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NMOS用单片机IO驱动问题

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楼主: zhuotuzi
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41楼
huangxz| | 2024-11-30 12:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览

捕获2.PNG

有低压驱动的,很多,

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42楼
IntelCore| | 2024-12-3 06:15 | 只看该作者
当微控制器的IO端口输出低电平时，nmos管可以完全关断。

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43楼
天天向善| | 2024-12-3 19:41 | 只看该作者
需要仔细考虑MCU IO端口的驱动能力、NMOS晶体管的特性以及驱动电路的设计等因素。

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44楼
guijial511| | 2024-12-4 19:20 | 只看该作者
驱动电压和你选择的NMOS有关，这个要看数据手册。

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45楼
hmcu666| | 2024-12-5 13:17 | 只看该作者
在微控制器和mos管之间增加一个电平转换电路。

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46楼
未来AI| | 2024-12-8 19:43 | 只看该作者
最好添加一个预驱动来驱动mos

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47楼
Pretext| | 2024-12-10 11:03 | 只看该作者
您可以使用晶体管、达林顿晶体管和其他设备来放大电流，或者使用特殊的mosfet驱动芯片。

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48楼
LinkMe| | 2024-12-10 19:32 | 只看该作者
MCU的IO端口的输出电压需要高于NMOS管的阈值电压，以保证NMOS管的正常导通。

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49楼
hjl2832| | 2024-12-25 13:19 | 只看该作者
MOSFET管的手册上都有一个Vgs(th)的参数告诉用户最小和最大的栅极开启电压各是多少，一般情况下功率MOSFET的栅极最小开启电压是小于3V的，所以就算是用3.3V的单片机去驱动，也是能达到开启条件，只不过因为栅极电压低，会导致RDS(on)的值比正常高压下完全开启的值要大那么一点点。增加管子的开通损耗而已。问题也不大。



而对于小功率的MOSFET，那就完全不用担心用单片机驱动的问题，因为一般小功率管的栅极开启电压最大也就3V左右。
下面是AO3400 N沟道MOSFET管的手册参数。

再看常用的2N7002的参数：

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50楼
hjl2832| | 2024-12-25 13:21 | 只看该作者
对于IGBT之类要求栅极电压特别高的大功率模组，一般用三极管组成一个达林顿驱动电路，或者用专用的IGBT驱动IC。

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51楼
digit0| | 2025-1-3 18:03 | 只看该作者
MCU的IO端口的驱动能力在毫安级。具体数值请参考MCU的数据手册。

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52楼
dreamCar| | 2025-1-4 08:16 | 只看该作者
可以用晶体管、达林顿晶体管等器件放大电流，也可以用专门的mosfet驱动芯片。

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53楼
软核硬核| | 2025-1-5 14:49 | 只看该作者
MCU的IO口的输出电压需要高于NMOS晶体管的阈值电压，以保证NMOS晶体管的正常导通。

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54楼
明日视界| | 2025-1-6 16:27 | 只看该作者
单片机io口的驱动能力在毫安级。具体值请参考mcu的数据手册。,

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