单片机遇到EMI干扰，如何储存重要参数？

发表于 2025-4-5 21:28

使用数据校验避免读取数据出错，另外要做抗干扰设计。

发表于 2025-4-8 10:16

结合硬件屏蔽和外部存储芯片。

发表于 2025-4-8 13:27

如果内置存储容量不足，可以使用外部存储芯片

发表于 2025-4-8 16:30

在存储芯片的电源引脚添加 π型滤波网络

发表于 2025-4-9 19:12

设计掉电检测电路，检测给MCU供电的LDO或DC-DC的前级电压。

发表于 2025-4-10 00:53

需要从硬件设计入手，减少 EMI 对单片机的影响。

发表于 2025-4-10 13:37

设计可靠的复位电路，确保在受到 EMI 干扰导致单片机异常时能够及时复位。复位电路应具有抗干扰能力，能够区分正常的复位信号和因干扰产生的虚假复位信号。

发表于 2025-4-10 15:21

对敏感信号线采用屏蔽双绞线，减少共模噪声干扰。

发表于 2025-4-10 17:21

将相关的电路模块集中布局，减少信号传输路径，降低电磁干扰的耦合机会。

发表于 2025-4-10 19:03

对按键输入等易受干扰的信号进行去抖处理，避免误触发。

发表于 2025-4-10 21:00

在存储重要参数时，同时计算并存储数据的校验和。在读取数据时，重新计算校验和并与存储的校验和进行比对，若不一致则说明数据可能受到干扰发生错误。

发表于 2025-4-12 19:58

合理规划地线布局，确保地线回路面积最小，减少电磁干扰的产生。

发表于 2025-4-12 21:59

将重要参数存储在EEPROM中，因为EEPROM在掉电后信息不会丢失。可以将参数按16位对齐存储，并在前两个字节区域用来做校验用。

发表于 2025-4-13 11:26

电压的稳定对于存储器件的正常工作至关重要，能避免因电压波动导致的数据错误或丢失。

发表于 2025-4-13 13:25

采用具有良好电磁屏蔽性能的金属外壳或屏蔽罩，将单片机和存储器件分别屏蔽起来，减少外部电磁干扰的侵入。

发表于 2025-4-13 15:09

通过软件设计，可以检测到错误并自动纠正

发表于 2025-4-13 16:51

设置定时中断，每隔一定时间将重要参数存储到非易失性存储器中。

发表于 2025-4-13 18:44

选用抗干扰的存储器，然后做数据校验，另外可以加屏蔽措施。

发表于 2025-4-13 19:02

如果工作环境的电磁干扰确实很严重，最好是加屏蔽板。

发表于 2025-4-13 19:21

重要数据保存在非易失性存储，像闪存、EEPROM。

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