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MM322WB0510如何使用一个谐振器产生的外部时钟

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1、使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的高速外部时钟
高速外部时钟(HSE) 可以使用一个 4 ~ 24MHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。
本节中所给出的信息是基于使用下表中列出的典型外部元器件,通过综合特性评估得到的
结果。在应用中,谐振器和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和
启 动时的稳定时间。有关晶体谐振器的详细参数(频率、封装、精度等),请咨询相应的
生产厂商。
原理框图如下:

注意事项:
1. 对于 CL1 和 CL2,建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5pF ~ 25pF 之间的瓷介电容器,并挑选符合要求的晶体或谐振器。通常 CL1 和 CL2 具有相同参数。晶体制造商通常以 CL1 和 CL2 的串行组合给出负载电容的参数。在选择 CL1 和 CL2 时,PCB 和 MCU 引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引脚与 PCB 板的电容按 10pF 估计)。
2. 相对较低的 RF 电阻值,能够可以为避免在潮湿环境下使用时所产生的问题提供保护,这种环境下产生的泄漏和偏置条件都发生了变化。但是,如果 MCU 是应用在恶劣的潮 湿条件时,设计时需要把这个参数考虑进去。
3. tSU(HSE) 是启动时间,是从软件使能 HSE 开始测量,直至得到稳定的 8MHz 振荡这段时间。这个数值是在一个标准的晶体谐振器上测量得到,它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
2、使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟
低速外部时钟(LSE) 可以使用一个 32.768KHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。
本节中所给出的信息是基于使用下表中列出的典型外部元器件,通过综合特性评估得到的
结果。在应用中,谐振器和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和
启动时的稳定时间。

注意: 对于 CL1 和 CL2,建议使用高质量的 5pF ~ 15pF 之间的瓷介电容器,并挑选符合要求的晶体或谐振器。通 常 CL1 和 CL2 具有相同参数。晶体制造商通常以 CL1 和 CL2 的串行组合给出负载电容的参数。负载电容 CL 由下式计算:CL = CL1 x CL2 /(CL1 + CL2) + Cstray,其中 Cstray 是引脚的电容和 PCB 板或 PCB 相关的电容,它的典型值是介于 2pF ∼ 7pF 之间。警告:为了避免超出 CL1 和 CL2 的最大值(15pF),强烈建议使用负载电容 CL ≤ 7pF的谐振器,不能使用负载电容为 12.5pF 的谐振器。例如:如果选择了一个负载电容 CL =6pF 的谐振器并且 Cstray = 2pF,则 CL1 = CL2 = 8pF。

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沙发
liu96jp| | 2024-2-6 15:27 | 只看该作者
这个讲解的就很细致了,非常不错的科普

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板凳
lix1yr| | 2024-2-6 16:31 | 只看该作者
其实就是内部接受这个时钟信号之后,进行倍频处理

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地板
t1ngus4| | 2024-2-6 17:37 | 只看该作者
估计内部芯片之中有个倍频电路的吧

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5
g0d5xs| | 2024-2-6 18:40 | 只看该作者
你这个介绍的是个RTC的晶振?

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6
d1ng2x| | 2024-2-6 19:46 | 只看该作者
这种晶振是不是没有倍频之说啊?

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7
ex7s4| | 2024-2-6 20:39 | 只看该作者
一般不都是外置一个低速晶振的么

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8
cen9ce| | 2024-2-7 08:22 | 只看该作者
原来MM32的外部高速晶振也可以用24MHz的频率啊?

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9
zhizia4f| | 2024-2-7 09:30 | 只看该作者
其实这种看看时钟树就好了,就很好理解外部时钟的作用和走向

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10
b5z1giu| | 2024-2-7 10:05 | 只看该作者
有点意思,设计了这么多电路,之前还没觉得晶振有这么个工作路线呢

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11
q1ngt12| | 2024-2-7 12:15 | 只看该作者
晶振其实建议选择比较低温漂,高精度的晶振,这样不会非常受环境影响

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