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BJT三极管是流控器件吗?

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不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 11:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 不奇怪 于 2021-3-20 11:33 编辑

       流控器件是指输入信号在这个器件中是用电流表示的,跟电流形成原因没有关系,比如一般运放是压控器件,但是也有电流型运放----尽管此时电流也由电压决定。

       三极管在一般电路中(包括数字电路)是流控器件,但不一定是电流模器件。在放大电路中三极管是电流模器件,在数字电路中是混合模。

       三极管在指数、对数运算电路中是压控器件,也是混合模器件。
            

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沙发
不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 11:34 | 只看该作者
或者说流控器件是指器件的输入是电流摸

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叶春勇| | 2021-3-20 12:23 | 只看该作者
应该是取决于数学模型,数学模型是啥,他就是啥。

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不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 17:35 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2021-3-20 12:23
应该是取决于数学模型,数学模型是啥,他就是啥。

是取决于应用。比如电流环,就是一个电流模设计,在这个设计中,信号是用电流承载的,而跟电压没多大关系。电流环的接收设备就必须是流控的。

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5
叶春勇| | 2021-3-20 17:49 | 只看该作者
不奇怪 发表于 2021-3-20 17:35
是取决于应用。比如电流环,就是一个电流模设计,在这个设计中,信号是用电流承载的,而跟电压没多大关系 ...

有诺顿转戴维南,一个电压源加个电阻,可等效电流源并个电阻。
取决于应用的话,也有问题,有v转i,有i转i,或者r转i 。电压的变化可转电流,电阻的变化可转电流



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hk6108| | 2021-3-20 20:16 | 只看该作者
三极管 都是 跨导器件,纯流控 的还没问世。

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7
coody| | 2021-3-20 21:44 | 只看该作者
我觉得,三极管是流控电流源。

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不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 22:07 | 只看该作者
hk6108 发表于 2021-3-20 20:16
三极管 都是 跨导器件,纯流控 的还没问世。

你这样说,是因为你把“流控器件”当成了一个物理模型或数学模型。

       就物理模型、数学模型来说,你可以把BJT 电路方程只用电流表示或只用电压表示,因此你认为他可以是流控或压控。
       也许你认为,就物理模型来说BJT应该算是压控器件才更合适,因为Ic=βIb=Is*e^(-Ube/Us),显然Ic Ib受Ube控制。
       电压是一切电流的形成原因,所以你认为世界上没有流控器件。听起来似乎无懈可击。

               但是有个问题:既然如此,为什么还有流控器件这个词
      

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9
不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 22:13 | 只看该作者
这是因为“流控器件”根本就不是一个物理模型,而是一个应用层面(或者工程层面)的设计模型,或者说设计原则。

       流控器件是指在设计过程中,用电流作为信号载体的器件。

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10
HWM| | 2021-3-20 22:24 | 只看该作者
电流模和电压模的区分通常看其源电阻与负载的关系。

如果源电阻远大于负载,则通常认为是电流模;而如果负载电阻远大于源电阻,则通常认为是电压模。

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11
HWM| | 2021-3-20 22:27 | 只看该作者
流控,当然是考虑电流模,所以通常是输入电阻远小于驱动源内阻。

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12
不奇怪|  楼主 | 2021-3-20 22:42 | 只看该作者
       当用电压作为输入信号载体时,你不用太考虑输入电流,此时器件就是压控器件。
     
              比如MOS管,是压控器件;但是MOS管也有输入电流,只是很小很小。我想你从未考虑过,MOS管在工作过程中输入电流变化了多少倍,你也不会把输入电流当成信号。

              在BJT电路中,也类似的问题。 你知道在工作过程中,Ube的变化幅度是信号引起的Ube变化量的多少倍么?我想没几个人考虑过---一般有10倍,因温度变化会导致Ube变化超过100mV(-25---+25),而为了保证线性,放大电路(不包括推挽输出)中的BJT三极管Ube包含的信号电压只有几个mV。

              我说这些的意思就是:你从来就没有用Ube当成信号量,你已经很习惯的把Ib当成信号量(因为△Ic=β△Ib要稳定的多)。也就是说,你一直再把BJT器件当成流控器件。

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叶春勇| | 2021-3-20 22:55 | 只看该作者
不奇怪 发表于 2021-3-20 22:42
当用电压作为输入信号载体时,你不用太考虑输入电流,此时器件就是压控器件。
     
               ...

