关于N76E003的FLASH保存需要修改几十万次掉电数据的问题讨论
最近要做一个项目，由于成本考虑，就选择了N76E003。这个项目有几个数据需要掉电保存，而且会被修改几十万次，我对cpu的FLASH做了一些规划保存的方案，各位帮忙看看可行不？
我保存的数据大概在4个左右，所以我把就准备把FLASH的最小页128Byte分成32Byte一个单元，总共4个单元；
每个单元32byte保存我的数据格式为：
byte 01：0xA5
byte 02：0x5A
byte 03：本页FLASH擦除次数（高位）
byte 04：本页FLASH擦除次数（低位）
byte 05~08：数据1(第一遍)+数据2(第一遍)+数据3(第一遍)+数据4(第一遍)
byte 09~12：数据1(第二遍)+数据2(第二遍)+数据3(第二遍)+数据4(第二遍)
byte 13~16：数据1(第三遍)+数据2(第三遍)+数据3(第三遍)+数据4(第三遍)
byte 17~20：数据1(第四遍)+数据2(第四遍)+数据3(第四遍)+数据4(第四遍)
byte 21~24：数据1(第五遍)+数据2(第五遍)+数据3(第五遍)+数据4(第五遍)
byte 25~28：数据1(第六遍)+数据2(第六遍)+数据3(第六遍)+数据4(第六遍)
byte 29~32：数据1(第七遍)+数据2(第七遍)+数据3(第七遍)+数据4(第七遍)
比如从8K地址（0X2000）~16K地址（0x4000）为保存数据的FLASH空间，那么从0x2000开始的第一个FLASH最小页128byte先擦除，然后把数据写入128byte中的第一个单元（1~32byte），当数据有修改的时候，保存到这个页FLASH的第二个单元（33~64byte），以此类推，一直到保存到第四个单元（也就是87~128byte）后，再有数据修改，就把这页FLASH擦除，再从第一个单元开始写（因为擦除后，所有的byte都变成了0xFF，我对前面32byte写，不会影响后面FLASH内的数据，后面FLASH的数据还是保持0XFF，所以第二次可以再对后面的数据进行写）。当这页FLASH被反复擦写达到5000次（由于一页FLASH被分成4个单元，相当于有效数据被修改了5000*4=20000次），就抛弃这一页，换成下一页的128Bye进行数据保存。（如果5000次内有发现数据的第一遍和第七遍中有不一致的，说明有对应的bit有损坏，直接跳转到下一页保存数据，即便知道有损坏了，由于我是保存了7遍，把不对的剔除掉还是比较容易的，使用比较的方式，把相等数据最多的那个数作为正确数据的正确性应该可以达到95%吧，呵呵）
0x2000~0x4000之间总共有64页，一页对应的可以保存20000次数据，64页就可以保存64*20000=128万次。
各位高人，觉得我的思路可行吗？提一下意见，大家讨论一下。 |
楼主
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如果5000次内有发现数据的第一遍和第七遍中有不一致的，说明有对应的bit有损坏。你存的本来就是修改数据怎么通过判断数据不一致，来断定数据有损坏。如果数据是不变的，就没有存储这么多次的意义，如果是变的，那前后数据肯定就会不一样。这里我没看明白，麻烦解释一下。