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金属-氧化物半导体场效应晶体管又叫MOSFET，工作原理是基于电荷浓度的调节，并通过氧化物与所有其他器件区域绝缘。MOSFET包括三个端子，栅极，源极，漏极，每个端子都连接到由本体区域分离的单个高度掺杂区域。随着栅极电压高于阈值电压，来自源极的电子在P型区域和氧化物之间的界面处进入N通道。 该导电沟道在源极和漏极之间延伸，并且当源极和漏极之间施加电压时，电流通过源极和漏极进行传导。这是MOSFET工作的基本原理。在基本的MOSFET结构中，电流和击穿电压等级都是通道尺寸的函数，即和通道长度和宽度直接相关。 N沟道增强型MOSFET使用正输入电压工作，并具有极高的输入电阻，可以视为无穷大，因此当与几乎任何能够产生正输出驱动器相互连接时，MOSFET可以用作开关。并且由于这种非常高的输入电阻，我们可以安全地并联许多不同的MOSFET，直到达到所需的电流通流能力。当然了，虽然将各种MOSFET并联连接在一起可能使我们能够切换高电流负载，但这样做在会导致在有限的电路板空间中占用比较大的面积，影响器件产品小型化。为了克服这个问题，目前很多厂商都开发了功率场效应晶体管。 确保MOSFET在承载所选漏极电流时保持“导通”所需的最小导通状态的栅极电压可以从MOSFET V-I传输曲线确定。当输入电压为高电平或等于电源电压时，MOSFET的Q点沿负载线移动到A点。由于通道电阻减小，漏极电流增加到其最大值。此时漏极电流成为独立于电源电压的常量值，并且仅依赖于栅源电压。因此，晶体管的工作模式类似于闭合的开关，当然了通道导通电阻不会完全降低到零，而是变得非常小，一般而言，导通电阻越小，MOSFET体积越大。 同样，当输入电压降低为低电平或降至零时，MOSFET的Q点沿负载线从A点移动到B点。此时通道电阻非常高，因此晶体管就像一个开关处于开路状态，此时几乎没有电流流过通道。因此，如果 MOSFET 的栅极电压在两个值（高电平和低电平）之间切换，则 MOSFET 将表现为类似于单刀单掷的开关一样。 没有经验的硬件工程师可能会认为MOSFET规格书上出现的连续漏极电流额定值ID（MAX）表示器件在实际电路中可以工作的电流。但是，实际上事实并非如此，规格书中给定的ID（MAX）额定值是基于在实际设计中无法实现的理想测试条件。而规格书给定的测试条件一般需要非常大的散热器，并通过物理散热使得芯片结温保持在较低水平。应该注意的是，不同的厂家测试所使用的标准也是不同的，一般会标注基于JEDEC标准，感兴趣的可以自行查阅。 比较不同器件散热能力的更现实方法是基于损耗极其导致的温升，在给定条件下，芯片和封装温度将上升。比如，环境温度都设置成25°C，此时对比RDS（on），当然了需要注意的是依赖于RDS（on）还依赖于栅源电压 VGS，所以此时还需设置相同的RDS（on）电阻。
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