SCR可控硅整流器的世纪谎言！

登录 · 发表于 2020-3-11 11:29

本帖最后由 xukun977 于 2020-3-11 11:38 编辑

从上个世纪中后页开始，各种关于SCR的书籍、文献，广泛流传SCR这样的模型：

最近两天，我看还有人在使用这种模型，学习SCR原理。

这个早在上个世纪就被理论证明，是不可能发生的事，到了2020年，还有人在“传谣”。

本人立此贴为证，谁要能用晶体管的E-M或GP模型，证明出这个模型有SCR固有的负阻特性，我就找个晶闸管吃肚子里去。

把两个管子的beta，修改成1，此时类似于开启电压变大。

发表于 2020-3-11 12:30

LZ所给出的是个简单的原理示意图，实际分析必须引入器件寄生和分布动态特性。

至于器件动态特性，估计LZ不懂，否则就不会之前曾经说“正负反馈下的运放‘跟随器’具有相同的输出特性”。

登录 · 发表于 2020-3-11 12:38

本帖最后由 xukun977 于 2020-3-11 12:40 编辑

HWM 发表于 2020-3-11 12:30
LZ所给出的是个简单的原理示意图，实际分析必须引入器件寄生和分布动态特性。

至于器件动态特性，估计LZ不 ...

生搬硬套我5年前夏天传授给你的知识（酷暑天气，教了三个月施密特触发器），不好使了。

本贴主题和寄生参数无关了，老帅哥！要具体问题具体分析，像这样生搬硬套，说明你是在机械盲目的背书。

发表于 2020-3-11 12:43

还是看看这个吧：

反面教材——运放正反馈“跟随器”
https://bbs.21ic.com/icview-2607416-1-1.html

发表于 2020-3-11 12:44

上面“反面教材”所涉及的那个才是真正的谎言！

登录 · 发表于 2020-3-11 12:48

king5555 发表于 2020-3-11 12:39
用三极管PNP+NPN是局部等效了自保持，但对于基集间漏电流的影响尚未处理，因此一电即导通過。必須在二个基 ...

管子参数，随便你改！！！！！！！！！！
当然了，参数要合理，例如管子beta要大于0，你不能设置个负数~！！！

发表于 2020-3-11 12:50

本帖最后由 xukun977 于 2020-3-11 12:52 编辑

HWM 发表于 2020-3-11 12:44
上面“反面教材”所涉及的那个才是真正的谎言！

不要在这净扯犊子，一味打嘴跑。

你可以选择仿真，可以选择实测（两个三极管）。
仿真时，管子参数随便你改，你弄出个负阻区域就赢了。

只打嘴跑，毫无营养，观众早就看腻了，所以恶性不改，就抓紧滚蛋，有多远滚多远。

登录 · 发表于 2020-3-11 13:04

本帖最后由 xukun977 于 2020-3-11 13:05 编辑

有人可能会好奇，研究负阻有什么用。

早在1980S，就有了专业的负阻器件：BNRT

最早报道这种器件的，貌似是中国中科院的周旋：

发表于 2020-3-11 13:53

按照板凳电路，上电阻小，电压反而大。但是实际上是一个电桥的原理，一个电流从上电阻经中点流经下三极管到地，造成上电阻的电流比下电阻大得多，电压就大。

登录 · 发表于 2020-3-11 14:02

学习IC设计，都知道CMOS工艺下的闩锁效应。
这个效应也是利用PNPN结构的模型来解释的。

这个模型是没有问题的：

发表于 2020-3-11 14:16

能不能先说说你打算用SCR做一个什么东西？解决一个什么问题？然后再说说为何那两个三极管的模型导致了你这件东西做不出来问题解决不了。

登录 · 发表于 2020-3-11 14:33

chunk 发表于 2020-3-11 14:16
能不能先说说你打算用SCR做一个什么东西？解决一个什么问题？然后再说说为何那两个三极管的模型导致了你这 ...

早上看了个教学视频，如图:

视频中分析SCR开关电路，就是用两个三极管的等效电路！

用两管作为SCR模型，来解释SCR开关特性，是绝对不可能的！不管怎么修改管子模型，都弄不出负阻区域。

发表于 2020-3-11 14:39

本贴只需用反证法，就能鉴定真伪。
方法是你们仿真出两管等效模型具有负阻特性，我就无话可说了，模型参数随便改的哈。

发表于 2020-3-11 15:55

UPUP

发表于 2020-3-11 16:51

king5555 发表于 2020-3-11 15:42
基本上你是正确的。只不过这里不需要研究负阻区。需要的是触发丶截止丶dV/dt丶di/dt 这些方面。 ...

这个还不敢说，万一有哪个高手，突发奇想，设置过某个参数后，真的出现负阻区呢？

所以，只能等，看有没有人能弄出个“反例”。

登录 · 发表于 2020-3-11 16:57

我这个徒弟，真让我无语到家了。

简单的对数函数，教了他将近三年，才迷迷糊糊懂一点，只能熟炼使用中学数学中定义。

ROC问题，教了他六年，至今还没入门，始终站在中学数学角度看级数，改不了。

本人5年前夏天，以施密特触发器为例，说明振荡器至少要有两个电容，施密特电路表面上只有一个电容，还必须考虑一个寄生电容。
于是我这个徒弟就记住这句话了，隔三差五发帖转述这句，也不管你提的问题是什么。

此贴研究的是纯静态问题，你考虑动态特性干什么？？？？？？咱能不能不要死记硬背啊复旦大学教授？？？？？？？？

发表于 2020-3-11 17:15

看不懂。
三极管二次击穿那个算不算？

登录 · 发表于 2020-3-11 18:15

Lgz2006 发表于 2020-3-11 17:15
看不懂。
三极管二次击穿那个算不算？

用什么模型，看教科书中分析等效电路时，采用是什么模型：
例如本坛上有老童教科书的：

分析过程中，采用的是晶体管什么模型，你就用什么模型仿真！

登录 · 发表于 2020-3-11 18:25

本帖最后由 xukun977 于 2020-3-11 18:31 编辑

目前有没有人能整出负阻出来的？？？

如果允许加其它零件，我就能整出负阻来，否则我是没办法。

有些同志不要据此，生拼硬凑答案，我上面已经说过了，用什么三极管模型取决于SCR等效分析中用什么晶体管模型。

登录 · 发表于 2020-3-11 19:20

刚才随便看了一下童诗白的教课书，发现有点不对劲：

这是童诗白的原话：

文中的“不加电压”是什么意思？？？能不能理解为开路？？
这句说是不是表达的欠妥当？？？

我上面仿真时，默认控制端是开路的，此时SCR是可以导通的。下面这个曲线意思非常明确。

所以这个【不加电压】应该修改成：施加偏置电压低于VBO，并用电流IG控制导通。。。

SCR可控硅整流器的世纪谎言！

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