三极管模型,按排列组合。有v控v,v控i,v控r,i控v,i控i,i控r。
v控i有的,集成电路的书,格雷,i控i,童诗白 。v控r,i控r,时变非线性
好计算的还是线性电路。
所以我认为还是数学模型决定的。三极管是流控器件是对的,三极管是且仅是流控器件是错的

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zyj9490 2021-3-21 12:31 回复TA
基区相当于水道的匣门,开得大点与小点,会影响发射区扩散到集电极区的电子流。实际上是基区的电埸强度决定的。电埸强度是反抗电子扩散的。这是势能,加到基极的电压就是抵消这种势能,让电子顺利地扩散到收集区(电埸漂移)。 
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hk6108| | 2021-3-21 00:34 | 只看该作者
不奇怪 发表于 2021-3-20 22:07
你这样说,是因为你把“流控器件”当成了一个物理模型或数学模型。

       就物理模型、数学模型来说, ...

BJT 的输入,是实体电流而非位移电流,
所以,讯号的性质可以是 电流源(有没有 Re , Ib 都一样)。

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15
hk6108| | 2021-3-21 00:43 | 只看该作者
不奇怪 发表于 2021-3-20 17:35
是取决于应用。比如电流环,就是一个电流模设计,在这个设计中,信号是用电流承载的,而跟电压没多大关系 ...

卟流环 用的如果是运放,难道要用 CFA(反相端)才行 ?!

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zyj9490| | 2021-3-21 12:41 | 只看该作者
为何是集电极区是反向偏呢?不是包和状态下,被基极电压锁死后,集电区的电埸无论多大,都拉不出自由电何,只有能扩散的多子扩散其区,才会产生电流。

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hk6108 2021-3-21 17:18 回复TA
发射极 相当于 真空管的 灯丝,集电结区 则相当于 泡壳,Ie 飞过,集电结仍是空的。 
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叶春勇| | 2021-3-21 14:03 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2021-3-21 12:41
为何是集电极区是反向偏呢?不是包和状态下,被基极电压锁死后,集电区的电埸无论多大,都拉不出自由电何, ...

我的讨论,限于电路原理层面,三极管模型被分解成电路原路里面的基本元件,基于物理层面的三极管,暂时没有去深入学习,一般我也不参与讨论,也没有这个能力去讨论。
那么我的学习目标是明确的,电子元器件分解成电路原理里面的理论元件的模型是我追求的。
而基于物理方面的,在思想上,就认为学了用处不大,根据我的自学经验,强迫学习很快就遗忘。节省出来的资源,可以多学个算法,或背诵一个经典运放电路,可能收益更大。

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hk6108| | 2021-3-21 17:26 | 只看该作者
BJT 输入端 流的是 实体电流,不是位移电流,此乃 流控 所需的硬体条件!
流控的表现形态就是,因讯号的性质为 电流源,故不论 Re 存在与否,Ib 都一样!

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hk6108| | 2021-3-21 17:34 | 只看该作者
场效应,载流子不是受栅极电场驱动 的,
电场在栅极的作用,是建立 源漏沟道 而非 造成位移电流!!

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hk6108 2021-3-21 21:12 回复TA
位移电流,交流才有,与频俱增,场效应却无关频率。 
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hk6108| | 2021-3-23 16:56 | 只看该作者
哪个参数可用,就是 啥控,
当然,可用参数 必须也是 有用参数,这样,元件才能 可控,
FET,哪个参数 可控,BJT,哪个参数 可控度大 ?!

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