IGBT与MOS管的区别

1万 · 2024-5-14 18:36

IGBT通常具有更高的电压和电流能力，使其非常适合于高电压、大功率应用，如电力供应、电机驱动和可再生能源系统。
虽然MOS管也有高压和大电流的品种，但在同等尺寸和成本下，它们通常无法与IGBT竞争。

只看该作者 · 2024-5-15 09:00

IGBT：由MOSFET结构和一个双极型晶体管（BJT）结构组成。它有一个绝缘栅，一个PN结和一个集电极。
MOSFET：由一个金属栅极、一个绝缘层（通常是氧化硅）、一个半导体层组成。它是一个电压控制型器件，具有三个引脚：源极、栅极和漏极。

1万 · 2024-5-15 12:21

MOSFET在低、中等功率的应用中更具优势，因为它可以处理很大的电流（可达KA级别），但耐压能力相对较弱。MOSFET的开关速度非常快，可以达到几百kHz甚至MHz。
IGBT在处理高电压和大电流方面具有优势，适合高功率应用。它的开关速度相对较慢，目前硬开关速度可以达到100kHz。IGBT的导通损耗和关断损耗通常比MOSFET高，但在高压和大电流应用中，它的性能仍然非常出色。

只看该作者 · 2024-5-15 15:33

IGBT：结合了MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管（BJT）的优点，是半导体开关器件的理想选择。它采用MOSFET的高输入阻抗和高开关速度，以及双极晶体管的低饱和电压，能够处理大的集电极-发射极电流，几乎没有栅极电流驱动。
MOS管：是半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。它是一个由改变电压来控制电流的器件，具有G（栅极）、D（漏极）和S（源极）三个极。