本帖最后由 kk的回忆 于 2023-3-2 20:58 编辑
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@21小跑堂
当使用MOS管当做开关管使用的时候,给MOS管栅极提供驱动信号,MOS管的开启过程也很直接,驱动信号电压先给栅极电容Cgs充电,栅极电压达到阈值电压后会继续上升,此时MOS管沟道开启。随后栅极电压到达米勒平台电压后,不再给Cgs充电,仅仅给Cgd充电,栅极电压就保持不变。随后将Cgd充满后,栅极电压继续上升直到和驱动电压相同,完成MOS管的开通过程。这个工作过程很多资料都说的比较详细,在这里想讨论下,在给栅极电容Cgs和栅漏电容Cgd充电过程中,充电电流是怎么变化的。 以AO6408作为仿真对象分析,由于栅极电容Cgs和栅漏电容Cgd都位于MOS管内部,为了便于仿真分析,下图仿真的时候将C4=1p等效过Cgs,C5=1p等效过Cgd。AO6408的典型参数通过查阅规格书可知:阈值电压为Vth=1V。实际的Cgs=1000pF,Cgd=500pF。 通过仿真可以看出,在Vth=1V之前,驱动电压V4只给C4充电,到达米勒平台电压Vth_pl=1.3V的时候,就只给C5充电。随后C5充满后,就继续给C4充电。这个工作过程和理论分析的是一样的。通过电容分流分析可知,AO6408的Cgs充电电流是C4的1000倍,最大值就是34mA左右。AO6408的Cgd充电电流是C5的500倍,最大值就是30mA左右。尽管MOS管是电压驱动型电路,但是驱动电压V4不仅要提供电压,还得具有电流输出能力。
如果驱动电压V4的电流输出能力很弱,那么是不是就不能打开MOS管。所以下面通过恒流源驱动MOS栅极电压的仿真进行仿真。恒流源的输出电流能力是VBE/R1=0.6mA。此时通过仿真,根据电容分流分析,AO6408的Cgs只有250uA,缩小了120分之一;AO6408的Cgd只有1mA,缩小了30分之一;此时MOS管依然是开启的。 两次仿真带来的不同之处:使用恒流源驱动就让MOS管的开启速度变得太慢了,从跟原来的80ns开启时间变为57us,足足增长了750倍。这回造成开启瞬间的功率变得很大,负载很大的话,就很有可能造成MOS管开机热击穿的。所以Cgs和Cgd的充电电流大小和导通时间是息息想关的,充电电流小,充电时间足够长,依然是可以导通MOS的。 通过上图仿真,可以看出,漏极电压在导通之前,会有一点点过冲现象的产生。按理说,电源电压只有5V,怎么漏极电压会高出5V呢?这个现象,就和输出电容Cds有关了。当栅极电压产生的时候,MOS管还没有开启之前。此时栅极电压经过Cgd和Cds分压,就在漏极产生一个新的电压,叠加在电源Vcc上,Vd=Vcc+Vg*Cgd/(Cds+Cgd), 继续查阅规格书,知道Cds=350pF,MOS管开启之前Vgmax=1V,不会超过阈值电压,就能能到过冲电压Vg*Cgd/(Cds+Cgd)=0.41V。和仿真得到的0.45V很接近。 如果要消除漏极电压的过冲现象,也很简单。只需要在漏极并联一个电容,增大式子的分母,而分子不变。自然就可以将过冲电压降低到0。仿真得到的结果也表明这个分析是对的。 以上分析给工程师朋友在实际电路设计中提供一个思路,至于产生这些现象的深入具体原理是什么样,就需要更多资料分析,有了解的可以留贴讨论!以上电路比较简单,有时间会搭个面包板,拿示波器测试一下,应该能得到和仿真一样的波形。
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大佬可以分享一下仿真模型嘛