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请教下通过光耦的波形为什么失真了呢？

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楼主
lunsen|  楼主 | 2019-7-5 18:59 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
光耦, AC, pi, PWM波, 波形失真
光耦转换电路原理图如图所示：
其中，EMSW1脚接MCU给出PWM波；然后通过示波器测试U17的PIN2脚和PIN3脚的波形，分别如下面所示：
PIN2脚的波形：

PIN3脚的波形：
请问大神们，什么原因导致经过光耦后波形失真了呢？谢谢了呀。

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lunsen 2019-7-11 16:55 回复TA
这个电路，高频波形比较差，小于1K的频率时，波形输出还可以。 

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沙发
maychang| | 2019-7-5 19:19 | 只看该作者
本帖最后由 maychang 于 2019-7-5 19:22 编辑

该光耦3脚和4脚之间是个光电三极管，此三极管导通快而关断慢。另外，MOS管门极是个相当大的电容(包括米勒电容)，此电容充电靠光耦内三极管导通，放电却只能靠R130，而R130又用到那么大。

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板凳
lunsen|  楼主 | 2019-7-6 14:17 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-7-5 19:19
该光耦3脚和4脚之间是个光电三极管，此三极管导通快而关断慢。另外，MOS管门极是个相当大的电容(包括米勒电 ...

您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？

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地板
maychang| | 2019-7-6 14:50 | 只看该作者
lunsen 发表于 2019-7-6 14:17
您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？

减小R130数值，可以改善波形，但作用不大。
三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所以R130即使减小到数百欧姆，仍然比光耦内三极管饱和导通电阻要大得多，至少大一个数量级。
可以加一支二极管和一支三极管来使MOS管电容放电。且待我把图画出来再贴出到本帖。

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5楼
maychang| | 2019-7-6 15:13 | 只看该作者
lunsen 发表于 2019-7-6 14:17
您的意思是改变R130电阻的值可以改善波形对吧？


此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

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6楼
xing650721| | 2019-7-7 00:34 | 只看该作者
mos功率管的栅极电容往往被人忽略，这样关断特性会很差，mos管上的功耗会大很多的

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7楼
叶春勇| | 2019-7-7 20:52 | 只看该作者
搬板凳学习

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8楼
xaorry| | 2019-7-8 08:26 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

张哥，这是哪份资料看到的，可以推荐一下吗，谢谢。

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9楼
yangbinge| | 2019-7-8 08:30 | 只看该作者
MOS  输入电容，影响开关速度

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10楼
xch| | 2019-7-8 08:52 | 只看该作者
TLP2958_datasheet_en_20151130.pdf (234 KB)
换个类似光耦就行。

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11楼
wape271| | 2019-7-8 08:56 | 只看该作者
是否愿意用两个光耦，当然成本高些

搜狗截图20190708085449.png (21.69 KB )

搜狗截图20190708085449.png

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12楼
lunsen|  楼主 | 2019-7-8 17:01 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

好的，学习了，谢谢了呀。

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13楼
lunsen|  楼主 | 2019-7-8 17:26 | 只看该作者
xch 发表于 2019-7-8 08:52
换个类似光耦就行。

要是换TLP293可以吗？

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14楼
xch| | 2019-7-8 18:25 | 只看该作者
lunsen 发表于 2019-7-8 17:26
要是换TLP293可以吗？

不行。只有推挽输出的可以用。

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15楼
caoenq| | 2019-7-9 16:09 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

高手就是高手，不服高人有罪。

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16楼
zyj9490| | 2019-7-9 17:06 | 只看该作者
充电常数与放电常数不相符，放电常数太大，加一级驱动PP即可，或下拉电阻降低成1K，可改良下降速率。低成本方案，或是用数字光耦。

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17楼
fswyt| | 2019-7-10 09:21 | 只看该作者
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

请问下，PNP三极管的E级和MOS管的G级间不需要串个小电阻吗？

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18楼
maychang| | 2019-7-10 09:33 | 只看该作者
fswyt 发表于 2019-7-10 09:21
请问下，PNP三极管的E级和MOS管的G级间不需要串个小电阻吗？

MOS管门极输入处串联小电阻，目的有二：
一、预防寄生参数引起振荡。
二、限制门极电流上升下降速度，减少干扰。
其中第二项是主要的。
如果前级到MOS管门极联接线很短，门极电流突变对外界影响不大，可以不使用这个电阻。

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19楼
lunsen|  楼主 | 2019-7-10 10:11 | 只看该作者
xch 发表于 2019-7-8 18:25
不行。只有推挽输出的可以用。

好的，那这种4PIN封装的推挽输出的楼主可以推荐几款吗？谢谢了。

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评论
xch 2019-7-10 18:26 回复TA
@lunsen ：楼下回答了 
lunsen 2019-7-10 13:34 回复TA
@xch ：不好意思，打错了，应该是层主。 
xch 2019-7-10 11:05 回复TA
你自己不就是楼主吗？ 
20楼
tianxj01| | 2019-7-10 14:20 | 只看该作者
lunsen 发表于 2019-7-10 10:11
好的，那这种4PIN封装的推挽输出的楼主可以推荐几款吗？谢谢了。

对不起，就没有4Pin封装的推挽线路，你自己算算，脚不够了。

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