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专家回复: 耐高温,高压,高频率是SiC的优势,SiC在一些对于效率,功率密度以及工作频率有一定要求的场合,可以去替代IGBT,给产品带来效率和体积方面的优势。Microchip都有丰富全面的SiC器件工客户选择,有700V,1200V,1700V的二极管和Mosfet分立器件,也有大功率的二极管和Mosfet模块,其中SiC半桥模块电流可到600A以上。
专家回复:请 参考具体产品的规格书说明。一般会给出最大最小范围。同时,要考虑温升,寿命,动态负载等条件。
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专家回复:这个不好说,看晶圆大小,几A 到几百A 。。。如果晶圆并联的话(模块),可以更大。
专家回复:足够的余量的功率器件设计应对surge V/I , 足够好的PCB 设计, 足够好的保护方案。。。后期需要适合的验证,老化 实验。
专家回复: 目前5G基站是很好的例子,智慧城市等等都需要POE和PD供电,我们会持续关注。值不值做根据您的产品具体需求和市场来决定。
专家回复:您说的应该是SI3402,谢谢您的反馈,请关注我们silabs官网最新的si3402产品更新,另外新产品si3404相对性都有提高。
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专家回复: 请联系我们EDOM 当地的技术支持,取得相关资料,谢谢!
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