SSD1306(OLED驱动芯片)指令详解

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基础命令:

1.页地址模式下设置列起始地址低位(Set Lower Column Start Address For Page Addressing Mode)(00h~0Fh)

此指令用于在页地址模式下设置GDDRAM的列起始地址(8位)的低4位, 页地址会在数据访

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2.页地址模式下设置列起始地址高位(Set Higher Column Start Address For Page Addressing Mode)(10h~1Fh)
此指令用于在页地址模式下设置GDDRAM的列起始地址(8位)的高4位, 页地址会在数据访问后递增

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3.设置内存地址模式(Set Memory Addressing Mode)(20h)
在SSD1306中有三种地址模式: 页地址模式, 水平地址模式和垂直地址模式, 此命令用于将地址模式设置为以上三种之一
'COL'的含义是GDDRAM列(column)

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页地址模式(A[1:0]=10b)
当处于此模式时, 在GDDRAM访问后(读/写), 列地址指针将自动增加1。如果列地址指针到达列终止地址, 列地址指针将复位到列起始地址, 但页地址指针不会改变。

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为了访问GDDRAM中下一页的内容, 用户必须设置新的页地址和列地址。页地址模式下页以及列地址指针的行为如下图所示

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通常在页地址模式下访问GDDRAM, 需要如下步骤来定义起始RAM访问指针指向:
-通过命令(B0h-B7h)设置目标显示位置页起始地址
-通过命令(00h-0Fh)设置列起始地址低位
-通过命令(10h-1Fh)设置列起始地址高位

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例如, 如果页地址是B2h, 列地址低位是03h, 列地址高位是10h, 起始列将为PAGE2的SEG3, GDDRAM访问指针的指向如下图所示

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水平地址模式(A[1:0]=00b)
当处于此模式时, 在GDDRAM访问后(读/写), 列地址指针将自动增加1。如果列地址指针到达列终止地址, 列地址指针将复位到列起始地址, 且页地址指针将自动增加1。
水平地址模式下页以及列地址指针的行为如下图所示, 如果列地址指针和页地址指针都到达各自的终止地址时, 他们都将复位到各自的起始地址。(图中虚线)

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垂直地址模式(A[1:0]=01b)
当处于此模式时, 在GDDRAM访问后(读/写), 页地址指针将自动增加1。如果页地址指针到达页终止地址, 页地址指针将复位到页起始地址, 且列地址指针将自动增加1。

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垂直地址模式下页以及列地址指针的行为如下图所示, 如果列地址指针和页地址指针都到达各自的终止地址时, 他们都将复位到各自的起始地址。(图中虚线)

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通常在(垂直/水平)地址模式下访问GDDRAM, 需要如下步骤来定义起始RAM访问指针指向:
-通过命令(21h)设置目标显示位置列起始地址以及列终止地址
-通过命令(22h)设置目标显示位置页起始地址以及页终止地址

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4.设置列地址(Set Column Address)(21h)
此指令用于设置GDDRAM的列起始地址和列结束地址, 并使列地址指针(指向GDDRAM中当前访问的列地址)指向列起始地址。
若内存地址模式为水平地址模式, 在访问一列数据后, 列地址指针将增加到下一个列地址。当结束访问终止列地址时, 列地址指针将复位至列起始地址, 且行地址指针将增加到下一行。

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5.设置页地址(Set Page Address)(22h)
此指令用于设置GDDRAM的页起始地址和页结束地址, 并使页地址指针(指向GDDRAM中当前访问的页地址)指向页起始地址。
若内存地址模式为垂直地址模式, 在访问一页数据后, 页地址指针将增加到下一个页地址。当结束访问终止页地址时, 页地址指针将复位至页起始地址。

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下图展示了例子中列地址指针和页地址指针的移动方式: 列起始地址设为2, 列终止地址设为125, 页起始地址设为1, 页终止地址设为6, 并使用水平地址模式。

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在此情况下, GDDRAM数据可范围范围在列2-列125, 页1-页6之内。同时列地址指针被设为2, 页地址指针被设为1。在访问数据后, 列地址自动增加1, 以访问下一数据(图中实线)
当结束访问终止列地址(125)时, 列地址指针复位到列2, 页地址指针自动增加1(图中实线), 当访问终止页地址6和终止列地址125所在数据后, 页地址指针复位到1, 列地址指针复位到2(图中虚线)

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6.设置屏幕起始行(Set Display Start Line)(40h-7Fh)
此命令用于设置屏幕起始行寄存器以设置GDDRAM起始地址, 取值范围为[0, 63]。若值为0, 则RAM第0行映射至COM0, 若值为1, 则RAM第1行映射到COM0, 以此类推。