先把原图贴在这里。
原图可以等效于下图。图中开关K表示光耦,电容C表示MOS管输入电容(包括米勒电容)。
当开关K闭合,Vcc通过二极管D对C充电。因为二极管D正向导通时电阻很小,故电容C迅速充电。当然此时Vcc也通过电阻R产生电流,但因R较大,流经R的电流比较小。如果Vcc为10V,R为2千欧,那么流过R的电流是5mA。实际上R还可以再大一些。
开关K断开时,二极管D反向,电容C所储存电荷经三极管T发射结放电,流过电阻R的是三极管的基极电流,但因三极管集电极电流远比基极电流为大,大到数十倍以上,所以C储存的电荷迅速经三极管T放掉,远比经电阻R放电要快得多。之所以放电快,完全是因为三极管T的电流放大作用。
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