ESD/EOS防护怎么做效果最好？为什么加了TVS的芯片IO口还是被浪涌烧了？

只看该作者 · 2024-8-19 07:48

根据应用环境和电路特性选择合适的ESD/EOS保护器件，如TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管、齐纳二极管、GDT（Gas Discharge Tube）、ESD保护二极管等。

2万 · 2024-8-19 09:23

确保良好的接地，使用大面积接地层，减少接地阻抗。

只看该作者 · 2024-8-19 10:58

如果其响应速度或者疏导能力不足，也可能导致通过过多电流进入芯片内部，造成损坏。

只看该作者 · 2024-8-19 12:35

结合使用TVS、ESD保护二极管、电容和网络等，以实现更全面的保护。

1万 · 2024-8-19 14:09

选择合适的TVS二极管，使其钳位电压和响应时间满足系统要求。

只看该作者 · 2024-8-19 15:43

使用齐纳二极管或者肖特基二极管来钳位过高的电压。

1万 · 2024-8-19 17:20

许多芯片内部都集成了ESD保护电路（如钳位二极管），但这些保护电路通常只能应对一定范围内的ESD事件。对于浪涌电压等高强度瞬态事件，内部保护电路可能无法提供足够的保护。

只看该作者 · 2024-8-21 14:12

最小化保护装置和敏感元件之间的距离，以减少感应电感和分布电容的影响。

只看该作者 · 2024-9-3 08:03

确保良好的接地，避免长距离布线，降低电容效应，并正确布局敏感元件。

只看该作者 · 2024-9-3 14:36

采用多层保护机制，包括系统级、板卡级和芯片级的保护设计。

只看该作者 · 2024-9-4 22:53

选择正确的esd设备，考虑其坚固性、效率、响应速度和透明度，以及这些设备的正确放置和配置

只看该作者 · 2024-9-5 23:24

当浪涌到达时，tvs二极管的响应速度可能不足以立即导通，导致一些能量不能及时释放。

只看该作者 · 2024-9-7 06:22

Tvs的工作原理是在正常电压下保持高阻抗，在出现尖峰时迅速降至低阻抗，为提供分流路径

只看该作者 · 2024-9-7 10:46

向电力线添加去耦电容可以吸收瞬态电流并降低电压波动。

只看该作者 · 2024-9-8 13:05

TVS二极管的功率容量可能不足以吸收电涌产生的能量，尤其是在高能电涌事件中。

只看该作者 · 2024-9-9 13:00

tvs以外的其他保护元件，如电阻、电容等。，失败或参数不合适。

只看该作者 · 2024-9-11 09:15

热插拔要求连接器上有长针脚和短针脚

只看该作者 · 2024-9-26 06:27

如果tvs没有放置在正确的位置，它可能不会足够快地转移(消耗)电流，导致电流进入芯片内部并造成损坏。

只看该作者 · 2024-9-26 16:34

使用多点接地或接地层来降低地电位差。

只看该作者 · 2024-10-13 19:47

在系统设计期间，必须充分考虑各种可能的esd/eos源和入侵途径。