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电路设计时候做开关管选mos还是三极管好?

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AloneKaven|  楼主 | 2024-3-27 15:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
这两个好像挺相近的,怎么区分哪个更好啊?

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我们习惯用MOS,

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flycamelaaa| | 2024-3-31 20:16 | 显示全部楼层
在电路设计中,选择MOS管还是三极管作为开关管,主要取决于具体的应用需求、工作条件以及器件的特性。

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flycamelaaa| | 2024-3-31 20:16 | 显示全部楼层
总的来说,MOS管适用于需要高功率、高频率和高电压的场合,而三极管更适用于低功率、小信号放大和开关电路。

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中国龙芯CDX| | 2024-3-31 21:55 | 显示全部楼层
这个还是跟具体的使用电路有关系的

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cashrwood| | 2024-4-5 21:08 | 显示全部楼层
若需要高输入阻抗,则选择MOS管;若需要低输入阻抗,则选择三极管。

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jackcat| | 2024-4-6 16:55 | 显示全部楼层
如果需要高速、低功耗的应用,且对价格不太敏感,MOSFET可能是更好的选择。如果成本是一个关键因素,且对速度要求不是特别高,三极管可能更适合。

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sheflynn| | 2024-4-6 21:27 | 显示全部楼层
MOS管:
优点:

输入阻抗极高,几乎不消耗输入电流,适合高阻抗应用。
开关速度快,适合高频应用。
电压控制,无需基极电流,控制更加灵活。
寿命较长,热稳定性较好。
缺点:

导通电阻较大,导通状态下的功耗较高。
需要更高的驱动电压,可能需要额外的电压转换电路。
对静电敏感,需要采取ESD防护措施。

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albertaabbot| | 2024-4-7 11:22 | 显示全部楼层
对于小电流应用,MOS管的内阻小,压降低;而对于大电流应用,三极管因其导通压降恒定,功耗更低。

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1988020566| | 2024-4-7 18:15 | 显示全部楼层
若控制电压较低,三极管可能是更好的选择,因为MOS管需要较高的电压才能导通。

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jonas222| | 2024-4-8 15:34 | 显示全部楼层
如果需要高速、高阻抗和灵活控制的开关,可以选择MOS管;如果需要低功耗、大电流和低成本的开关,可以选择三极管。

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tabmone| | 2024-4-9 11:36 | 显示全部楼层
MOS管的优势在于驱动简单和能够处理较大的电流。

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maqianqu| | 2024-4-9 18:43 | 显示全部楼层
三极管是一种电流控制型器件,其输入阻抗较低,因此响应速度快,适合于需要快速反应的应用场景。三极管在导通时的饱和电阻较小,这使得其在大电流场合下的功耗较低。然而,三极管的热稳定性和噪声性能相比MOS管略逊一筹,容易受到温度变化的影响。

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dspmana| | 2024-4-10 10:53 | 显示全部楼层
栅极电荷大,驱动功耗大,驱动电路设计复杂

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geraldbetty| | 2024-4-11 19:29 | 显示全部楼层

MOSFET的优点:
开关速度快:MOSFET的开关速度远高于三极管,适合高速应用。
输入阻抗高:MOSFET的输入阻抗较高,几乎不需要输入电流,因此输入驱动电路简单。
功耗低:由于开关速度快,导通时间短,因此整体功耗较低。
控制方便:MOSFET可以通过简单的逻辑电平控制,适合数字控制。
MOSFET的缺点:
开启电阻大:MOSFET的开启电阻(Rds(on))通常比三极管大,会导致开关时的能量损耗。
驱动要求高:MOSFET需要较高的驱动电流以达到饱和导通,特别是在驱动较大的电流时。
耐压限制:MOSFET的耐压通常有限,不适合高电压应用。
三极管的优点:
耐压高:三极管可以承受较高的电压,适合低压应用。
驱动电流小:三极管的驱动电流较小,驱动电路简单。
饱和电压低:三极管在饱和状态下的电压较低,有助于减少功耗。
三极管的缺点:
开关速度慢:三极管的开关速度远低于MOSFET,适用于低频应用。
输入阻抗低:三极管的输入阻抗较低,需要一个较高的输入电流。
功耗相对较高:由于开关速度慢和导通时间长,三极管的功耗通常高于MOSFET。

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maqianqu| | 2024-4-12 05:47 | 显示全部楼层
三极管的开关速度通常比MOS管快,因为三极管的导通和截止状态之间的转换更迅速。如果电路对开关速度有较高要求,例如在高频应用中,三极管可能是更好的选择。

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abotomson| | 2024-4-12 10:41 | 显示全部楼层
MOS管在导通状态下的漏源电阻(rDS)通常比晶体三极管的饱和电阻(rCES)要大,这可能导致在MOS管的充放电时间较长。

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一般我觉得选择用MOS的话比较好吧

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wwppd| | 2024-4-12 12:55 | 显示全部楼层
MOS管是基于场效应原理工作的,当给栅极施加正电压时,栅极下方的半导体表面会形成导电沟道,使得源极和漏极之间产生电流;而三极管则是电流控制器件,通过控制基极电流来达到控制输出电流的目的。

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我吃小朋友| | 2024-4-12 13:00 | 显示全部楼层
其实三极管考虑的条件比较多,我更喜欢是用MOS

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