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[技术讨论] Flash ROM中的ME丢失原因求助！

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 楼主| yuanfff 发表于 2024-12-26 16:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
ROM, flash, 原因, 电压

电路如图，进行“上电12s，断电20s"的测试，机子概率出现不开机（一般10台跑14h会挂2台），原因为ROM中的ME被擦除。
Flash 型号：Gigadevice 的 GD25LQ64ESIGR
CPU用的 Intel 的Gemini Lake SoC
目前已验证：
1、写保护WP脚直接拉低，没用，厂商回复，该硬件保护只能保护寄存器数据不被修改，无法保护ROM中的数据。
2、软件设置BP保护也没用。
3、怀疑电源不稳，将D29二极管换成0R电阻，出现丢失的概率变低。但是模拟二极管压降（使用电源单独输入，或者LDO调节转出），降低输入电压并没有复现到丢失。猜测是因为降低的输入电压过于稳定，无法模拟在开机过程中电压突然波动跌至异常。因此接回二极管，同时降低输入电压为1.6V，出现了不开机，但是ME数据只是部分被修改，没有出现擦除。


请求各位大佬帮忙分析一下可能原因，提供一些验证思路！不胜感激！急急急！客户提刀催了！

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 楼主| yuanfff 发表于 2024-12-26 16:42 | 显示全部楼层
跪求！跪求！跪求！
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fswyt 发表于 2024-12-28 09:18 | 显示全部楼层
看看是不是单片机上下电过程中对Flash进行误擦除了，单片机在最低启动电压附近运行会不稳定。
判断方法是把单片机对Flash擦除、写的代码直接屏蔽掉，不要编译到单片机内部，然后按照最容易出现丢失的条件进行测试。
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评论

fswyt
@yuanfff ：如果你的单片机有多种电源供电，这就要着重考虑不同电源间的上电时序了，必须严格按照规定的时序来上电；  发表于 2024-12-28 14:16
fswyt
@yuanfff ：举个例子，假如单片机的额定工作电压是3.3V，在上电过程中，如果电源电压到达1V后，单片机的外部复位电路或者单片机内部的复位电路释放了复位信号，这时单片机就开始运行了，但是单片机能够稳定运行的电压必须高于1.6V（假设，具体参考使用的单片机手册），所以，在电压1~1.6V期间，单片机运行就不稳定，可能会出现程序跑飞，误调用了擦除指令；  发表于 2024-12-28 14:15
fswyt
@yuanfff ：如果单片机本身没有电压检测功能，就在单片机的复位电路上做下调整，总的就是让单片机的电源升到能够确保正常运行的稳定电压以上后，再释放复位电路；  发表于 2024-12-28 14:07
fswyt
@yuanfff ：先看看程序本身会不会有异常调用擦除指令的情况；然后看看你使用的单片机电源部分是否有低电压检测功能，通过配置，让单片机在安全电压以下不工作，在安全电压以上再工作，防止单片机在不稳定的电压范围内程序跑飞；  发表于 2024-12-28 14:05
yuanfff
确实用逻辑分析仪抓到了擦除瞬间，是CPU（Intel Gemini Lake SoC）那边发出了一个擦除指令，但是擦除原因未知。请问大佬该如何查找根因？  发表于 2024-12-28 09:53
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