【MM32 eMiniBoard测评报告】+内部FLASH读写操作(参考原子STM32)

#include "flash.h"
#include "led.h"
#include "uart.h"
#include "HAL_conf.h"


////每页大小为1024即1K字节  共128页
//#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400)

//#define BANK1_WRITE_START_ADDR  ((uint32_t)0x08002800)
//#define BANK1_WRITE_END_ADDR    ((uint32_t)0x08003200)
//uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;
//uint32_t Data = 0x12345679;
//uint32_t NbrOfPage = 0x00;
//volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;


//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
        return *(vu16*)faddr;
}

#if MM32_FLASH_WREN        //如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void FLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                                          
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToWrite;i++)
        {
                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
            WriteAddr+=2;//地址增加2.
        }  
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)

//经查看，目前MM32的每页字节数好像没有大小页之分 固定在1K字节(不完全确定)
#if MM32_FLASH_SIZE<256
#define MM32_SECTOR_SIZE 1024 //字节  //MM32L073 128个页  每页1K字节
#else
//#define MM32_SECTOR_SIZE        2048//
#define MM32_SECTOR_SIZE 1024 //MM32的超过256的也是1K字节每页 这里仅查看了MM32F103XE的规格书
#endif

u16 MM32_FLASH_BUF[MM32_SECTOR_SIZE/2];//最多是1K字节
void FLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
         u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<MM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(MM32_FLASH_BASE+1024*MM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-MM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/MM32_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%MM32_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=MM32_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {        
                FLASH_Read(secpos*MM32_SECTOR_SIZE+MM32_FLASH_BASE,MM32_FLASH_BUF,MM32_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(MM32_FLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*MM32_SECTOR_SIZE+MM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                MM32_FLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;         
                        }
                        FLASH_Write_NoCheck(secpos*MM32_SECTOR_SIZE+MM32_FLASH_BASE,MM32_FLASH_BUF,MM32_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else FLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                    
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0         
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移           
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(MM32_SECTOR_SIZE/2))secremain=MM32_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };        
        FLASH_Lock();//上锁
}
#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void FLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)           
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToRead;i++)
        {
                pBuffer=FLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.        
        }
}

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)           
{
        FLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}

///////////old code
//u8 FLASH_Program(void)
//{
//   
//    /* Porgram FLASH Bank1 ********************************************************/      
//    /* Unlock the Flash Bank1 Program Erase controller */
//    FLASH_Unlock();
//   
//    /* Clear All pending flags */
//    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);        
//   
//    FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR);
//   
//    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP );        
//   
//    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(0x08001FFC, Data);
//   
//    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP );        
//   
//    FLASH_Lock();
//   
//    printf("%x\r\n",(*(__IO uint32_t*) 0x08001FFC));
//   
//    if((*(__IO uint32_t*) 0x08001FFC) != Data)
//    {
//        return 1;
//    }
//    return 0;
//}