:31 回复TA
对初学的,折腾一下能学到东西 
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tianxj01| | 2019-6-24 15:19 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2019-6-24 15:22 编辑
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:58
国产EG3001或eg3002,专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件,没时间直接上驱动芯片,也不贵。 ...


我更欣赏他们的EG2131 2132,性价比超高,进口的直接就别玩了,关键是1充1.5A放的MOS驱动,可以做单路双路、或者变压器、浮栅驱动。采购价0.5不到,基本上无敌了。你提起的隔离电源,这个来驱动那是轻轻松松。
尤其是MOS输出的驱动,比用晶体管的,栅极波形好的一塌糊涂。

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叶春勇| | 2019-6-24 15:31 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:19
我更欣赏他们的EG2131 2132,性价比超高,进口的直接就别玩了,关键是1充1.5A放的MOS驱动,可以做单路双 ...

EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短路。

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tianxj01| | 2019-6-24 15:39 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:31
EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短 ...

我的东西,驱动就直接输出就行,短路什么的,都交给核心部分来完成,整体来说,器件节省了,成本有效压缩,效果一样。所以只考察通道能力和应用环境。

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tianxj01| | 2019-6-24 15:44 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:31
EG3002简单的进行电流保护。
轻松增加端口的耐短路能力。提高产品质量。
我设计功率驱动电路一般都考虑短 ...

我发现3002吧,非常合适做自己搭的IGBT驱动,再加个饱和压降检测,直接送VCP就搞定了,这个不错.......

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叶春勇| | 2019-6-24 15:48 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:39
我的东西,驱动就直接输出就行,短路什么的,都交给核心部分来完成,整体来说,器件节省了,成本有效压缩 ...

说的也是,希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技,lrc的分立元器件质量都是可以的,批量用过,不良率至少是1000ppm以下

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tianxj01| | 2019-6-24 15:53 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:48
说的也是,希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技,lrc的分立元器件质量都是可以的 ...

EG3002  它这个VCP共模范围大于VCC,非常合适需要负压供电的IGBT驱动来进行饱和压降检测保护。
一般IGBT是没法再用采样电阻喽,只能通过饱和压降来检测负载短路,实现保护。

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叶春勇| | 2019-6-24 16:34 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:53
EG3002  它这个VCP共模范围大于VCC,非常合适需要负压供电的IGBT驱动来进行饱和压降检测保护。
一般IGBT ...

这个vce检测你看如何

VCE检测.png (37.7 KB )

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tianxj01| | 2019-6-24 16:40 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 16:34
这个vce检测你看如何

就是这样玩的,当电压低时候,采用肖特基,则一个很小的电容,来对抗肖特基寄生电容造成的耦合尖峰,然后,这个拉低的点,就可以直接送VCP,超过VCP预置电压,则输出直接咔嚓,这样的检测,看似多了几个器件,关键是少了电流采样,而且还能准确判定VDS,可靠性不比电流检测的短路侦测来的低。

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lysfht123|  楼主 | 2019-6-24 16:50 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 14:58
国产EG3001或eg3002,专门驱动mos的。如果有时间可以折腾分立元件,没时间直接上驱动芯片,也不贵。 ...

这么巧,我之前就选好了屹晶微的2片EG3012做H桥,现在学一下基本的知识。选的EG1182做DC-DC降压(已完成)。

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lysfht123|  楼主 | 2019-6-24 17:03 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 15:48
说的也是,希望国产元器件崛起。提高质量。搞设计也轻松。
现在长电科技,lrc的分立元器件质量都是可以的 ...

国产很多芯片都不错,原来我用的可控硅TG35C60日本三社的26块钱,坏的不少。后来换成了JST41Z,捷捷微的,6块钱,18年一整年坏了不超过3个,唯一缺点是购买数量和渠道。一次要定一箱。

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叶春勇| | 2019-6-24 17:10 | 只看该作者
lysfht123 发表于 2019-6-24 17:03
国产很多芯片都不错,原来我用的可控硅TG35C60日本三社的26块钱,坏的不少。后来换成了JST41Z,捷捷微的 ...

目前交流方面接触不多,都是买成品固态继电器,一般都是恒温系统用。以后想你学习。

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lysfht123|  楼主 | 2019-6-25 08:11 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 17:10
目前交流方面接触不多,都是买成品固态继电器,一般都是恒温系统用。以后想你学习。 ...

客气了,通过这次学习,我的硬件水平及其不行,基础知识需要恶补了。

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xiaoyuanguo| | 2020-4-28 12:02 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-24 16:34
这个vce检测你看如何

问一下你这个mos ds检测,因为mos开启需要时间,有没有可能当io1为高的时候,mos还没来得及开启,比较器判断D?后面那一点为高,直接就把输出关闭了

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大赢家| | 2020-5-7 13:57 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-6-19 09:36
下图是,美国国防部编写军用电路设计手册,其中可靠性设计指引提到了用二极管取保护晶体管,对mos管同样适 ...

牛人,能弄到国防部的电路设计手册

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大赢家| | 2020-5-7 14:07 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-6-24 15:19
我更欣赏他们的EG2131 2132,性价比超高,进口的直接就别玩了,关键是1充1.5A放的MOS驱动,可以做单路双 ...

这两个好用吗?没有用过

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tianxj01| | 2020-5-10 08:21 | 只看该作者
大赢家 发表于 2020-5-7 14:07
这两个好用吗?没有用过

我正在批量应用,中压(300V)范围半桥驱动直接就是无敌,没有任何一款可以对抗这芯片。

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xiaoyuanguo| | 2020-5-11 09:08 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2020-5-10 08:21
我正在批量应用,中压(300V)范围半桥驱动直接就是无敌,没有任何一款可以对抗这芯片。 ...

eg2104也不错,带sd功能。而且拉2A灌2.5A,比其他的国产2104好多了,直接替换ir2104,采购价也就1块多一点。

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