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ESD/EOS防护怎么做效果最好?为什么加了TVS的芯片IO口还是被浪涌烧了?

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sd, os, TVS, IO, ESD
前面讲解过如何防止热插拔烧坏单片机 芯片烧坏时发生了什么?为什么总是VDD短路?甚至封装开裂冒烟? 很多网友热烈讨论,其中大家最常用和惯性的经验就是GPIO防护使用TVS
那么也看到有评论说用了TVSIO口还是烧坏了,那么今天我们聊聊对于ESD/EOS怎么防护效果最好?TVS如何使用效果最佳呢?
前面视频讲过物理损坏最终一般是热应力损坏,而损坏原因无非是两个:能量过大和介质太薄弱。
1、首先对于能量过大,我们最简单的做法是消耗这个能量,那么最低成本就是电阻,使用电阻限制住能量在通道上的传输,限制最终进入IC内部的能量。
2、对于介质太薄弱,我们可以理解一般CPUMCU、存储器、逻辑器件这类芯片都是数字芯片,一般采用比较先进的制程工艺,芯片内部的管子尺寸、线宽和厚度都是非常小的,所以这类芯片相对电源、功率器件都是较为薄弱的介质。所以我们需要对干扰和能量在进入芯片前进行泄放。
所以防护手段简单来说两个:堵和疏。那电阻的作用就是堵,TVS的作用就是疏。
那为什么会有加了TVS还是疏不通芯片被烧的情况呢?
其实不是疏不通,而是疏得不够快,疏得不够快的原因可能是TVS放置位置不佳,同时还有一个很多人会忽略的点,就是芯片IO内部一般也有疏通路径(钳位二极管)。
IO口结构上一般都有钳位二极管,通过MOS的寄生二极管实现的,其主要用途是ESD保护用,不过这个ESD主要指HBM等人体放电、空气放电ESD类型,这种ESD特点是电压高但时间快,所以能量是有限的,芯片内部二极管快速动作就可以把能量从VDDVSS泄放掉。
所以这个图的瞬间过压产生时电流路径,这个内部钳位二极管会和外部TVS分摊疏通路径,让大部分能量还是进入了芯片内部,如果是浪涌能量则内部的ESD电路是无法承受,芯片就容易在有TVS的情况下还是被烧坏。
所以我们可以在TVS路径后添加一个电阻,这样过压产生时,电阻限制了从这个路径上到芯片内部的电流,同时让IO口测的电压在电流经过时低于外部TVS处,TVS也能先于内部开启,发挥出TVS的最大作用。
改善后的外部电路如下,来自红枫派开发板原理图的复位电路接口设计,一定要注意的是路径先经过TVS再经过电阻后连接到GPIO口,欢迎大家用红枫派开发板一起交流学习。
教程由GD32 MCU方案商聚沃科技原创发布,了解更多GD32 MCU教程,关注聚沃科技官网,GD32MCU技术交流群:859440462

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沙发
tpgf| | 2024-8-9 15:47 | 只看该作者
TVS用于迅速分流过量电流,而电阻则通过限制电流来保护敏感元件

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板凳
qiufengsd| | 2024-8-13 08:03 | 只看该作者
合理的设计PCB布局和布线,确保敏感信号线远离电源线和高速数字信号线,减少耦合和干扰。

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地板
renzheshengui| | 2024-8-13 09:13 | 只看该作者
仅仅依靠TVS并不总是足够的。如果TVS的反应速度不够快,或者其位置不佳,泄流效果可能大打折扣。此外,许多芯片IO口内部有钳位二极管,这也可能影响TVS的效率

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5
bestwell| | 2024-8-13 09:48 | 只看该作者
选择合适的ESD器件,考虑其鲁棒性、高效性、响应速度和透明度,以及正确放置和配置这些器件

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6
updownq| | 2024-8-13 10:36 | 只看该作者
电路设计可能存在其他问题,如接地不良、布线不合理等,这些问题也可能导致浪涌能量未能有效泄放。

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7
pl202| | 2024-8-13 11:43 | 只看该作者
TVS的钳位电压过高,无法有效保护器件。
TVS的响应时间过慢,无法及时响应浪涌。

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8
adolphcocker| | 2024-8-13 13:16 | 只看该作者
TVS与被保护器件之间的距离过远,导致浪涌电流在到达TVS之前已经损坏器件。

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9
wakayi| | 2024-8-13 14:24 | 只看该作者
这种配置可以确保在过压发生时,电阻限制了流向芯片内部的电流,同时使得TVS能够在内部二极管之前启动,从而提高整体防护效果

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uptown| | 2024-8-13 14:54 | 只看该作者
为了防止疏得不够快的问题,可以在TVS路径后添加一个电阻。这个电阻能够限制瞬间过压产生时从路径上到芯片内部的电流,同时让IO口测的电压在电流经过时低于外部TVS处,这样能确保TVS先于内部电路开启,发挥出最大作用。

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11
beacherblack| | 2024-8-13 16:27 | 只看该作者
选择合适的 TVS 器件,确保其响应速度、钳位电压和功率承受能力满足要求。
正确布局 TVS,使其尽可能靠近被保护的 IO 口,减少寄生电感。

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12
ulystronglll| | 2024-8-13 18:01 | 只看该作者
采用多层防护机制,包括在系统级、板级和芯片级进行防护设计。

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13
51xlf| | 2024-8-13 19:39 | 只看该作者
在电源线上增加去耦电容,可以吸收瞬态电流,减小电压波动。

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chenjun89| | 2024-8-13 19:46 | 只看该作者
热插拔要在连接器上做长短针处理的

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15
pmp| | 2024-8-13 21:16 | 只看该作者
尽量缩短保护器件与敏感元件之间的距离,减少感应电感和分布电容的影响。

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16
everyrobin| | 2024-8-13 22:53 | 只看该作者
确保良好的接地,避免长距离布线,减少电容效应,以及合理布局敏感元件。

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17
paotangsan| | 2024-8-14 20:59 | 只看该作者
TVS的操作原理是在正常电压下保持高阻抗,当出现尖峰电压时迅速降至低阻抗,从而提供一条分流路径

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18
wowu| | 2024-8-14 21:09 | 只看该作者
在系统设计中,要充分考虑各种可能的ESD/EOS来源和入侵路径

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19
sdlls| | 2024-8-14 21:41 | 只看该作者
TVS 与 IO 口之间的走线过长,寄生电感较大,影响了 TVS 的响应速度和效果。

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20
loutin| | 2024-8-15 10:51 | 只看该作者
如果其响应速度或者疏导能力不足,也可能导致通过过多电流进入芯片内部,造成损坏。

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