[MCU新闻] 电池供电设备,MCU 休眠后 ADC 残留漏电流,怎么彻底切断采样通路

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fengm 发表于 2026-8-17 14:18 | 显示全部楼层
如果必须使用超大阻值电阻以降低功耗,可以在分压节点和 ADC 引脚之间加一个超低静态电流的运放作为电压跟随器。
earlmax 发表于 2026-8-17 15:44 | 显示全部楼层
MCU的ADC输入引脚在休眠时不会从其他路径漏电。
jonas222 发表于 2026-8-17 16:00 | 显示全部楼层
进入休眠前,务必关闭ADC外设时钟,并将ADC引脚配置为模拟输入模式。
Henryko 发表于 2026-8-17 16:08 | 显示全部楼层
试试用GPIO控制一个MOSFET,休眠时关闭MOSFET,彻底断开ADC通路。
mickit 发表于 2026-8-17 16:57 | 显示全部楼层
MCU休眠时如何可靠控制MOS管截止?
kkzz 发表于 2026-8-17 17:19 | 显示全部楼层
新唐M0内核MCU ADC休眠后,如何优化其功耗?
1988020566 发表于 2026-8-17 17:33 | 显示全部楼层
选用纳安级低导通电阻的模拟开关器件,休眠时直接关断采样链路,适配多路ADC轮采的复杂场景。
彩虹彼岸 发表于 2026-8-18 10:52 | 显示全部楼层
MCU休眠前,切换ADC至内部Bandgap,关掉ADC模块电源,同时将模拟开关设置为关闭状态,再断开传感器供电,这样就能彻底切断采样通路了。
cemaj 发表于 2026-8-18 22:21 | 显示全部楼层
ADC采样电路通常使用电阻分压,这个分压电路本身会持续消耗电流,是漏电的主要来源。最彻底的解决办法是,在需要采样时才给这部分电路供电。
亚瑟 发表于 2026-8-19 10:24 | 显示全部楼层
用GPIO控制NMOS管,休眠前拉低门极,确保ADC通路彻底断开。
uytyu 发表于 2026-8-20 12:09 | 显示全部楼层
休眠时 MOS 切断上端供电              
alvpeg 发表于 2026-8-20 13:10 | 显示全部楼层
把下分压电阻接到 MCU GPIO、休眠设高阻输入,这种"接地断开法"在外部电压 > MCU VDD 时会经保护二极管倒灌烧 IO,只在被采电压 ≤ VDD 时可用。
houjiakai 发表于 2026-8-20 14:25 | 显示全部楼层
在切断外部电路电源前,必须先将连接的 MCU ADC 引脚配置为模拟输入模式,或推挽输出低电平。这能彻底阻断通过 ESD 二极管反向偷电的路径。
lzbf 发表于 2026-8-20 17:32 | 显示全部楼层
使用 P-MOSFET 作为高侧电源开关
dspmana 发表于 2026-8-20 17:41 | 显示全部楼层
分离ADC供电对系统稳定性影响大吗?
10299823 发表于 2026-8-20 20:11 | 显示全部楼层
在硬件切断电源的基础上,正确的软件配置能进一步杜绝漏电路径。关键点是确保MCU的ADC输入引脚在休眠时不会从其他路径漏电。
pmp 发表于 2026-8-20 20:38 | 显示全部楼层
如何通过PCB布局优化来进一步降低ADC漏电流?
tifmill 发表于 2026-8-21 13:29 | 显示全部楼层
ADC 引脚加 100 k~1 MΩ 对地泄放电阻
sanfuzi 发表于 2026-8-21 14:00 | 显示全部楼层
将ADC采样前端电路的供电单独划分,由MCU的IO引脚控制LDO/负载开关的输出,休眠时直接切断整个采样子系统的供电。
linfelix 发表于 2026-8-21 14:04 | 显示全部楼层
在使用 P-MOSFET 进行电源控制时,务必注意栅源电压的耐压极限。
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