GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？

只看该作者 · 2024-8-5 09:16

如下图所示，GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间，其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间，TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家一般使用的均为通用SRAM空间，这部分SRAM使用的时候没有限制，作为堆栈、变量、DMA使用等都可以，但TCMSRAM一般不使用，有的时候可能会被大家遗忘，如果大家碰到SRAM资源不足的时候，可以看看是否有TCMSRAM没有用到，如果没有用到，可以参考下本视频将TCMSRAM使用起来，你将会多出64KB的SRAM空间。

而TCMSRAM如何使用呢？TCMSRAM为紧耦合SRAM，该SRAM仅可被M4内核访问，因而该TCMSRAM空间不能被外设比如DMA访问，TCMSRAM与处理器内核直连，具有更快的访问速度和更低的访问延迟，可以用于加速关键任务的执行，提高系统的实时性能和响应速度。

使用TCMSRAM可以使用分散加载的方式，将需要放置到TCMSRAM中的变量手动加载到TCMSRAM中，具体有以下两种方法：

1. 直接通过 __attribute__加载到TCMSRAM中，如下所示。

C
uint32_t TX_Data[5] __attribute__((at(0x10000000)))={0};

2. 通过修改SCT文件，并将变量分散加载到对应的段中，如下所示。

C
代码中的操作如下：
uint32_t TX_Data[5] __attribute__((section(".bss.RAM_Array")))={0};
SCT文件中的配置如下：
LR_IROM1 0x08000000 0x00300000  { ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00300000  {  ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
  }
  RW_IRAM2 0x10000000 0x00010000  {
  main.o(.bss.RAM_Array)
  }
}

具体软件代码可参考以下demo:

https://juwokeji.feishu.cn/wiki/EYhWwRzy7iBlqIkjyixchHn9nDg?fromScene=spaceOverview#doxcnx77nHfz9logALLzZG4jkKd

以上即为本期讲解，如有问题或建议，欢迎评论区讨论。

本教程由GD32 MCU方案商聚沃科技原创发布，了解更多GD32 MCU教程，关注聚沃科技官网，GD32MCU技术交流群：859440462