本帖最后由 不亦心 于 2012-3-12 11:38 编辑
上班一直都是用公司自己的IC做案子，搞来搞去都是那些东东，枯燥，乏味。前几天淘了几颗OB的PSR控制器，用洞洞板搭了一下电路，玩玩PSR，简单的测试了一下，基本满足设计要求。翻翻二姨家的帖子也很少有讨论PSR的，自己也是第一次玩，没有神马经验，就把在这次的实验过程贴出来请大家指导指导。
实验目标：
Input：85VAC-265VAC
Output：24V/0.55A
洞洞板实测：
CV：高低压均在24.5V左右，空载电压偏高，不稳，需加死负载。空载或轻载时有轻微音频叫声。电流超过0.6保护，无输出。
CC：18V-24V，均在0.53A，恒流电压范围没有具体测，因为打算让其工作在CV模式，设计的时候也就没有考虑CC模式的电压范围。
变压器设计：
磁芯选择EFD20 ，Ae=28.8mm²，设△B=0.2
理论计算：
设低压满足时，工作频率为60Khz，占空比为0.45
则，T=16.67uS
Ton=7.5uS
Td=0.5T =8.3uS（OB的datasheet有f=1/2Td,由此可得Td=0.5T）
Input：120VDC---375VDC
Np=Vinmin*Ton/（△B*Ae）=156T
（Np初级匝数）
由伏秒积平衡得Vinmin*Ton=Vor*Td
(Vor为反射电压)
即120*0.45T=Vor*0.5T所以Vor=108V
N=Vor/(Vout+Vd)=108/(24+1)=4.32
(N为匝比)
所以Ns=Np/N=36T
(Ns为次级匝数)
辅助绕组取15V，则辅助绕组匝数Nf=15/(25/36)=21.6T，实际取22T，则辅助绕组实际电压为：(25/36)*22=15.3V
由OB的datasheet可知电压反馈电压基准为2V，所以辅助绕组的取样电阻可取20K：3K
到此，已计算出变压器各绕组匝数：Np：Ns：Nf=156:36:22
电压取样电阻，上电阻：下电阻=20K：3K
下面计算初次级峰值电流：
由于工作于DCM模式，不难知道，Io*T=0.5Td*Ipks（Io输出电流，Ipks次级峰值电流）
所以Ipks=2.2A
由安匝平衡可知Ipk*Np=Ipks*Ns，固Ipk=0.51A
（初级峰值电流）
由OB的datasheet可知，峰值电流检测电压为0.91V，所以电流取样电阻Rs=0.91/0.51 =1.78R
由于能量在转换过程中有损耗，所以要留有余量，故，实际电流取样电阻可以适当取小一点。
知道Ipk以后同样可以求出初级感量Lp=Vinmin*Ton/Ipk=1.7mH。
到此又求出了初级电感量：Lp=1.7mH
初级电流取样电阻：Rs=1.78R
到这里基本上，各个关键参数都已经计算出来了。至于线径，整流管，RCD等参数的计算和普通反激一样，不再罗嗦了。
实际制作。
根据计算初级用0.2mm，次级用0.4mm的线径即可。
由于PSR是从原边控制，所以对变压器的漏感及初级和辅助绕组的耦合度要求比较严格。所以，变压器用三明治绕法，并且次级和辅助绕组尽量绕满整层，尽量避免绕不满或多层。
以上计算的156T：36T：22T可能不能满足满层的情况，要根据实际绕制具体调整。当然了也可以根据骨架窗口面积计算重新调整。但是这种计算出来的到实际还是有偏差，还要调整，所以我就直接绕制了，根据绕制情况调整。
EFD20的骨架，0.2mm的线绕制一层实际为59T
0.4mm绕制一层实际为31T
这样算来，初级再绕一整层59T就是118T，次级是31T，那么辅助绕组就应该调整为19T
也就是说调整以后的情况是
Np：Ns：Nf=118:31:19
这样到底行不行？磁芯会不会饱和？MOS耐压够不够？那就需要反过来验证一下。
N=Np/Ns=Vor/(Vout+Vd)所以调整后的Vor=95V
由于Vinmin*Ton=Vor*Td，即120*Dmax*T=95*0.5T所以Dmax=0.3958
如果开关频率还按60Khz来计算，则
△
B=Vinmin*Dmax*T/Ae*Np=0.233，可以接受。所以此调整参数可以用
下面重新计算一下，初级峰值电流和电感量
Ipk=Ipks*Ns/Np=0.578A
Rs取1.5R
Lp=Vinmin*Ton/Ipk=1.4mH。
还有一个参数就是，辅助绕组的线径。由于辅助绕组的匝数已经确定为19T，那么只需要选择合适的线径满足其绕满整层即可。根据实际绕制，发现0.3mm*2刚好。
至此，变压器及各参数调整完成：
Np：0.2mm 118T 两层
Ns：0.4mm 31T 一层
Nf：0.3mm*2 19T 一层
绕序：59TNp---31TNs---19TNf---59TNp
Lp=1.4mH
电压取样电阻： 20K：3K
电流取样电阻： 1.5R
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