本帖最后由 Loximonline 于 2025-11-14 09:03 编辑
摘要 分享一个可公开查询的LOXIM Technologies （深圳市乐而信科技服务有限公司）专利技术，发明专利申请号202510666601.4，也是微孔雾化驱动芯片LX8201背后的关键创新技术之一：用MCU直接驱动高压H桥的微孔雾化片驱动电路。 申明：以下内容为专利文档的部分摘取，均来自上述专利所公开的文字和图片，如有冲突，以公布的专利信息资料为准。
背景 微孔雾化片驱动电路广泛应用于加湿器、喷雾器等设备中，通过特定频率的电信号驱动微孔雾化片产生高频振动，从而实现液体雾化。随着市场对雾化效果和能效要求的不断提高，微孔雾化片驱动技术逐渐成为行业关注的焦点。传统的驱动电路设计不仅需要满足高效雾化的需求，还要兼顾成本控制和稳定性提升，为相关产品的普及提供了重要支持。 目前，为解决微孔雾化片的高效驱动问题，行业内普遍采用电感谐振型驱动电路 或高压MOS管开关驱动方案。参照图1，其中，电感谐振型驱动电路通过MCU发出一路PWM信号 控制MOS管开关，利用电感与微孔雾化片寄生电容形成振荡回路，生成高压波形驱动雾化片 工作。此外，还有采用单端驱动方式的电路设计，通过单个MOS管配合电感和采样电阻实现 驱动与追频功能。这些方法虽然在一定程度上满足了驱动需求，但仍然存在诸多局限性。 要使用高压MOS管和大容量电感，导致器件成本高昂;二是受元器件离散性影响，MCU输出驱 动频率与微孔雾化片固有频率难以匹配，造成驱动效率低下并增加功耗。这些问题限制了 现有技术在实际应用中的进一步推广和发展。 发明内容 一种用MCU直接驱动高压H桥的微孔雾化片驱动电路，包括: 主控芯片、升压电路和雾化驱动电路; 所述升压电路连接电源输入端，用于将输入电压升压至10‐36V的高压VP; 所述雾化驱动电路包括由第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)构成的H桥拓扑结构，其中所述第一MOS管漏极与所述第三MOS管漏极连接形成第一桥臂，所述第二MOS管漏极与所述第四MOS管漏极连接形成第二桥臂，所述第一桥臂和第 二桥臂的共接点分别连接微孔雾化片的两极; 所述主控芯片直接输出四路相位差为180°的 PWM控制信号，分别驱动的所 述第一MOS管至所述第四MOS管源栅极。 技术特点 通过采用上述技术方案，实现了用MCU直接驱动高压H桥的微孔雾化片驱动电路。 该方案通过主控芯片输出四 路 相位差为180°的PWM信号控制H桥拓扑结构中的MOS管，能够以较低的Vpp值实现与传统方案相同的雾化效果，从而降低对元器件的要求，显著减少物料成本，典型应用场景中成本降低25%。同时，内置的追频算法模块通过采样微孔雾化片的电 流信号动态调整PWM频率f2，使其趋近于微孔雾化片的固有谐振频率f0，减少了离散器件对 驱动效率的影响，大幅提高驱动效率，典型应用场景中功耗降低20%。 同时，通过采用上述技术方案，能够实现对微孔雾化片固有频率的精准追踪。具体而言， 通过在GNDB点设置采样电阻并结合MCU的ADC功能，系统可以精确检测电流变化情况。MCU以 最小分频间距步进在名义频率+/‐5%范围内搜索最佳频率点，确保工作频率始终接近微孔 雾化片的实际固有频率。此外，每秒一次的定时追频机制有效补偿了因温度、负载变化等因 素引起的频率漂移，从而大幅提升驱动效率并降低能量损耗。 （*备注：追频算法属于软件范畴，另有发明专利进行详尽阐释） 另外， 驱动电压VP可根据微孔雾化片的具体参数灵活调整，确 保在不同应用场景下实现最佳驱动效果。独立的PWM‐V定时器设计有效减少了与主驱动信号之间的相互干扰，提升了系统稳定性。同时，VP电压值的存储与默认设定简化了系统初始 化流程，提高了驱动电路的适应性和可靠性，为微孔雾化片的高效、稳定运行提供了有力保障。
权利要求 基于上述技术发明，专利文件也列出了10项详尽的权利要求，全方位保障了此创新发明专利的知识产权。
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