ESD/EOS防护怎么做效果最好？为什么加了TVS的芯片IO口还是被浪涌烧了？

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聚沃科技
发布时间: 2024-8-8 09:37

正文摘要:

前面讲解过如何防止热插拔烧坏单片机 和芯片烧坏时发生了什么？为什么总是VDD短路？甚至封装开裂冒烟？ 很多网友热烈讨论，其中大家最常用和惯性的经验就是GPIO防护使用TVS。那么也看到有评论说用了TVS后IO口还是烧 ...

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Amazingxixixi 发表于 2025-1-24 14:12
学习一下，提升自己

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LLGTR 发表于 2025-1-13 23:01
电视和受保护设备之间的距离太长，导致浪涌电流在到达电视之前损坏设备。,

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流星flash 发表于 2025-1-12 08:07
tvs和受保护设备之间的距离太长，导致浪涌电流在到达tvs之前损坏设备。

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LinkMe 发表于 2024-11-4 23:43
ESD/EOS防护效果最佳的方式是综合考虑电路设计和防护元件，如使用TVS、放电二极管等。芯片IO口被浪涌烧坏可能是保护电路的设计不足或选型不当，需针对具体应用场景进行优化。

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明日视界 发表于 2024-10-29 21:07
使用齐纳二极管或肖特基二极管箝位过压。

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IntelCore 发表于 2024-10-17 21:38
tvs的箝位电压太高，不能有效地保护器件。电视的响应时间太慢，无法及时响应电涌。

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软核硬核 发表于 2024-10-13 19:47
在系统设计期间，必须充分考虑各种可能的esd/eos源和入侵途径。

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wex1002 发表于 2024-9-26 16:34
使用多点接地或接地层来降低地电位差。

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单芯多芯 发表于 2024-9-26 06:27
如果tvs没有放置在正确的位置，它可能不会足够快地转移(消耗)电流，导致电流进入芯片内部并造成损坏。

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Pretext 发表于 2024-9-11 09:15
热插拔要求连接器上有长针脚和短针脚

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天天向善 发表于 2024-9-9 13:00
tvs以外的其他保护元件，如电阻、电容等。，失败或参数不合适。

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digit0 发表于 2024-9-8 13:05
TVS二极管的功率容量可能不足以吸收电涌产生的能量，尤其是在高能电涌事件中。

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鹿鼎计 发表于 2024-9-7 10:46
向电力线添加去耦电容可以吸收瞬态电流并降低电压波动。

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AIsignel 发表于 2024-9-7 06:22
Tvs的工作原理是在正常电压下保持高阻抗，在出现尖峰时迅速降至低阻抗，为提供分流路径

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芯路例程 发表于 2024-9-5 23:24
当浪涌到达时，tvs二极管的响应速度可能不足以立即导通，导致一些能量不能及时释放。

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朝生 发表于 2024-9-4 22:53
选择正确的esd设备，考虑其坚固性、效率、响应速度和透明度，以及这些设备的正确放置和配置

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理想阳 发表于 2024-9-3 14:36
采用多层保护机制，包括系统级、板卡级和芯片级的保护设计。

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V853 发表于 2024-9-3 08:03
确保良好的接地，避免长距离布线，降低电容效应，并正确布局敏感元件。

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usysm 发表于 2024-8-19 17:20
许多芯片内部都集成了ESD保护电路（如钳位二极管），但这些保护电路通常只能应对一定范围内的ESD事件。对于浪涌电压等高强度瞬态事件，内部保护电路可能无法提供足够的保护。

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pentruman 发表于 2024-8-19 15:43
使用齐纳二极管或者肖特基二极管来钳位过高的电压。

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