STM32 内部Flash读写程序源码

只看该作者 · 2023-11-27 22:47

STM32 内部Flash带缓存读写程序源码
由于STM32 系列Flash的Erase操作很多是按Page擦除，如果往Flash写入的数据或余数不够一个整Page，那么该Page其他数据也会被擦除掉。
所以这种情况想保持其他未操作数据不变的话，就要做缓存读写，既将要擦除Page的数据全读出来，与新写入的数据Merge后，再写入。这一块目前ST没有给出Demo，需要现写。

注意到Programming in the Flash memory performed by word or half-page 所以，Write API使用了按Word写入

只看该作者 · 2023-11-27 22:47

测试程序使用的单片机为STM32L0系列，PageSize为128B，

只看该作者 · 2023-11-27 22:48

Memory map如下：

下面是我以前写的API，首先是相关宏定义：

0 Macro
读写API内部调用的是STM32xx_hal_flash.c中的HAL_FLASH_Program API，如果使用不一样的Hal库，可以直接替换下方的Flash_WriteOneWord宏定义：

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#define  TRUE    1

#define  FALSE   0



typedef unsigned char   BOOL;       /* boolean data */

typedef unsigned char   FLAG;       /* boolean data */

typedef unsigned char   U8BIT;      /* unsigned 8 bit data */

typedef unsigned short  U16BIT;     /* unsigned 16 bit data */

typedef unsigned long   U32BIT;     /* unsigned 32 bit data */

typedef unsigned long   WORD;       /* unsigned 32 bit data */



#define PAGE_SIZE              FLASH_PAGE_SIZE  



#define Flash_WriteOneWord(a, b)            HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, a, b)

#define Flash_WriteOneHalfWord(a, b)        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, a, b)

只看该作者 · 2023-11-27 22:48

1.Flash_Erase
Erase主要负责写入之前清空的操作，由Wirte API判断要Erase多少Page

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/*****************************************************************************

 [url=home.php?mod=space&uid=139335]@name[/url] : Flash_Erase

 [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url] : Erase the whole page by NumtoErase

 @Param In : U32BIT StartAddr         

                     uint16_t PageNumtoErase  

 @Param Out : 

 [url=home.php?mod=space&uid=266161]@return[/url] : TURE for Success, FALSE for Failed

 

History      :

  1.Date   : Tuesday, June 04, 2018

    Author   : Howard Xue



*****************************************************************************/

BOOL Flash_Erase(uint32_t StartAddr, uint16_t PageNumtoErase)

{



        if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)

                return FALSE;

        

        uint32_t PageError_Tmp = 0;

        FLASH_EraseInitTypeDef Eras;

        Eras.NbPages = PageNumtoErase;

        Eras.PageAddress = StartAddr;

        Eras.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;

        

        if(HAL_FLASHEx_Erase(&Eras , &PageError_Tmp) != HAL_OK)

                return FALSE;





        if(HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK)

                  return FALSE;



        return TRUE;





}

只看该作者 · 2023-11-27 22:48

2. Flash_Read_Byte

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/*****************************************************************************

@Name : Flash_Read_Byte

@Brief : Read Internal Falsh data by address

@Param In : uint32_t StartAddr         

                      uint8_t  *ReadBuf

                      uint32_t NumToRead

@Param Out :   uint8_t  *ReadBuf

@Return : TURE for Success, FALSE for Failed

 

History      :

  1.Date   : Tuesday, June 04, 2018

    Author   : Howard Xue



*****************************************************************************/

BOOL Flash_Read_Byte(uint32_t StartAddr, uint8_t  *ReadBuf, uint32_t NumToRead)

{

        if(NumToRead== 0)

                return FALSE;

                

        uint32_t DataNum = 0;

        uint32_t ReadAddress = StartAddr;

        

        while(DataNum < NumToRead)

        {

                *(ReadBuf + DataNum) = *(__IO uint8_t  *)ReadAddress++;

                DataNum++;

        }

                return TRUE;

}

只看该作者 · 2023-11-27 22:49

写之前要先Erase，并且Unlock，这种方法是NoBuffer形式，既每次写入都会Erase 一个Page,（因为STM32 Erase都是最低以Page为单位，例如我的芯片是128B，不同的芯片FLASH_PAGE_SIZE 不用，直接copy 不需要修改）

只看该作者 · 2023-11-27 22:49

3.Flash_Write_NoBuffer

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/*****************************************************************************

@Name : Flash_Write_NoBuffer

@Brief : Write Flash without Buffer

@Param In : uint32_t StartAddr         

                      uint32_t  *pBufferToWrite

                      uint32_t NumToWrite

@Param Out :   uint32_t  *pBufferToWrite

@Return : TURE for Success, FALSE for Failed

 

History      :

  1.Date   : Tuesday, June 04, 2018

    Author   : Howard Xue



*****************************************************************************/

BOOL Flash_Write_NoBuffer(uint32_t StartAddr, uint32_t *pBufferToWrite, uint32_t NumToWrite)

{



        uint32_t PageNumtoErase = 1;//default

    uint32_t i;



        if(NumToWrite == 0)

                return FALSE;

        

        //GetPageNum to erase

        if(NumToWrite > FLASH_PAGE_SIZE)

        {

                PageNumtoErase = NumToWrite/FLASH_PAGE_SIZE + 1; 

        }

        

        //Erase whole page

        if(Flash_Erase(StartAddr, PageNumtoErase) != TRUE)

                return FALSE;

        

