1MHz 高频 GaN LLC 拓扑会产生哪些 EMI 难题，ST 配套哪些抑制方案？

发表于 2026-10-9 16:38

优化PCB布局，减小开关损耗，选用低ESR电容，并注意GaN器件的dv/dt整定。

发表于 2026-10-14 17:38

STCMB1支持高达750kHz的半桥操作，并具备自适应死区时间调节功能，确保在不同负载下都能维持ZVS，同时最小化死区损耗和噪声。

发表于 2026-10-14 18:20

软开关对GaN LLC EMI的具体改善效果？

发表于 2026-10-14 21:32

1MHz高频GaN LLC拓扑的EMI测试标准是什么？

发表于 2026-10-15 12:10

GaN器件高频特性，注意PCB布局和变压器设计，ST的共模扼流圈和 dv/dt 整定曲线很有帮助。

发表于 2026-10-15 17:12

ST 在 12 kW GaN LLC 演示中采用多层 PCB 平面矩阵变压器，通过对称初级、交叉次级和磁通抵消，降低变压器寄生电容和共模耦合。

发表于 2026-10-16 14:15

高频GaNDV/dt大，PCB设计要尽量短，变压器选型注意减小漏感，ST的共模扼流圈和TVS可抑制EMI。

发表于 2026-10-16 21:23

STGaN器件具体如何降低寄生电容？

发表于 2026-10-17 13:30

1MHz GaN LLC 与 SiC LLC 有何区别？

发表于 2026-10-17 14:17

MHz级开关产生的高频谐波会通过PCB走线和空间辐射，干扰周边设备。

发表于 2026-10-17 15:22

高频下CM噪声的传播路径阻抗更低，能量更容易通过寄生电容耦合到地，形成强大的CM干扰电流。在MHz频段，变压器原副边之间的寄生电容是CM噪声的主要耦合路径。

发表于 2026-10-17 15:27

注意变压器层间和绕组接地，使用磁珠滤波，驱动IC dv/dt调整。

发表于 2026-10-18 14:58

高频GaN LLC的EMI问题主要在dv/dt和变压器寄生电容，ST建议用共模扼流圈，优化PCB布局和电源设计。

发表于 2026-10-18 15:00

通过输入串联、输出并联或交错并联，把单路 GaN 管的电压应力和电流应力降低，间接减小开关节点噪声强度。

发表于 2026-10-19 11:31

输入侧用共模电感 + X 电容 + Y 电容；高频段可补铁氧体磁珠或小型 CMC；对高频模块加屏蔽罩并保证低阻抗接地。

发表于 2026-10-19 21:03

优化PCB布局，使用屏蔽层，加大去耦电容，ST的共模扼流圈选型要考虑高频特性。

发表于 2026-10-20 10:48

这些方案在实际应用中效果如何？

发表于 2026-10-20 14:06

高频 LLC 需要低延迟、高可靠隔离驱动，STGAP 系列可用于原边 GaN 半桥驱动，并集成过流、过压、过热等保护，减少外置保护电路带来的寄生参数。

发表于 2026-10-20 15:06

GaN器件dv/dt大，易产生共模噪声，ST建议采用差模扼流圈和多层PCB设计。

发表于 2026-10-20 18:10

针对1MHz LLC，有研究提出了改进的两级有源EMI滤波器拓扑，能有效增加插入损耗，简化结构并降低成本。

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