GD32的flash读、擦除、写操作

发表于 2021-9-8 07:27

GD32的flash特征
1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；
2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；
4、对于 GD32F10x_MD ，闪存页大小为 1KB 。 GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ，GD32F10x_XD，bank0的闪存页大小为2KB，bank1的闪存页大小为4KB；
5、支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；

GD32的flash结构
GD32F10x_MD

发表于 2021-9-8 07:28

GD32F10x_CL，GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FsZXhjZWw=,size_16,color_FFFFFF,t_70.jpg

GD32的flash读操作
flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。

value=*(uint32_t*)FlashAddr;
1
uint16_t IAP_ReadFlag(void)
{
return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR);
}

发表于 2021-9-8 07:29

GD32的flash擦除操作
页擦除
每一页可以被独立擦除，步骤如下：

确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态；
检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态，若BUSY位为1，则需等待该操作结束，BUSY位变为0；
置位FMC_CTLx寄存器的PER位；
将待擦除页的绝对地址（0x08XX XXXX）写到FMC_ADDRx寄存器；
通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC；
等待擦除指令执行完毕，FMC_STATx寄存器的BUSY位清0；
如果需要，使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。
代码上直接调用GD的库函数即可：

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
fmc_unlock();  //fmc解锁
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);

/* erase the flash pages */
fmc_page_erase(Page_Address);

/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);

fmc_lock();  //fmc上锁
}

要擦除连续的几页：

void fmc_erase_pages(void)
{
uint32_t erase_counter;

/* unlock the flash program/erase controller */
fmc_unlock();

/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);

/* erase the flash pages */
for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){
      fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
}

/* lock the main FMC after the erase operation */
fmc_lock();
}

整片擦除
void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
fmc_unlock();  //fmc解锁
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);

/* erase whole chip */
fmc_mass_erase();

/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);

fmc_lock();  //fmc上锁
}

发表于 2021-9-8 07:29

GD32的flash写操作
往flash的某个地址写入数据前，一般要先擦除该地址。
16位半字编程：

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag)
{
fmc_unlock();
fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR);
fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag);
fmc_lock();
}

32位整字编程：

void fmc_program(void)
{
/* unlock the flash program/erase controller */
fmc_unlock();

address = FMC_WRITE_START_ADDR;

/* program flash */
while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){
      fmc_word_program(address, data0);
      address += 4;
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
      fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
}

/* lock the main FMC after the program operation */
fmc_lock();
}

发表于 2021-9-9 12:18

有没有测试过写一次半字需要多久，

发表于 2021-9-9 20:31

擦除速度和读写速度测试过没？

发表于 2021-9-10 14:25

不错啊，差不多全了

[研电赛技术支持] GD32的flash读、擦除、写操作

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