MOSFET管驱动电路

只看该作者 · 2024-12-12 12:36

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。与三极管相比，MOS管的输入阻抗更高，更适合用于高速开关电路。

1万 · 2024-12-12 13:57

考虑到MOSFET在开关过程中会产生热量，应确保良好的散热设计，如使用散热片或适当的冷却系统。

只看该作者 · 2024-12-12 15:18

可以在栅极和源极之间连接一个小的陶瓷电容（通常为几纳法到几十纳法），这个电容称为栅极 - 源极电容（Cgs），它可以滤除高频干扰信号，同时也能在一定程度上稳定 VGS 电压。另外，驱动电路的布线要尽量短而粗，减少线路电感，并且要远离高干扰源，如变压器、电感等。

只看该作者 · 2024-12-12 19:21

如电压驱动软开关、电流驱动软开关等，可以降低MOSFET的开关损耗，提高能源利用效率

1万 · 2024-12-12 20:55

MOSFET是电压控制型器件，需要足够的栅极电压（Vgs）以开启，但同时考虑栅极驱动电路应能提供足够的瞬态电流以快速充放栅极电容

1万 · 2024-12-13 20:06

电源IC或驱动芯片的驱动能力与MOSFET的需求相匹配。如果驱动能力不足，可以使用图腾柱电路或其他增强驱动能力的电路。

只看该作者 · 2024-12-13 20:47

极驱动电压应足够高，以确保MOSFET能够完全导通（对于N沟道MOSFET，通常需要高于源极电压几伏）。

只看该作者 · 2024-12-14 08:42

MOS驱动还是挺重要的

只看该作者 · 2024-12-14 12:08

在驱动大功率负载时，如继电器、电磁阀等，由于这些负载需要较大的电流，而单片机GPIO引脚的驱动能力有限，因此通常采用三极管进行驱动。

只看该作者 · 2024-12-14 14:52

在高功率应用中，MOSFET 管在导通时会通过较大的电流，产生一定的功率损耗（主要是导通损耗和开关损耗）。例如，在一个电机驱动电路中，MOSFET 管通过的电流可能达到几十安培，此时功率损耗会比较大。

只看该作者 · 2024-12-14 15:26

栅极和源极之间可能需要添加一个小电容来滤除噪声。

只看该作者 · 2024-12-14 15:44

驱动电路的输出电压应与MOSFET的栅极电压兼容。

只看该作者 · 2024-12-14 16:07

有时需要在驱动电路中加入隔离措施，特别是当涉及到安全隔离时，可以使用变压器驱动等方法。

只看该作者 · 2024-12-14 16:36

设计过流保护、过压保护和反向电压保护等措施，以防止MOSFET因异常情况而损坏。

只看该作者 · 2024-12-15 10:48

MOSFET 的栅极输入阻抗很高，容易受到外界电磁干扰。因此，在驱动电路中，要采取一些抗干扰措施。

只看该作者 · 2024-12-15 11:25

MOSFET的栅极与源极间存在寄生电容，大的电容可能导致上升时间慢，增加驱动器的响应时间，设计时需考虑电容充放电速度和环路的快慢

只看该作者 · 2024-12-15 11:46

由于MOSFET栅极高输入阻抗的特点，栅极容易受到静电或干扰导致误导通。可以在栅极和源极之间并联一个电阻（例如10K欧姆）来降低输入阻抗。此外，可以并联一个TVS瞬态抑制二极管来保护栅极免受瞬间高压击穿。

只看该作者 · 2024-12-15 12:18

对于高侧驱动，可能需要设计自举电路来为MOSFET提供正向栅极驱动电压。

只看该作者 · 2024-12-15 12:55

MOS管常用于驱动功率较大的负载，如电机、LED阵列等。

只看该作者 · 2024-12-16 11:25

Mos管常用于驱动大功率负载，如电机、LED阵列等。