电容-简单又复杂的问题-困扰我很久了!

只看该作者 · 2011-11-14 13:09

本帖最后由 ghost1325 于 2011-11-14 13:11 编辑

楼上，你这问题就牵扯理想器件和实际器件的差别，实际电容有感性部分，线路也有阻抗和感抗，当然越接近效果越好

你说是电流从B经电容经C点这个环路小还是B到D这个环路小

2万 · 2011-11-14 13:16

to 19L：

“问题又回到了开始,和地就没关系了,那么过孔C就不需要了!藕电容由C入地而不经过D就是为了尽可能短地将脉动电流导入信号地,这个尽可能短的功能是如何实现的?”

注意下层是个地平面（多层板一般如此），C和D通过过孔接地，怎么和地没关系呢？至于“尽可能短地将脉动电流导入信号地”，从路径上一看就该明白了。

只看该作者 · 2011-11-14 13:32

汗,你这样说我又要问电流怎么从B经电容经C点到地了!谢谢以上各位,特别是热心的ghost1325.我再自我加强学习!

只看该作者 · 2011-11-14 13:45

电容隔直通交，脉动的电流中有直流有交流，交流部分自然要从电容部分通过了

只看该作者 · 2011-11-14 13:52

道理我可以说很大一堆!甚至比很多人说的都好,我只是缺一个让我自己理解的方法!当然楼上都对,这也解释了我平常布电容的习惯!下图就是最短的表示--如图

只看该作者 · 2011-11-14 15:11

这个解释你看怎么样：cmos数字电路主要在发生电平转换时才消耗能量，由于开关的频率很高，可以理解成di/dt很大，这时无论是线路还是电容寄生电感都会产生压降，从而劣化输出波形。这就是要求IC旁路电容高频特性好，引线尽量短的原因。

只看该作者 · 2011-11-14 15:16

楼主，你这样想想电容两端的电压不能突变

只看该作者 · 2011-11-14 19:19

学习了~~~~

只看该作者 · 2011-11-14 20:22

听课来了

只看该作者 · 2011-11-14 22:16

受教了

只看该作者 · 2011-11-15 21:43

不错

1万 · 2011-11-16 08:36

补充:如果说由于各种原因,VCC上来了个尖峰，这个尖峰到底是怎么样抑制的？我们常说:"电容滤高频信号，那么芯片产生的这些尖峰应该也算是高频吧；这个尖峰经电容VCC端过过孔B，到电源层，然而总是让我费解的是它是怎么到地的？诚然我也知道这时电源到地相当于加了个小电阻，因为过孔B过孔C很近，铜箔相当于一个很小的电阻对吗？我想了解这里的尖峰到底是要找个其他回路让在电容地端的电子回到电源端，还是另外找负载回路？为什么我就是整不明白呢？
qvb123 发表于 2011-11-13 23:06

B和器件引脚近，到底尖峰电流往哪流，不但要看路径长短，还要看阻抗大小

1万 · 2011-11-16 08:41

这张图恐怕有问题。
——正常地，一个器件不应理解为可以输出电流的器件，除非它是一个电源器件。

1万 · 2011-11-16 08:44

讨论之前，必须分清它到底是电源器件还是工作［耗电］器件

2万 · 2011-11-16 08:58

to 33,34L：

未必一定是“电源器件”才会有脉动电流的。脉动电流也未必一定是纯粹向外流的。一般“有源”器件通常多数都会在电源上产生脉动电流，这是常态。

只看该作者 · 2011-11-16 15:16

越说越远了，去耦不就是为了去干扰么？是因为信号的跳变产生的！
如果我就硬性的认为杂波就是会通过电容到地，就是以最短的距离和阻抗到地，那我这得解释和问题都通了；但这种教科书的理解我接受不了。
说了只是留了一个MARK，我不说连痕迹也没有！现在印象深刻，迟早我要解决！

只看该作者 · 2011-11-16 19:38

那个电容只是在电源上形成了一个小的RC充放电过程，电源并不是完全的平稳的，会带着某些脉冲，RC回路只是限制了这个脉冲的变化速率，把这个脉冲的能量平稳的在时域上去扩展了，最终也是叠加在完全直流的信号上，这样就会避免高脉冲对芯片的损害，理论上可以看作这个电容是不耗能量的。。。。它只是把集中的能量平铺开了。。。。。

只看该作者 · 2011-11-16 22:20

学习

只看该作者 · 2011-11-17 08:12

37楼说的很直白了,也很容易理解;但是其实只解释了滤波的过程,那个电容其实有2个作用,一个储能,一个去杂波!
储能是弥补高速时的供电不足;以上很多人都不断的解释滤波的过程,但是没解释那个电容摆放及过孔放置位置的作用!比如说从电源到地距离近了或者说2个过孔近了会产生什么?

只看该作者 · 2011-11-17 15:17

貌似又悟到一点!
当电压交变时，由于电容的充电作用，两端的电压不能突变，就保证了电压的平稳。这里的突变的解决其实是一个很复杂的过程;一:这个突变产生的是时候可能是电容冲放电的任意时刻,如果是电容充满时;此时突变的电压可能高于电源电压,也可能低;如果高时会对电容继续充电;如果是刚开始冲即电容电压为0时,此时电流本身就很大再加上突变电流,这个时刻电流最大.
二:如果突变电压较低,估计只有2个办法可以去处: 其1暂时淹没在强大的直流电中,等放电低于此电压时再在对电容的反复冲放中去处;其2在多个芯片外端集中加一个大容量电解集中滤杂波.
其实以上很多资料中有提到,但是从来没想过是这么一个过程.
另外继续思考电容摆放及过孔放置位置的作用!比如说从电源到地距离近了或者说2个过孔近了会产生什么?

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