基极接个到地的电阻有什么用？

登录 · 发表于 2021-5-10 17:18

如题，如下图，请问R2的作用是什么？

登录 · 发表于 2021-5-10 17:43

本帖最后由 xukun977 于 2021-5-10 17:46 编辑

如果满脑子都是理想模型-------什么VBE要≥0.7V，管子才会导通---------那基本上看不懂这个电阻的作用了。

看上图中几个VBE数值，实际上VBE在0--0.5V之间，都是导通的，只不过相对于有源和饱和来说，导通程度较轻而已，IC较小。

登录 · 发表于 2021-5-10 17:53

有些电工，背诵了一二十年课本，说好的VBE>0.7V才会导通的，现在说法变了，少数人感情上接受不了，估计要开始骂人了。

对于MOSFET来说，也有相同的情形：说好的VGS要大于阈值电压VTH才会导通的，怎么小于VTH也导通了？？？

对于现在几十nm的工艺来说，共源放大器的增益小的可怜-------现在半导体工艺拼命缩小尺寸，是为了照顾数字电路，根本不管模拟电路的死活-------所以很多情况下就要工作与亚阈值导通区。

发表于 2021-5-10 17:55

本帖最后由 dontium 于 2021-5-10 18:01 编辑

略……

登录 · 发表于 2021-5-10 17:56

如果能理解上面这一点，那么才能理解下图中R2的作用：

R2的作用是为了让当输入为低电平时，管子Q1能可靠地截止，有时R2的下端要接一个负电源VEE呢，通过这种方式让VBE的偏置电压<0，更可靠的截止。

发表于 2021-5-10 17:57

本帖最后由 xukun977 于 2021-5-10 18:02 编辑

dontium 发表于 2021-5-10 17:55
不能这样讲的。这样说的话，恰恰可以不要这个电阻。

学过三极管的内部载流子的运动过程吗？

关系不大！三极管用作数字电路里的开关管，就不要考虑工作点稳定性了。

发表于 2021-5-10 18:01

哦，算我没说、

发表于 2021-5-10 18:39

个人理解：实际前级驱动的电路即使关断还是可能有诸如漏电流或者非零的offset电压（并可能会因温度而升高而增大，看具体的前级驱动）。加个电阻分掉真正流入B极的漏电流，或者分掉非0的offset电压，防止turn on吧

发表于 2021-5-10 19:15

修理Y的发表于 2021-5-10 18:39
个人理解：实际前级驱动的电路即使关断还是可能有诸如漏电流或者非零的offset电压（并可能会因温度而升高 ...

一个电路中，随便加入一个元件，很有可能会改变原来的电路一堆性能参数，从这个角度看，你可以说这个元件的作用是abcd.......

但是，加入某一个元件，其真实目的，可能只有一个--------核心目的是想改进一堆参数中的某一个，至于其它参数也随之变化，是副作用而已，此时不适合说加入某个元件的目的是改进某个副作用，这叫主次不分，或者叫喧宾夺主了。

发表于 2021-5-11 00:53

Vbe ≥ 0.7V 才导通，是饱和才对吧？！
元件不上电，电位就是不确定，但当 Vcc 存在时，BJT 的耐压是 BVcer＞BVceo ，管子截止可靠且耐压增加。

发表于 2021-5-11 08:41

反正我就知道一点，在用MCU的IO驱动这种三极管时，上电瞬间（MCU复位期间）IO的漏电流能让这个三极管导通。BE极加个泄放电阻，能有效抑制这个问题。

发表于 2021-5-11 08:42

数字电路只有0和1，只有开和关。所以不需要知道中间状态。

发表于 2021-5-11 09:01

xukun977 发表于 2021-5-10 19:15
一个电路中，随便加入一个元件，很有可能会改变原来的电路一堆性能参数，从这个角度看，你可以说这个 ...

嗯，该开关本身也有ICBO,为保证off可能确实要加BE反偏，如果前级驱动低电平是负电压可以不用加负偏置。感觉好些因素能可能导致没有R2开关不CUTOFF。
要是能举个实际例子计算电阻和偏置电压取值就好了。

发表于 2021-5-11 11:59

保证三极管可靠关断用的

登录 · 发表于 2021-5-11 12:58

本帖最后由 xukun977 于 2021-5-11 13:32 编辑

讲话太费劲了，不得不开启啰嗦模式

晶体管截止的定义是：

如上图所示，IE=0，才叫截止！

第二个关键点：晶体管模型问题s

如下图所示，晶体管处于active模式时，从发射极出发的多数载流子向基区方向运动：

从发射极出发的多子，在发射区和基区，被空穴复合掉一部分，然后剩余部分到达集电区。同时，由于集电结反偏，有少子漂移现象，基区的少子电子向集电极运动，集电区的少子向基区运动，形成了所谓的Ico

根据这个载流子传输过程，可得晶体管直流模型：

登录 · 发表于 2021-5-11 13:36

本帖最后由 xukun977 于 2021-5-11 13:47 编辑

根据这个直流模型，我们来计算当晶体管的基极开路时，IE是不是等于0，进而判断是不是截止了：

此时，只看电流大小，不看方向，那么IE明显不为零，所以当基极开路时管子不是截止的，甚至BE结处于较弱的正偏状态：

这里要注意硅管和锗管在这种情形下，特性截然不同：
1，对于硅管，我上图标示的共基电流放大倍数α，是约等于0，而不是常规的接近于1的值！！！
2，对于锗管，电流放大倍数α仍旧约等于1！！！

由于上面这个特性，硅管相比较于锗管而言，非常稳定，锗管稳定性就太差了，IB等于0时，IC仍旧较大。

发表于 2021-5-11 17:13

这个重点原因是MCU输出低电平有可能接近0.5V甚至更高,如果没有下拉不能保证可靠的关断.Ie = 0?才叫截止吗?

发表于 2021-5-11 17:21

我记得数据手册里一般关断特性都是写小于10nA或者多少来着

发表于 2021-5-11 18:26

fcccc 发表于 2021-5-11 17:13
这个重点原因是MCU输出低电平有可能接近0.5V甚至更高,如果没有下拉不能保证可靠的关断.Ie = 0?才叫截止吗? ...

一般加4148 可靠一些

发表于 2021-5-11 19:20

纵然基极接地(发射结短接)，Ie 还是不保证为零。

基极接个到地的电阻有什么用？

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