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[CW32F030系列]

CW32F030C8T6特色及优势点‍

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sesefadou| | 2024-11-9 07:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
CW32F030C8T6是武汉芯源半导体推出的一款基于ARM Cortex-M0+内核的32位微控制器(MCU),具有多种特色和优势

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1988020566| | 2024-11-9 09:59 | 只看该作者
内置64K字节的FLASH和8K字节的RAM,为用户提供了充足的程序和数据存储空间。

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yorkbarney| | 2024-11-9 12:05 | 只看该作者
具备8KV ESD和4KV EFT的抗干扰能力,能够从容应对各种电磁干扰环境。

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minzisc| | 2024-11-9 14:07 | 只看该作者
与STM32F030C8T6、STM32F103C8T6等同封装的MCU硬件完全兼容,软件及固件库与STM32风格一致,可快速上手

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deliahouse887| | 2024-11-9 16:05 | 只看该作者
CW32F030C8T6配备了12位的高精度ADC,转换速度达到1M SPS(每秒百万次采样),并且ADC性能考核结果显示其INL(积分非线性)和ENOB(有效位数)均达到了较高水平,确保了模拟信号到数字信号转换的准确性和可靠性。

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timfordlare| | 2024-11-9 18:05 | 只看该作者
支持DeepSleep模式,有效降低功耗,延长电池寿命,适合便携设备

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lzmm| | 2024-11-9 19:59 | 只看该作者
支持 39 路 I/O 接口,并且支持中断功能和中断输入滤波功能,方便用户连接外部设备和实现中断处理,提高系统的响应速度和实时性

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pentruman| | 2024-11-9 21:59 | 只看该作者
支持DeepSleep模式,有助于节省功耗,延长电池寿命。

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lihuami| | 2024-11-10 09:47 | 只看该作者
在 ESD(静电放电)性能考核方面,HBME SD、MME SD、CDM ESD、Latchup@105℃全面达到 JEDEC(固态技术协会)最高等级,能够有效抵御静电放电的干扰,保证系统在复杂的电磁环境下稳定运行。

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sheflynn| | 2024-11-10 11:48 | 只看该作者
CW32F030C8T6非常适合用于要求高可靠性、稳定性和灵活性的应用场景

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wangdezhi| | 2024-11-10 13:51 | 只看该作者
拥有 16 位高级控制定时器,支持 6 路捕获 / 比较通道和 3 对互补 PWM 输出,具有死区时间和灵活的同步功能,可用于实现精确的定时控制和 PWM 输出,适用于电机控制、电源管理等应用。

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kkzz| | 2024-11-10 15:53 | 只看该作者
适用于需要高精度位置控制和快速响应的应用,如机器人、自动化设备等

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hudi008| | 2024-11-10 17:54 | 只看该作者
CW32F030C8T6采用了ARM Cortex-M0+ 32位内核,提供了高达64MHz的主频,使得运算和处理速度非常快。

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adolphcocker| | 2024-11-10 19:54 | 只看该作者
采用稳定可靠的eFLASH制造技术,确保了产品的工业高可靠应用。

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lzbf| | 2024-11-10 21:48 | 只看该作者
技术规格
内核:ARM Cortex-M0+
工作电压:1.65~5.5V
工作温度范围:-40~105摄氏度
Flash容量:64KB
RAM容量:8KB

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10299823| | 2024-11-11 10:05 | 只看该作者
支持1.65~5.5V供电,具有更低的功耗,适合长时间运行的应用

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burgessmaggie| | 2024-11-11 11:40 | 只看该作者
在静电放电(ESD)方面,CW32F030C8T6全面达到了JEDEC最高等级

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fengm| | 2024-11-11 13:16 | 只看该作者
拥有 64K 字节的 Flash 和 8K 字节的 RAM。较大的 Flash 空间可以存储更多的程序代码和数据,方便用户开发功能丰富的应用程序;而足够的 RAM 空间则有利于数据的暂存和快速处理,提高系统的运行效率。

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AuroraS| | 2024-11-11 13:38 | 只看该作者
配有多通道通信接口,如uart、spi和i2c,便于与其他设备连接和通信

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febgxu| | 2024-11-11 14:49 | 只看该作者
无论是需要高性能处理能力的应用,还是对功耗和成本敏感的便携式设备,CW32F030C8T6都能提供出色的解决方案

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