CW24C256B/512B EEROM的读写操作过程

只看该作者 · 2023-4-24 18:00

1.写操作
按字节写
写操作要求在接收器件地址和ACK应答后，接收1个8位的字地址。接收到这个地址后，
EEPROM将应答“0”，然后是一个8位数据。在接收8位数据后，EEPROM将应答“0”，接着必
须由主器件发送停止条件来终止写序列。
此时EEPROM进入内部写周期tWR，写入非易失性存储器中。在这个写周期，所有输入都无效，
直到写周期完成，EEPROM才会有应答（见图1）。
图1 按字节写

写操作
CW24C256B器件按64字节页写，CW24C512B器件按128字节页写。
按页写初始化与按字节写相同，只是主器件不会在第一个数据后发送停止条件，而是在
EEPROM的ACK以后，发送63个（CW24C256B）或127个（CW24C512B）字节数据。EEPROM
在收到每个数据后都应答“0”。最后仍需由主器件微控制器，发送停止条件来终止写序列（见图2）。
在接收到每个数据后，字地址的低6位（CW24C256B）或7位（CW24C512B）由内部自动
增加1，而其余高位的地址位不变，维持该页的位置。当内部产生的字地址达到该页边界地址时，
随后的数据将写入该页的页首。如果超过32个（CW24C256B）或128个（CW24C512B）数据传
给了EEPROM，字地址将回转到该页的首字节，先前的字节将会被覆盖。

图2 按页写

应答查询

一旦内部写周期启动，EEPROM输入无效，此时即可启动应答查询。这包括通过器件地址发
送起始条件，读/写为表示操作请求。如果内部写周期完成，EEPROM将应答“0”，接着又可继续
读/写操作了。

只看该作者 · 2023-4-24 18:08

2.读操作
读操作与写操作初始化相同，只是器件地址中的读/写选择位需置为“1”。有三种不同的读操
作方式：当前地址读，随机读和顺序读。
当前地址读
内部地址计数器保存着上一次读/写访问的地址，自动增加1。这个地址只要芯片有电就能保
存。当读到最后页的最后字节，地址会回转到0；当写到某页尾的最后一个字节，地址会回转到该
页的首字节。
一旦接收器件地址（读/写选择位置为“1”），EEPROM应答ACK后，当前地址的数据就可按
时钟送出。主器件无需应答“0”，但需发送停止条件（见图3）。
图 3. 当前地址读

随机读
随机读需先伪写一个目标字地址，一旦EEPROM接收器件地址和字地址，并应答了ACK。主
器件就另外产生一个起始条件。
现在主器件通过发送器件地址（读/写选择位置为“1”）初始化当前读地址，EEPROM应答
ACK并按时钟送出数据。主器件无需应答“0”，但需发送停止条件（见图4）。

图 4. 随机读

顺序读
顺序读可以通过当前地址读和随机读启动，在主器件接收到一个数据后，应答ACK。只要
EEPROM接收到ACK，将自动增加字地址并继续按时钟发送后面的数据。当达到存储器最大地址，
地址将回转到0，仍可继续顺序读取数据。
当主器件未应答“0”，而发送停止条件，即可结束顺序读操作（见图5）。