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[技术讨论]

一道经典的二极管压降的问题，难倒了大部分工程师

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楼主
zeshoufx|  楼主 | 2024-3-7 14:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
工程师, 压降, 二极管
如图所示两只参数完全相同的二极管，求各二极管的压降（硅二极管正向压降为0.7V，锗二极管正向压降为0.3V）

二极管.jpeg (10.52 KB )

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cmyldd 2024-3-8 09:10 回复TA
看到口哑哑的 

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沙发
xmar| | 2024-3-7 15:32 | 只看该作者
理想情况下，正向（左）二极管压降0V。反向（右）二极管压降1.5V。（二极管导通电流为0）
一般情况下，正向（左）二极管压降大约0.1V。反向（右）二极管压降大约1.4V。（二极管导通电流大约为：硅二极管10uA，锗二极管100uA）

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板凳
王栋春| | 2024-3-7 16:27 | 只看该作者
左侧应该二极管是0V，右侧应该是反向的1.5V。

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地板
tyw| | 2024-3-7 17:02 | 只看该作者

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linqing171 2024-3-9 14:26 回复TA
T叔，右边这个万用表走的电流不能忽略，所以右面的这个万用表省略后，左边测量的值更小，右面测量的值更大一点。 
captzs 2024-3-8 20:20 回复TA
@wanwenhao1 ：对！ 
wanwenhao1 2024-3-8 19:33 回复TA
换不同型号的二极管，测量的结果绝不可能相同。 
xch 2024-3-7 19:28 回复TA
@captzs ：无关 
captzs 2024-3-7 18:44 回复TA
与Is的大小有关 
5楼
xch| | 2024-3-7 20:04 | 只看该作者
本帖最后由 xch 于 2024-3-8 09:03 编辑

解方程：
Vd1+Vd2 = 1.5;
Id1= Id2 = Isat[exp(Vd1*q/kt)-1] = -Isat [exp(-Vd2*q/kt)-1] ;

exp(Vd1*q/kt)-1 = 1- exp(-Vd2*q/kt); // kt/q  常温下约等于26mV，结果是温度t的函数，与饱和电流Isat无关；

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xch 2024-3-8 17:45 回复TA
使用牛顿迭代法解方程，计算常温时二极管压降分别为 0.0180218267 V 和 1.4819781733 V 
6楼
eydj2008| | 2024-3-8 08:30 | 只看该作者
这么简单的题目，实在不行弄个电源一量。 仿真简单的仿真器不会出错的，错的是参数设置。

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7楼
ezcui| | 2024-3-8 10:42 | 只看该作者
D1>0，D2<1.5

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wanwenhao1 2024-3-8 19:31 回复TA
这个答案靠谱！ 
8楼
jhcj2014| | 2024-3-8 13:58 | 只看该作者
有空就搭个电路实际测量下

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jhcj2014 2024-3-8 20:49 回复TA
@wanwenhao1 ：嗯，有道理。 
wanwenhao1 2024-3-8 19:30 回复TA
这个显然取决于二极管在1.5V情况下的反向漏电流大小。 不同的二极管，这个反向漏电流指标天壤之别。同时二极管的漏电流又与温度有关系，所以不确定二极管的型号及试验温度，结果也是不确定的。 
9楼
ocon| | 2024-3-9 16:19 | 只看该作者
受温度影响无法精确计算

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10楼
captzs| | 2024-3-10 17:40 | 只看该作者
此电路，反偏压二极管的反向饱和电流是正偏压二极管的正向导通电流Id=Is。前者等效电阻很大，其压降占1.5V电压的大部分，但是不知可用什么公式计算。而后者的压降随导通电流Id的增大而减小，呈负阻效应，按照此思路，就可计算正向导通压降，减1.5V便是前者的压降。

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11楼
xionghaoyun| | 2024-3-11 08:37 | 只看该作者
吃瓜群众+1 不明觉厉+1

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12楼
captzs| | 2024-3-11 19:48 | 只看该作者
又见BIK0。
楼主抛出此“技术讨论”题，却不露脸.

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13楼
captzs| | 2024-3-13 11:24 | 只看该作者
本帖最后由 captzs 于 2024-3-13 11:31 编辑

给个仿真，左右电路除了Is参数不同以外，其他参数完全一致。Id=Is越小，Vd越大。

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14楼
captzs| | 2024-3-15 20:36 | 只看该作者
此电路用于难倒大部分工程师就没什么意思，如果用于分析PN结的负阻效应，而推导出计算方法，就有普遍意义。

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