Philips公司的**《双向可控硅成功应用的十条黄金规则》。

发表于 2009-1-13 10:12

当负载短路或感应电流很大（即正常工作时突然的电流很大）时候负载炸/接着可控硅轰！ 请问有什么方法可以解决，到底造成问题的原因是什么？是材料选择，还是其它什么原因？   负载为400-1000W的灯（具体为20个左右40W的）。   问题：图上电感大了，是否断电时感应的电压电流也更大？感应电压是否为正常电压的2-8倍，即240*8=1920V？  这个电感为3.5mH，是不是有点大了？ 通常下图的线圈是uH级的，电感太大感应的电压电流也大所以炸？我说的对吗？

发表于 2009-1-13 10:13

具体电路如下图：

发表于 2009-1-13 11:29

应该加大可控硅的电流和耐压规格。

发表于 2009-1-13 12:01

发表于 2009-1-13 12:38

1：我不否认加大可控硅的电流和耐压规格即换成BAT16后的效果有很大改善！ 但这个电感大小没有选择标准么？工字电感和环型电感有什么区别？ 加电感能抑制冷态电阻导致的电流冲击么？据他们说有个什么冷太电流什么的！ 我搞糊涂了！   2：PowerAnts 说什么T1、T2接反了吧！完全没道理！那是双向可控硅。

发表于 2009-1-13 12:55

1、如果你的负载是白炽灯，加个电感有必要，但负载是节能灯、日光灯等就反而会带来负作用。白炽灯在冷态时电阻远远小于白炽态（导体电阻的温度特性），所以开机时会有瞬态大电流，尤其是多个小功率白炽灯并联时。但电感的选择要特别注意磁饱和现象，电感的额定电流必须大于开机瞬态电流的峰值，否则一旦发生磁饱和，电感的抑流作用会大幅减弱，同时在可控硅关断时依然会引发反向高压，这就得不偿失了，有关原理分析可见前段时间的相关帖。另外，因工作频率问题，该电感不能用磁芯而应该用硅钢片，和变压器一样，但为防磁饱和硅钢片在插入骨架时不要像变压器那样交叉插入，而是同向插入，最后靠安装座压紧一字形边，这样可以形成一个空气隙大大增强耐受磁饱和的能力。     2、双向可控硅有触发象限问题，虽然各个象限都可工作，但实际工作中最好处于1、3象限，特别是在强感性负载下。有关原理解释可在网上搜一篇Philips公司的**《双向可控硅成功应用的十条黄金规则》。

发表于 2009-1-13 13:37

chunyang 实在是个牛人，但这样搞光这个电感的成本要增加很多了！但据说用环型电感要好多了！不过我还没自己动手测试过！呵呵，谢谢各位！

发表于 2009-1-13 14:10

我说的工艺成本不高，可在变压器厂定制，用5W变压器的铁芯、骨架即可，而且这么装比交叉装要省事的多，而且绕线又少，价格肯定比同功率铁芯下的普通变压器便宜，几块钱应该可以搞定，当然得有点量，绕线圈数可查查变压器设计手册什么的，变压器厂应该有。

发表于 2009-1-13 16:03

Philips公司的文章《双向可控硅成功应用的十条黄金规则》。 这文章我仔细看了一下，感觉我的症状应该是 (e) 超出截止状态下反复电压峰值 VDRM   遇到严重的、异常的电源瞬间过程，MT2 电压可 能超过 VDRM，此时 MT2和 MT1间的漏电将达到一定 程度，并使双向可控硅自发导通。    若负载允许高涌入电流通过，在硅片导通的小面 积上可能达到极高的局部电流密度。这可能导致硅片 的烧毁。白炽灯、电容性负载和消弧保护电路都可能 导致强涌入电流。 （症状一致，他所说的方法是可在负载上串联一个几μH 的不饱和（空心）电感。 ） 由于超过 VDRM 或 dVD/dt 导致双向可控硅导通， 这不完全威胁设备安全。而是随之而来的 dIT/dt很可能 造成破坏。原因是，导通扩散至整个结需要时间，此 时允许的 dIT/dt值低于正常情况下用门极信号导通时的 允许值。假如过程中限制 dIT/dt到一较低的值，双向可 控硅可能可以幸存。为此，可在负载上串联一个几μH 的不饱和（空心）电感。 （此时是否就应该将前面的不管是环型的，环形铁氧体芯的，铁芯的方式改变？在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感就好了？

发表于 2009-1-13 16:06

规则 6.假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源 瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之 一：    负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以 限制dIT/dt；    用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电 路。

发表于 2009-1-13 16:09

发表于 2009-1-13 16:20

总的解决方法：1：采用Hi-Com双向可控硅。                   2：  负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt； 用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。                   这样我估计所有问题解决。    楼上反复说T1、T2反了？反在哪了？那是双向可控硅！再说也没有T1/T2，你就说T1反了我还说你就是理解错了！

发表于 2009-1-13 18:46

发表于 2009-1-13 22:20

可以认为不分，但是在触发的时候是区分那个象限触发问题，建议先好好看看手册中对不同象限触发的图示或说明，你的触发方式也是个问题，尤其是感性负载

发表于 2009-1-13 23:47

你的负载不算太重，用带空气隙的就应该可以了，最多是铁芯尺寸的选择问题。

Philips公司的**《双向可控硅成功应用的十条黄金规则》。

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具体电路如下图：

加电感是为了抑制冷态电阻导致的电流冲击么？

T1、T2接反了吧

应该加大可控硅的电流和耐压规格。

解答楼上疑问

chunyang

环形铁氧体芯电感在工频下很容易饱和

Philips公司的**《双向可控硅成功应用的十条黄金规则》。

规则 6.假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源

T1、T2反了

总的解决方法：

接通时串入一电阻，0.1秒后断开。

双向可控硅是分T1和T2的

空心电感当然是最好的，只是同样电感量下的体积较大

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