MOS管相关知识

发表于 2025-11-19 17:44

将电阻接地用于放电，可减少静电干扰。电阻值视情况定，确保安全即可。

发表于 2025-11-22 07:49

增强型MOSFET常用于电路，因为它们在无栅极电压时自然关断，而耗尽型则在有电压时关断。

发表于 2025-11-26 08:23

MOS管像电子开关，控制电流通断。

发表于 2025-12-4 11:06

选对栅极电阻，就像给MOS管加了个节拍器，让它充放电不快不慢，振荡自然就少了。

发表于 2025-12-11 22:12

挑选适合的MOS管很重要，加上电阻或电容来阻尼，防高频晃动。

发表于 2025-12-16 12:53

FET和三极管都是放大电路，但FET更擅长开关，三极管更适合线性放大。FET用法类似，但驱动方式不同。

发表于 2025-12-18 12:00

静电防护减少，可能因设备耐静电压增强。

发表于 2025-12-18 16:12

电源极性接反，p沟道MOSFET会损坏。

发表于 2025-12-24 07:24

通过在带载插拔电路中串联一个限流电阻和MOS管，可控制插拔过程中的电流，防止过大电流损坏电路。

发表于 2026-1-5 23:29

减小电路寄生电容和电感，提升功率回路效率。

发表于 2026-1-10 12:23

为GS电容设计放电回路，可避免静电引发误导通，确保电路稳定。

发表于 2026-1-10 16:30

MOS 管即金属 - 氧化物 - 半导体场效应管，是电压控制型半导体器件，靠栅极电压控制漏源电流，分增强型、耗尽型，广泛用于放大、开关电路。

发表于 2026-1-15 20:30

有反向电压风险时，使用二极管等元件形成保护电路来防止损害。

发表于 2026-1-16 22:21

选用适当的栅极电阻可提升MOSFET开关速度，确保其稳定性。

发表于 2026-1-23 16:04

放电GS电容，防止静电干扰电路。

发表于 2026-1-24 16:38

防静电措施是为了防止静电对电子设备造成损害，现在可能需要这些措施是因为静电问题依然存在，而且设备越来越精密。

发表于 2026-2-7 09:17

通过在电路中串联一个限流电阻，配合Mos管控制，在插拔带载时限制电流，防止过流损坏电路。

发表于 2026-2-26 14:15

增强型MOS管在低电压下导电方便，比耗尽型更适合单片机应用。

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