NMOS用单片机IO驱动问题

只看该作者 · 2024-12-3 06:15

当微控制器的IO端口输出低电平时，nmos管可以完全关断。

只看该作者 · 2024-12-3 19:41

需要仔细考虑MCU IO端口的驱动能力、NMOS晶体管的特性以及驱动电路的设计等因素。

只看该作者 · 2024-12-4 19:20

驱动电压和你选择的NMOS有关，这个要看数据手册。

只看该作者 · 2024-12-5 13:17

在微控制器和mos管之间增加一个电平转换电路。

只看该作者 · 2024-12-8 19:43

最好添加一个预驱动来驱动mos

只看该作者 · 2024-12-10 11:03

您可以使用晶体管、达林顿晶体管和其他设备来放大电流，或者使用特殊的mosfet驱动芯片。

只看该作者 · 2024-12-10 19:32

MCU的IO端口的输出电压需要高于NMOS管的阈值电压，以保证NMOS管的正常导通。

只看该作者 · 2024-12-25 13:19

MOSFET管的手册上都有一个Vgs(th)的参数告诉用户最小和最大的栅极开启电压各是多少，一般情况下功率MOSFET的栅极最小开启电压是小于3V的，所以就算是用3.3V的单片机去驱动，也是能达到开启条件，只不过因为栅极电压低，会导致RDS(on)的值比正常高压下完全开启的值要大那么一点点。增加管子的开通损耗而已。问题也不大。

而对于小功率的MOSFET，那就完全不用担心用单片机驱动的问题，因为一般小功率管的栅极开启电压最大也就3V左右。
下面是AO3400 N沟道MOSFET管的手册参数。

再看常用的2N7002的参数：