NMOS用单片机IO驱动问题

发表于 2024-11-30 12:00

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有低压驱动的,很多,

发表于 2024-12-3 06:15

当微控制器的IO端口输出低电平时，nmos管可以完全关断。

发表于 2024-12-3 19:41

需要仔细考虑MCU IO端口的驱动能力、NMOS晶体管的特性以及驱动电路的设计等因素。

发表于 2024-12-4 19:20

驱动电压和你选择的NMOS有关，这个要看数据手册。

发表于 2024-12-5 13:17

在微控制器和mos管之间增加一个电平转换电路。

发表于 2024-12-8 19:43

最好添加一个预驱动来驱动mos

发表于 2024-12-10 11:03

您可以使用晶体管、达林顿晶体管和其他设备来放大电流，或者使用特殊的mosfet驱动芯片。

发表于 2024-12-10 19:32

MCU的IO端口的输出电压需要高于NMOS管的阈值电压，以保证NMOS管的正常导通。

发表于 2024-12-25 13:19

MOSFET管的手册上都有一个Vgs(th)的参数告诉用户最小和最大的栅极开启电压各是多少，一般情况下功率MOSFET的栅极最小开启电压是小于3V的，所以就算是用3.3V的单片机去驱动，也是能达到开启条件，只不过因为栅极电压低，会导致RDS(on)的值比正常高压下完全开启的值要大那么一点点。增加管子的开通损耗而已。问题也不大。

而对于小功率的MOSFET，那就完全不用担心用单片机驱动的问题，因为一般小功率管的栅极开启电压最大也就3V左右。
下面是AO3400 N沟道MOSFET管的手册参数。

再看常用的2N7002的参数：

发表于 2024-12-25 13:21

对于IGBT之类要求栅极电压特别高的大功率模组，一般用三极管组成一个达林顿驱动电路，或者用专用的IGBT驱动IC。

发表于 2025-1-3 18:03

MCU的IO端口的驱动能力在毫安级。具体数值请参考MCU的数据手册。

发表于 2025-1-4 08:16

可以用晶体管、达林顿晶体管等器件放大电流，也可以用专门的mosfet驱动芯片。

发表于 2025-1-5 14:49

MCU的IO口的输出电压需要高于NMOS晶体管的阈值电压，以保证NMOS晶体管的正常导通。

发表于 2025-1-6 16:27

单片机io口的驱动能力在毫安级。具体值请参考mcu的数据手册。,

发表于 2025-2-9 18:32

MCU的IO端口的驱动能力在毫安级。具体值请参考mcu的数据手册。,,

发表于 2025-2-25 22:45

就没有能用单片机GPIO直接驱动的MOS管吗？

发表于 2025-2-25 22:45

外围电路越多，问题点就越多。还是希望越简单越好。

发表于 2025-2-27 12:06

用fet做隔离

发表于 2025-2-27 12:29

前级加个三极管

发表于 2025-2-28 14:19

为提高MOS的驱动性能，建议增加一个前级驱动器。这样可以让MOS工作更稳定，效果更好。

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