EMI整改基本方法

发表于 2025-12-11 14:56

MOS管、二极管选用低噪声型号，必要时串磁珠或慢管

发表于 2025-12-11 16:26

定位PCB或设备表面的高频辐射热点，缩小排查范围。

发表于 2025-12-11 18:23

通过电源线或信号线传播，需关注共模和差模干扰。

发表于 2025-12-11 19:11

抑制干扰源

发表于 2025-12-11 20:10

关键信号隔离：高速信号线远离电源线及低速信号。
减少环路面积：避免信号线与返回路径形成大环路，降低辐射效率。
终端匹配：对长距离传输线添加终端电阻，减少反射及串扰。

发表于 2025-12-12 15:05

开关电源噪声检查开关管、变压器、整流二极管的高频振荡。
时钟信号辐射确认晶振、时钟缓冲器是否靠近敏感电路或天线。
数字电路干扰分析高速信号（如DDR、USB）的边沿陡峭度及终端匹配。

发表于 2025-12-12 16:04

在IC的VCC与GND之间加装0.1~1μF去耦电容，引线尽量短以减少寄生电感

发表于 2025-12-14 08:14

对敏感电路或噪声源（如开关电源）进行局部屏蔽，接地需良好。

发表于 2025-12-14 08:40

电源线与信号线分开走线，避免平行走线

发表于 2025-12-14 16:46

选择低ESR电容、低磁导率电感，减少元件自身噪声。

发表于 2025-12-14 19:49

采用零电压/零电流开关，减少开关损耗及EMI。

发表于 2025-12-14 21:44

切断传播路径。提升抗扰度

发表于 2025-12-16 14:54

EMI = EMI+ EMS，即设备既要不干扰其它设备，也要能抵抗外界干扰

发表于 2025-12-16 15:45

减小 MOSFET 开关速度增大栅极电阻，降低 dv/dt

发表于 2025-12-16 17:01

屏蔽虽有效，但成本高且可能影响散热，需优先优化电路设计。

发表于 2025-12-16 20:15

地环路是常见干扰源，接地回路短而粗，避免多点接地。

发表于 2025-12-17 12:14

对开关电源的MOS管驱动电阻进行调整，或采用慢恢复二极管替代快恢复二极管，降低高频振铃

发表于 2025-12-17 14:19

使用专用低寄生电容的共模滤波器，并搭配低结电容ESD保护器件，避免影响信号完整性的同时抑制EMI

发表于 2025-12-17 20:24

在高频噪声路径上串联铁氧体磁珠，吸收特定频段能量

发表于 2025-12-18 21:17

模拟地、数字地、功率地、机壳地分区布局

[疑难问答] EMI整改基本方法