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CPU超频可以带来极致体验，打游戏打的酣畅淋漓。对于超频，如果有极速的冷却技术，发热量不是问题，那么电压随便加，CPU确实可以无限超频，也就不用担心超频带来的蓝屏死机等问题。在不考虑功耗发热的前提下，加压可以超频的原理可以讨论下。 超频不能持续增加的原因是时延，也就是信号每经历一个晶体管，都会有延迟，体现在信号上上面就是上升时间和下降时间的增加，当上升时间和下降时间在信号周期中的占比超过阈值，就会导致信号计算出现紊乱。所以要解决时延造成的问题，就要减小上升时间和下降时间在信号周期中的占比，那这个时候就可以增大电压，就可以让上升时间“爬”的久一点，从而下降时间也可以“滚”的久一点。为了验证这个想法，自然也是可以通过实验来验证的。 信号发生器产生一个信号给反相器链，示波器同时检测输入信号，和经过反相器链延迟的输出信号。 将信号发生器设计为1MHz，占空比50%发方波，幅值开始为3V，随后不断升高信号发生器的幅值，然后升高到10V的方波。 随后测试输入信号和输出信号之间的延迟时间，会发现一个有趣的现象 方波输入3V，延迟190ns；方波输入4V，延迟140ns；方波输入5V，延迟124ns； 方波输入6V，延迟100ns；方波输入7V，延迟88ns； 方波输入8V，延迟80ns； 方波输入9V，延迟73ns； 方波输入10V，延迟70ns； 出现这个现象，是由于反相器的CMOS电路决定。尽管我们认为晶体管的饱和区是开关特性器件，但毕竟不是理想开关。晶体管从截止转向饱和的过程（也就是从断到开），是需要时间的，这个过程可以简单近似看作是RC充电的过程。其中R1看作是晶体管的导通电阻Rds，电容C1看作是负载电容和下管Cds的等效电容。 转化为RC充放电电路，分析问题就比较简单了，时间常数τ=R*C，只要电阻和电容越小，充电时间就越小。对于晶体管，电源电压越高，在导通过程，晶体管的沟道电阻会越小，所以充放电时间就会缩短。还有一个原因是，对于阶跃响应的斜率正比于输出的最终值，如果加一个大的输入阶跃，则输出上升更抖，这是线性系统的基本特质。下图是通过对RC的充电仿真，相同的阶跃激励，上升时间和下降时间都相同，只是稳态电压V1=3V，V2=9V。 在相同的时间t=1.11ms左右，节点1的电压2V，节点2的电压是6V。也就是说节点2达到电压2V只需要1ms。相比节点1速度快了110us的。所以增高电压，就会优化传输延时。加的电压越高，门延时就会越来越小。这也反映了超频需要加电压。 但是这个等效的RC延时不会随着电压的增加而一直减小，这是由于等效电容收到晶体管生产制程的影响，不会一直减小，随着电压增加到一定值，电容值也就稳定不变。而等效沟道电阻最终也会趋向于定值。所以超频的时候，不会出现一直加电压一直超频。
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