求高手解释该电路作用，在线等待........

登录 · 发表于 2012-5-9 09:28

请大家谅解，不知道如何上传图片，只能添加附件了
如附件所示为一推挽驱动电路，但我对里面部分器件作用不是很明确，其中V3B_AFE是0V~-VLOW幅度的方波，里面两个100欧姆电阻，BAT54-04以及C79与C80分别做什么用的呢？
请高手解答，板子马上就要投板了啊！

发表于 2012-5-9 09:29

等待中......

发表于 2012-5-9 09:38

回路具有感性，驱动源内阻一般很小，使能信号一般要串电阻进行阻尼，避免振铃；
开关关闭时的电流一般较大，为了加速关断过程，需要加快栅极电荷的泄放，故而电阻上反并一个二极管；
栅漏极并一个电容，是为了减缓关断时漏极的dv/dt, 保护MOSFET及优化EMI

发表于 2012-5-9 09:39

再描述一下吧：
V3B_AFE的驱动电流大致10ma，BAT05-04是双通道肖特基二极管，最大方向电压30V，前向电流200mA，前向电压（10mA）400mV，ZXND63为一P/NMOS双管，最低导通门限1V
我个人感觉有点像消除交越失真，但其二极管又没有上下拉到电源与地，比较疑惑啊。

发表于 2012-5-9 09:41

慢开快关，还能形成死区，避免双管同时导通

发表于 2012-5-9 09:43

3# PowerAnts
十分谢谢你的回答，栅漏增加电容回导致MOS管的Qg增加吧，这样不是不导致MOS管导通时时间增大吗？
另外，我板卡上面选择的肖特基二极管前向电压要比图上的小，后端的MOS管导通门限是1.5V，不知道这样搭配回存在问题吗？

发表于 2012-5-9 09:45

3# PowerAnts
十分感谢，高手啊。
这样的应用之前没遇到过，这次做CCD才遇到这个东西，
恕我愚钝哈，我还理解的不是很清楚，有没有更详细的解释呢？
谢谢，看来模电没学好不行啊

发表于 2012-5-9 09:46

5# PowerAnts
但死区不是会有交越失真嘛？

发表于 2012-5-9 09:49

线性放大才会有交越失真，效率在线性面前让步，不但不能有死区，而且过零处需要两管同时处于线性区去接替，降低交越失真。
方波驱动，效率第一，没有线性问题，故反之

发表于 2012-5-9 09:53

这个，好比媳妇对待明事理的婆婆与不明事理的婆婆，要用两种极端手段。用错了死的很难看。

发表于 2012-5-9 09:58

比喻真是一点都不优美

发表于 2012-5-9 09:59

5# PowerAnts
您好，为什么这里要增大死区，死区间输出电平有谁来保证呢？

发表于 2012-5-9 10:02

10# PowerAnts
按照前辈的解释，这里的肖特基二极管主要起到快速放电的目的，因此，主要考虑其方向电压以及最大前向电流就好了吧？

发表于 2012-5-9 10:02

多谢，昨天晚上我给儿子讲解：闻过则喜

发表于 2012-5-9 10:04

10# PowerAnts
另外，实际电路中我选择的MOS管门限电压比图中的高，为1.5V，这样的话是不是会进一步增加死区时间啊？这样存在什么隐患吗？
还望前辈指点！

发表于 2012-5-9 10:04

5# PowerAnts
您好，为什么这里要增大死区，死区间输出电平有谁来保证呢？
lczhoujq 发表于 2012-5-9 09:59

脉冲电路，逻辑电路对竞争冒险有容许，允许脉冲有一定的延迟

发表于 2012-5-9 10:05

10# PowerAnts
按照前辈的解释，这里的肖特基二极管主要起到快速放电的目的，因此，主要考虑其方向电压以及最大前向电流就好了吧？
lczhoujq 发表于 2012-5-9 10:02

对头

发表于 2012-5-9 10:11

十分感谢前辈的指点！

发表于 2012-5-10 08:21

6# lczhoujq
注意，C79和C80是并在G和D之间的

发表于 2012-5-10 12:23

mark 一下。。。