IGBT的驱动电路及短路保护

1万 · 2024-6-12 20:53

额外的双向电压稳压器(D3和D4)用于保护电源器件免受静电放电。

只看该作者 · 2024-6-14 10:41

短路保护常通过检测IGBT的饱和压降配合驱动电路来实现。当IGBT退出饱和区时，驱动器可以发现并关闭门极。对于过流保护，则常采用电流传感器来感知电流的数值，对系统进行保护。

只看该作者 · 2024-6-14 22:33

为了安全起见，驱动电路通常需要与主电路电气隔离，常用的隔离方式有光耦隔离和磁耦隔离等。

只看该作者 · 2024-6-15 15:49

现代的驱动电路往往集成了多种保护功能，如过流保护、短路保护等，以增强系统的可靠性。

只看该作者 · 2024-6-15 16:37

为驱动电路提供稳定的电源，通常需要正负电源来确保IGBT能够完全关断。

只看该作者 · 2024-6-15 18:18

常见的过电流保护方法包括采用保险丝或断路器、热敏电阻、过电流检测电路以及软关断技术等。这些策略的目标是在检测到过电流或短路时，及时切断IGBT的输入电源或调整其驱动电压和电流，以避免损坏。

1万 · 2024-6-15 19:48

实时监控IGBT的工作电流，为短路保护提供依据

只看该作者 · 2024-6-15 20:25

光耦合器或磁隔离器，用于隔离控制逻辑电路与功率电路，防止高压回流损害控制电路。

只看该作者 · 2024-6-16 10:42

驱动电路应具备过热、短路等保护功能，以提高系统的可靠性。

只看该作者 · 2024-6-16 11:40

驱动电路应保证IGBT能够快速响应控制信号的变化，实现高效的开关操作。

只看该作者 · 2024-6-16 13:07

IGBT 需要一个高驱动电压(通常 + 15 v) ，驱动电路需要将低电压控制信号提高到所需的水平。

只看该作者 · 2024-6-16 18:50

IGBT的驱动电压通常在15V到20V之间，具体取决于IGBT的型号和应用场合。驱动电压过高会导致IGBT损坏，而驱动电压过低则可能导致IGBT无法正常开关。

只看该作者 · 2024-6-16 19:46

在开启状态下，栅极驱动电压不能超过参数表规定的限制值(通常为20V)，而最佳的栅极正向偏压电压为15V ± 1.5V。在关闭状态下，当IGBT处于阻断状态时，可以在栅极和源极之间添加-5 ~ -15V的反向电压，以减小关断时间，提高IGBT的阻挡能力和抗干扰能力。

2万 · 2024-6-17 13:50

IGBT的驱动速度应足够快，以确保在实际应用中能够快速响应外部信号的变化。驱动速度过慢可能导致IGBT无法及时开关，从而影响系统的性能。

只看该作者 · 2024-6-17 15:09

为了保证安全和提高系统的抗干扰能力，驱动电路常常需要和IGBT的控制电路之间有电气隔离。

只看该作者 · 2024-6-19 20:49

在短路发生时，不是立即切断门极电压，而是逐渐降低门极电压，使IGBT缓慢关断，以减小关断时的电压尖峰和电流冲击。

1万 · 2024-6-19 21:10

在高温或高电流条件下，IGBT可能会进入饱和状态。去饱和电路可以提供额外的门极电压，以驱动IGBT退出饱和。

只看该作者 · 2024-6-20 21:22

选择适当的栅极串联电阻(RG)对IGBT的驱动至关重要。RG影响开关损耗，主要与输入电容充放电的动态电流变化有关。通常选择从几十欧姆到几百欧姆的适当RG值。

只看该作者 · 2024-6-21 09:53

包括过流保护、欠压锁定（UVLO）、短路保护等，以确保IGBT在异常情况下能够安全关断。