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请教下通过光耦的波形为什么失真了呢？

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jackyhuang1988 发表于 2019-7-11 10:10 | 显示全部楼层

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lunsen
经测试，这个改法不行哦。  发表于 2019-7-11 14:16
 楼主| lunsen 发表于 2019-7-11 11:01 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

按照这个电路改进后，当R=1K的时候，光耦输出波形如下：当R=510R的时候，光耦输出波形如下：
当R=120R的时候，光耦输出波形如下：
不知怎么再进行改进，请赐教，谢谢。

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maychang 发表于 2019-7-11 11:29 | 显示全部楼层
lunsen 发表于 2019-7-11 11:01
按照这个电路改进后，当R=1K的时候，光耦输出波形如下：当R=510R的时候，光耦输出波形如下：
当R=120R的 ...

没有查到首帖图中光耦型号的说明书。
你用的是什么光耦？最好把说明书贴出来。
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 楼主| lunsen 发表于 2019-7-11 13:52 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-11 11:29
没有查到首帖图中光耦型号的说明书。
你用的是什么光耦？最好把说明书贴出来。 ...

规格书请见附件，谢谢。

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xmar 发表于 2019-7-11 14:28 | 显示全部楼层
改用高速光耦6N137
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maychang
@xmar ：1us也比楼主选用的这种光耦快一个数量级以上了。楼主的这种光耦上升下降时间达18us。一个数量级，应该说改善很多了。6N137当然更快，但要加放大才能够驱动功率MOS管，放大电路要求的速度不低，这对楼主恐怕也是有些困难的事情。  发表于 2019-7-11 14:56
xmar
@maychang ：6N137工作电压不超过7V，是个问题。可速度很快：TPLH、TPHL达45ns，而6N136速度慢很多差不多只有1us。  发表于 2019-7-11 14:49
maychang
6N137电源电压只允许用到5V，不足以驱动功率MOS管。还是使用6N135、6N136为是，电源电压允许15V。  发表于 2019-7-11 14:35
maychang 发表于 2019-7-11 14:32 | 显示全部楼层
lunsen 发表于 2019-7-11 13:52
规格书请见附件，谢谢。

22楼波形，应该说算是不错的了。
该型号光耦上升时间和下降时间均达到18us，22楼尤其是最后一幅图中波形周期为100us，上升和下降时间大致上符合datasheet中所述。



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maychang 发表于 2019-7-11 14:37 | 显示全部楼层
lunsen 发表于 2019-7-11 13:52
规格书请见附件，谢谢。

你选用的这个光耦型号，速度不够快，也就只能工作到这个频率，得到这样的上升下降沿。
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 楼主| lunsen 发表于 2019-7-11 14:37 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-11 14:32
22楼波形，应该说算是不错的了。
该型号光耦上升时间和下降时间均达到18us，22楼尤其是最后一幅图中波形 ...

您仔细看下波形，当电阻小波形好的时候，输出的电压很小了，这个无法打开下级MOS了，感觉这样也不是很对了。
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maychang 发表于 2019-7-11 14:40 | 显示全部楼层
lunsen 发表于 2019-7-11 14:37
您仔细看下波形，当电阻小波形好的时候，输出的电压很小了，这个无法打开下级MOS了，感觉这样也不是很对 ...

是的。这个型号的光耦，也就只能这样了。
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garin223 发表于 2019-7-11 17:15 | 显示全部楼层
这个关断时间慢，主要有三个方面引起：
1，光耦的关断延迟时间 tf， 有datasheet可知，是18us;
2, MOS管的输入电容，Cin, 有datasheet可知，是2.98nF，配合你的放电电阻10k, 延迟时间为48us;
3, 走线layout引起的电容，
如果你想改善这个波形，可以考虑C极输出，还有在MOS的门极上增加快速放电电路。
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 楼主| lunsen 发表于 2019-7-12 09:14 | 显示全部楼层
garin223 发表于 2019-7-11 17:15
这个关断时间慢，主要有三个方面引起：
1，光耦的关断延迟时间 tf， 有datasheet可知，是18us;
2, MOS管的 ...

请教快速放电电路有何推荐，谢谢。
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tianxj01 发表于 2019-7-12 10:41 | 显示全部楼层
lunsen 发表于 2019-7-12 09:14
请教快速放电电路有何推荐，谢谢。

换光耦，或者增加MOS驱动芯片，国产的双通道才0.5左右，反正你这边必须是有源的，所以增加驱动芯片没额外负担，而且增加驱动芯片后，根据光耦上下延时参数比较对称，你这个原来型号的光耦可以继续用，只是增加一点延时。可以上屹晶微电子官网找你需要的MOS驱动芯片。
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QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:06 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-6 15:13
此电路中三极管T可以用8550之类，R可以用1～2千欧，D可以用1N4148之类。

二极管可用电阻代替不
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QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:08 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-6 14:50
减小R130数值，可以改善波形，但作用不大。
三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所 ...

R130电阻和光电三极管导通电阻有什么关联啊？
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QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:10 | 显示全部楼层
wape271 发表于 2019-7-8 08:56
是否愿意用两个光耦，当然成本高些

不是多此一举吗？低电平的时候  右边低
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maychang 发表于 2019-7-16 10:26 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:08
R130电阻和光电三极管导通电阻有什么关联啊？

R130电阻是由电路设计者选定的，可见与光电三极管导通电阻没有什么关系。
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maychang 发表于 2019-7-16 10:27 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:06
二极管可用电阻代替不

“二极管可用电阻代替不”
不可以。
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QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:35 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-16 10:27
“二极管可用电阻代替不”
不可以。

起什么作用 这二极管
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QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:36 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-7-6 14:50
减小R130数值，可以改善波形，但作用不大。
三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所 ...

三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所以R130即使减小到数百欧姆，仍然比光耦内三极管饱和导通电阻要大得多，至少大一个数量级---------------------您这句话要表达啥意思
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maychang 发表于 2019-7-16 11:36 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2019-7-16 10:36
三极管饱和导通时等效电阻很小，在数欧姆到数十欧姆量级。所以R130即使减小到数百欧姆，仍然比光耦内三极 ...

我这句话，就是字面上的意思，无非是说三极管饱和导通的电阻相当小，R130电阻比较大。
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