                //4.Write Buffer to Flash, Unlock -> write -> lock

        if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)

                return FALSE;

                

    for ( i = 0 ; i < (NumToWrite/4) ; i++ )

    {

                if(Flash_WriteOneWord(StartAddr + i * sizeof(uint32_t ), *pBufferToWrite) != HAL_OK)

                        return FALSE;

                        

        pBufferToWrite++;

    }



                 if(HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK)

                  return FALSE;



                return TRUE;



}

只看该作者 · 2023-11-27 22:49

4.Flash_Write_WithBuffer
BufferWrite其实就是先根据要写多少数据，算出相应需Erase的page数，之后将这些Page的数据全读出来，与新要写入的数据合并覆盖后，再写入。这样就实现除了要写入的地址数据，其他的数据不被Erase更改。

注意Wite传入参数如果是U8的需要强制转换成U32

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/*****************************************************************************

@Name : Flash_Write_WithBuffer

@Brief : Read Buffer from Flash ,Then Merge New Data and Write

@Param In : uint32_t StartAddr         

                      uint32_t  *pBufferToWrite

                      uint32_t NumToWrite

@Param Out :   uint32_t  *pBufferToWrite

@Return : TURE for Success, FALSE for Failed

 

History      :

  1.Date   : Tuesday, June 04, 2018

    Author   : Howard Xue



*****************************************************************************/

BOOL Flash_Write_WithBuffer(uint32_t StartAddr, uint32_t *pBufferToWrite, uint32_t NumToWrite)

{



        uint8_t PageNumtoErase = 1;//default is erase 1 page.

    uint32_t i;

        uint32_t ReadBuffer_Length = 0;

//        uint8_t ReadBuffer[FLASH_PAGE_SIZE] = {0};



        if(NumToWrite == 0)

                return FALSE;

        

        //GetPageNum to erase

        if(NumToWrite > FLASH_PAGE_SIZE)

        {

                PageNumtoErase = NumToWrite/FLASH_PAGE_SIZE + 1; 

        }



        ReadBuffer_Length = PageNumtoErase*FLASH_PAGE_SIZE;



        U32BIT *pReadBuffer = (U32BIT *)calloc(1, ReadBuffer_Length);

        U32BIT *pReadBufferCount = pReadBuffer;

        

        //1.Read orginal data from flash

        Flash_Read_Byte(StartAddr,(U8BIT *)pReadBuffer,ReadBuffer_Length);



        //2.Merge New Data for Write

        memcpy(pReadBufferCount,pBufferToWrite,NumToWrite);



        //3.Erase whole page

        if(Flash_Erase(StartAddr, PageNumtoErase) != TRUE)

                return FALSE;



        //4.Write Buffer to Flash, Unlock -> write -> lock

        if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)

                return FALSE;

                

    for ( i = 0 ; i < (ReadBuffer_Length/4) ; i++ )

    {

        if(Flash_WriteOneWord(StartAddr + i * sizeof(uint32_t ), *pReadBufferCount) != HAL_OK)

                        return FALSE;

                

                pReadBufferCount++;

    }



         

        if(HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK)

                return FALSE;



         free(pReadBuffer);

         return TRUE;

        



}

只看该作者 · 2023-11-27 22:50

5. Test
Test程序中，先Flash_Write_NoBuffer将Data全部写入Flash，然后更改几个下次要写入的数值，只写入更改的数据，这样FlashBufferWrite就会仅更新更改的数值，其他数值不变（如果不使用BufferWrite，Flash同一Page其他数据都会被Erase）
注意Wite传入参数如果是U8的需要强制转换成U32

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void FlashTest()

{

        U8BIT Data_W[64] = {0xFA,0xFA,0xFE,0xFE,0xFA,0xFA,0xFE,0xFE,0xFA,0xFA,0xFE,0xFE,0xFA,0xFA,0xFE,0xFE,0xFA,0xFA,0xFE,0xFE,0xFA,0xFA,0xFE,0xFE};

        U8BIT Data_R[64] = {0};

    U32BIT FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR = 0x08028000; //Address for test



        Flash_Read_Byte（FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR, Data_R,sizeof(Data_R));



        Flash_Write_NoBuffer(FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR,(U32BIT *)&Data_W[0],sizeof(Data_W));



        Flash_Read_Byte(FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR, Data_R,sizeof(Data_R));



        Data_W[0] = 0;

        Data_W[1] = 1;

        //Merge new data and write, ohter data will contained

        Flash_Write_WithBuffer(FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR,(U32BIT *)&Data_W[0],4);

        

        Flash_Read_Byte(FLASH_DATAZONE_BASE_ADDR, Data_R,sizeof(Data_R));

}

只看该作者 · 2024-7-21 07:30

需要靠近在外部添加一个钳位二极管

只看该作者 · 2024-7-21 09:26

ESD电压通过接地放掉

只看该作者 · 2024-7-21 10:29

电阻消耗过电压的能量

只看该作者 · 2024-7-21 12:25

当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态）

只看该作者 · 2024-7-21 13:28

在信号线中串联小电阻其主要目的是对引脚的保护

只看该作者 · 2024-7-21 14:31

根据电荷守恒：Qinitial=Qfinal

只看该作者 · 2024-7-21 16:27

并且衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数

只看该作者 · 2024-7-21 17:30

需要更大的齐纳二极管来承受能量

只看该作者 · 2024-7-21 19:26

就导通接地放掉

STM32 内部Flash读写 程序源码

STM32 内部Flash读写程序源码