STM32F103 读写nand flash地址

发表于 2019-10-16 21:41

本帖最后由张1239 于 2019-10-17 16:53 编辑

第一张图是我的试验箱的实验指导书上标明的储存方式，第二张图是实验代码，向NAND flash写入数据，第三张图位是网上的一段代码解析，为什么发送地址A0~A7到地址区0x70020000不是用ADDR_1st_CYCLE第一个寻址周期来寻找的 ADDR_1st_CYCLE却是发送地址A9~A16不是A0~A7
这一块代码不太清楚，请做过类似产品的大佬指点一下
附：网上代码解析链接：百为STM32开发板教程之十二——NAND FLASH
https://bbs.21ic.com/icview-586200-1-1.html?fromuser=%E5%BC%A01239
(出处: 中国电子网技术论坛)

发表于 2019-10-16 21:42

写的有点乱，希望大佬耐心看一下

发表于 2019-10-16 21:45

顶一下，nand flash看了一天了，这一块不太理解特别难受，希望有大佬指点一下，或者分享一下这方面的资料，谢谢

发表于 2019-10-16 23:27

有没有弄过的大佬解释一下，万分感谢

发表于 2019-10-17 15:02

有人吗？不要沉啊

发表于 2019-10-17 15:02

顶贴

发表于 2019-10-17 16:44

本帖最后由张1239 于 2019-10-17 16:45 编辑

明白了明白了，查了网上各种资料结合例程代码，上文中的 ADDR_1st_CYCLE（ROW_ADDRESS）中的ROW_ADDRESS= (Address.Page + (Address.Block + (Address.Zone * NAND_ZONE_SIZE)) * NAND_BLOCK_SIZE)，最低位为Page地址而非最小的byte地址，也就是说地址的改变是以页为最小单位，就是一页一页的翻，1Page=528byte。一页有528个字节，而在前512B中存放着用户的数据。在后面的16字节中（OOB）中存放着执行命令后的状态信息。主要是ECC校验的标识。所以我们读写就只操作前512字节，列地址A0-A7可以寻址的范围是256个字节，要寻址528字节的话，将一页分为了A.（1half array）B(2 half array) C(spare array)。A区0—255字节，B区 256-511 字节C区512—527字节，访问A还是B区由地址A8控制。所以在进行页寻址前，先送A0~A7=0x00，8位数，2的8次方正好等于256，而A8来控制A区和B区，合起来正好512byte，ADDR_1st_CYCLE就是往A9~A16送页地址，写满一页页地址就+1，下图是的ADDR_1st_CYCLE函数的定义，这样就能解释的通了，我是这样理解的，如有不对还请大佬指教。

发表于 2019-11-13 15:44

这块挺不好看的

发表于 2019-11-14 08:21

感谢楼主分享解决的经验

发表于 2019-11-14 08:25

原来还有这个细节

发表于 2019-11-14 08:32

恭喜楼主解决问题

[STM32F1] STM32F103 读写nand flash地址

相关帖子

浏览过的版块