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做电源设计时，有多少人纠结过怎么选功率器件？在第三代半导体风头正劲的现在，毫无疑问，SiC 与 GaN 是当前的高性能大热门选项。
但，如果面向的是通用性比较高，成本敏感的场景，怎么办呢？
当然有更优的选型——硅基 MOSFET（SiMOS）。历经数十年迭代的SiMOS，至今仍能在关键领域 “发光发热”，靠的是什么？一起来扒一扒——
1 为什么SiC/GaN时代，硅基MOSFET仍不可替代？
很多工程师都会有类似的困惑。其实，在实际应用中，无论是SiC/GaN，还是硅基MOSFET，并不是简单的替代关系。
不可否认，在一些高频、高压的应用场合中，SiC/GaN的特性可以发挥更大的优势。
但硅基MOSFET经过数十年技术迭代，早已不是“落后技术”。以英飞凌CoolMOS™ 系列为例，20多年来持续引领超结MOSFET技术，如今最新的CoolMOS™ 8系列，更是在性能上实现了新突破，同时保持着硅基器件特有的成本优势和通用性，让硅基 MOSFET 再度成为工程师选型清单里的惊喜选项。
2 CoolMOS™ 8 的特别之处
CoolMOS™ 8可以说是从性能到封装，全维度升级。
1、全系列标配快速体二极管：一个系列适配所有拓扑
以往的CoolMOS™产品中，只有高端型号才配备快速体二极管，而CoolMOS™ 8直接实现“全系列标配”。这意味着无论是软开关电路（如LLC）还是硬开关电路（如PFC），不用更换器件型号，一个CoolMOS™ 8系列就能搞定所有主流功率拓扑。
2、业内最低导通电阻：从源头降低损耗
导通电阻Rds(on)是影响MOSFET损耗的关键参数——电阻越小，导通损耗越低，效率自然越高。CoolMOS™ 8在这一指标上做到了行业领先：600V系列低至7mΩ，650V系列低至8mΩ。
别小看这几毫欧的差距，在高功率应用中，导通电阻降低带来的效率提升非常明显。
3、开关损耗大幅降低 ：效率优势进一步扩大
除了导通损耗，开关损耗也是影响电源效率的重要因素。CoolMOS™ 8通过优化芯片设计，将Eoss（输出电容存储能量）降低10%[1]，Coss（输出电容）降低50% [1]，Qg（栅极电荷）降低 20% [1]，大幅减少了开关过程中的能量浪费。
结合导通损耗的优化，CoolMOS™ 8在全功率段都能保持高效率——即使在轻载工况下，也能避免效率大幅下降的问题，这对AI服务器负载波动大的特点尤为适配。
4、扩散焊工艺降热阻：解决高功率散热难题
高功率必然伴随高热量，而CoolMOS™ 8通过英飞凌专有的“扩散焊工艺”，从根本上改善了散热性能。这种工艺能改善芯片与引线框架之间的连接，提升热传导效率，相比前代产品，CoolMOS™ 8的热阻降低了14%~42%（如TO247封装的16mΩ型号热阻降14%，TO-220封装的37mΩ型号热阻降41%）。
散热能力提升，不仅能让器件在高功率下更稳定，还能减少散热片的体积，进一步压缩电源板的整体尺寸。
5、创新封装：兼顾空间与成本
CoolMOS™ 8提供了丰富的封装选择，除了通用的插件封装（如TO247、TO220），还有多款创新贴片封装，包括顶部散热（TSC）和底部散热（BSC）类型，且所有顶部散热封装的高度统一为2.3mm，方便工程师进行PCB布局。
其中的QDPACK顶部散热封装尤为亮眼——相比传统底部散热封装，它能充分利用PCB的正反两面空间，既提升了功率密度，又减少了寄生效应，还能降低系统层面的制造成本。以QDPACK封装的CoolMOS™ 8为例，单芯片内阻可低至7mΩ，非常适合高功率密度、自动化生产的应用场景。
6、All in one：多覆盖 对比CoolMOS™ 7和CoolMOS™ 8的产品矩阵就能发现：CoolMOS™ 7针对不同需求细分了C7、P7、S7、CFD7、PFD7等多个子系列，而CoolMOS™ 8只用一个系列就兼容了这些子系列的功能——无论是需要高性价比的基础场景，还是追求高性能的高端场景，一个CoolMOS™ 8系列就能覆盖。
简单来说，CoolMOS™ 8做到了用一个系列的成本，实现多个系列的性能覆盖。
3 CoolMOS™ 8在哪些应用可以“发光发热”
这是英飞凌推出的3.3KW高频和高密度的电源装置单元PSU，主要应用在服务器和数据中心等应用中的。核心功率器件采用的是英飞凌的“SiC+GaN+SiMOS”组合。解决方案仅有192mm×72mm×40mm，但实现了3.3KW功率输出，功率密度高达98W/inch³，效率更是达到97.4%。
这个解决方案的PFC 和baby boost部分，功率器件就采用了CoolMOS™ 8 系列产品——600V IPT60R016CM8。
英飞凌3.3kW LLC评估板上实测效率，相比集成快速体二极管的CoolMOS™ 7，CoolMOS™ 8 将整机效率提高了 0.04%[1]，与其他器件相比，效率提升的更高，在0.05%至0.11%[1]之间。
3.3KW LLC评估板效率对比
在像数据中心这样成千上万台服务器同时运行的高功率场景中，每一处效率的细微提升，累计节省的能耗都非常可观。
除了数据中心、AI服务器，充电桩、储能、不间断电源UPS、工业SMPS等应用场合，CoolMOS™ 8系列的600V和650V产品都有优异的表现。
如果你也在为电源项目的功率器件选型纠结，不妨去英飞凌官网看看CoolMOS™ 8的详细参数——或许它就是你要找的“性能与成本兼顾”的解决方案。 点击此处，获取更多信息。
[1]：数据基于600V/37mΩ/TO-247 CoolMOS™ 8与CoolMOS™ 7产品的比较
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