按我的理解的分析一下。
起初，可控硅是截止的，然后可控硅两端电压正玄上升，好像一个大坝的水在上升，但是阀门没打开。由于电容开始充电的时候像短路一样，电流通过电容流下去，没办法流到可控硅G极，因此阀门关死了。等电容充电越来越多，G极电压越来越高，电流有机会流到G极但还是受到DB3的阻止，电压必须跨过DB3的击穿电压电流才能流过去。乘着这段截止时间，可控硅两端电压爬升了不少。等DB3击穿时（相当于短路），电容上的电流象洪水一样涌进G极，可控硅被打开。因此改变充电时间，也就改变了可控硅被开通的时间。反相的时候同理，电容起初也是相当于短路。因此G极没办法由电流流出来。
如果没有DB3，触发会相当不理想，因为可控硅触发需要一定的电流，而电阻的存在限制了触发电流，DB3就好像一个自动崩溃的小坝，等电容上的电满到一定程度，自己崩溃掉，电流蜂拥而出，出来的电流很容易大于可控硅的触发电流，从而将其触发。
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