硬件电路5V过压保护分析

发表于 2026-1-13 17:40

如果使用 TVS + PPTC 方案，TVS 必须能够承受 PPTC 动作之前的瞬态大电流，否则 TVS 会先炸掉。

发表于 2026-1-13 17:59

利用一个稳压二极管接在 PMOS 的栅极和源极之间。

发表于 2026-1-16 10:58

对于持续过压，选择保护IC或可控硅方案

发表于 2026-1-17 11:32

齐纳二极管在反向击穿状态下工作，当电压超过其击穿电压时，二极管导通，将多余电压分流到地，从而保护后级电路。

发表于 2026-1-17 12:06

输入端串联保险丝，并联 TVS 二极管。

发表于 2026-1-17 12:50

PPTC 动作较慢，且未恢复时阻抗较大。

发表于 2026-1-17 13:13

TVS 二极管

发表于 2026-1-17 13:46

如何选择？

发表于 2026-1-17 14:33

如果采用 TVS 吸能方案，必须确保有大地的低阻抗回路。对于手持设备或浮地设备，高压无处泄放，保护电路容易失效。

发表于 2026-1-17 18:02

需根据负载电流选择芯片规格，需配套足够功率的限流电阻和导线

发表于 2026-1-17 21:33

保护电路的设计确实很重要，特别是在电源波动较大的环境中，能够有效保护后级芯片不受损害。

发表于 2026-1-18 19:53

保护器件靠近电源输入端

发表于 2026-1-18 22:36

线性稳压器+过压保护模块

发表于 2026-1-20 17:55

使用外部MOSFET作为开关，配合比较器检测输入电压。当电压超过设定阈值时，比较器输出信号控制MOSFET关断，切断电源通路。

发表于 2026-1-20 18:27

芯片串联在电源路径中，利用采样电阻或内部分压网络检测输入电压。

发表于 2026-1-20 20:01

输入电压低于稳压管击穿电压时，MOSFET导通，输出正常

发表于 2026-1-20 20:24

自恢复保险丝

发表于 2026-1-20 22:31

利用一个稳压二极管接在 PMOS 的栅极和源极之间。

发表于 2026-1-22 10:02

5V过压保护设计的核心是“精准检测、快速响应、可靠切断”

发表于 2026-1-22 10:42

TVS 仅用于瞬态抑制，不可单独承担 DC 过压保护。

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